【技术实现步骤摘要】
本申请涉及气路逆止阀，特别是涉及一种气体管路逆止阀及检测系统。
技术介绍
1、离子注入设备是在高真空、高压电和有磁场的复杂系统中，产生电离态掺杂介质并形成具有一定能量的离子束，将离子束入射到硅片中进行掺杂的设备。故而离子注入设备腔体内的真空环境洁净程度和真空密封性对于离子注入设备来说是非常关键的。
2、在对离子注入设备做完维护保养或者打开过离子注入设备的腔体之后，都会对离子注入设备外接检测系统，以检查其是否侧漏。
3、然而相关技术中的检测系统容易损伤离子注入设备的腔体。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对相关技术中的检测系统容易损伤离子注入设备的腔体问题，提供一种气体管路逆止阀及检测系统。
2、一种气体管路逆止阀，所述气体管路逆止阀包括：
3、阀体，具有进气口和出气口，所述阀体内部设有分别连通于所述进气口和所述出气口的容纳腔；以及
4、阀片，设于所述容纳腔内，所述阀片的外周壁与所述容纳腔的内周壁相适配，且沿所述进气口指向所述出气...
【技术保护点】
1.一种气体管路逆止阀，其特征在于，所述气体管路逆止阀包括：
2.根据权利要求1所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述通孔设置有至少两个，至少两个所述通孔环绕所述台阶部间隔布设。
3.根据权利要求1所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述阀片包括主体部，所述台阶部设于所述主体部朝向所述进气口的一侧，所述主体部上沿所述容纳腔的轴向贯穿设有所述通孔。
4.根据权利要求3所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述容纳腔的内壁上设有抵接面，所述抵接面垂直于所述容纳腔的轴线方向；
5.根据权利要求3所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种气体管路逆止阀，其特征在于，所述气体管路逆止阀包括：
2.根据权利要求1所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述通孔设置有至少两个，至少两个所述通孔环绕所述台阶部间隔布设。
3.根据权利要求1所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述阀片包括主体部，所述台阶部设于所述主体部朝向所述进气口的一侧，所述主体部上沿所述容纳腔的轴向贯穿设有所述通孔。
4.根据权利要求3所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述容纳腔的内壁上设有抵接面，所述抵接面垂直于所述容纳腔的轴线方向；
5.根据权利要求3所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述阀体靠近所述出气口的一端设有朝向所述进气口延伸设置的通气部；
6.根据权利要求5所述的气体管路逆止阀，其特征在于，所述通气部包括槽口朝向所述通孔的通气槽，所述通气槽的侧壁上设有侧孔，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗彦东，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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