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本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过以预设倾斜角度对存储器件区的第一漏端注入区以及对高压器件区的第二源端注入区和第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入，可以使注入第一漏端注入区的部分离子被图形化的光刻胶层遮挡而使得第一漏端注入区上形成阴影区域...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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