闪存浮栅的制作方法技术

本发明专利技术提供一种闪存浮栅的制作方法，包括：提供衬底，刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽并定义出有源区；采用HARP工艺形成隔离介质，隔离介质填充沟槽且包括高出衬底的隔离凸起部；形成浮栅层，浮栅层覆盖衬底和隔离凸起部的上表面和侧面；在浮栅层表面依次形成隔离层和多晶硅层；去除隔离凸起部上表面所在平面以上的浮栅层、隔离层和多晶硅层；刻蚀去除剩余的多晶硅层以及隔离凸起部周侧的浮栅层；去除隔离层，剩余的浮栅层构成浮栅。实现了浮栅层在有源区后形成，隔离介质采用HARP工艺，保证了与逻辑工艺兼容。浮栅层表面形成隔离层和多晶硅层，避免重掺杂的浮栅层裸露带来污染。隔离层保护有源区内位于隔离层与衬底之间的浮栅层不被刻蚀。不被刻蚀。不被刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
闪存浮栅的制作方法


[0001]本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种闪存浮栅的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，闪存作为一种非易失性存储器得到了广泛的应用。闪存在传统MOS晶体管结构基础上增加了浮栅和隧穿氧化层，利用浮栅来存储电荷，从而实现了存储内容的非易失性，闪存中浮栅的制造至关重要。目前闪存浮栅的制作工艺中，较难同时满足浮栅的厚度均匀性以及与逻辑制程工艺中的HARP工艺的兼容性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种闪存浮栅的制作方法，本专利技术实现了浮栅层在有源区后形成，形成STI结构中的隔离介质采用HARP工艺，保证了与逻辑工艺较好地兼容。浮栅层表面形成隔离层和多晶硅层，避免重掺杂的浮栅层裸露带来污染。隔离层保护有源区内位于隔离层与衬底之间的浮栅层不被刻蚀。
[0004]本专利技术提供一种闪存浮栅的制作方法，包括：
[0005]提供一具有存储区和外围区的衬底，刻蚀部分厚度的所述衬底形成沟槽并定义出有源区；采用HARP工艺形成隔离介质，所述隔离介质填充所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存浮栅的制作方法，其特征在于，包括：提供一具有存储区和外围区的衬底，刻蚀部分厚度的所述衬底形成沟槽并定义出有源区；采用HARP工艺形成隔离介质，所述隔离介质填充所述沟槽且包括高出所述衬底的隔离凸起部；形成浮栅层，在所述存储区所述浮栅层覆盖所述衬底和所述隔离凸起部的上表面和侧面，所述浮栅层还覆盖位于所述外围区的衬底；在所述浮栅层表面依次形成隔离层和多晶硅层；化学机械研磨去除位于所述存储区的所述隔离凸起部上表面所在平面以上的所述浮栅层、所述隔离层和所述多晶硅层，以及去除位于所述外围区的所述浮栅层、所述隔离层和所述多晶硅层；刻蚀去除化学机械研磨后剩余的所述多晶硅层以及所述隔离凸起部周侧的所述浮栅层高出位于所述有源区的所述浮栅层上表面的部分；去除所述隔离层，剩余的所述浮栅层构成浮栅。2.如权利要求1所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，采用炉管工艺生长所述浮栅层，在炉管中采用低压化学气相淀积工艺生长所述浮栅层，并在所述生长过程中进行掺杂。3.如权利要求2所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，所述炉管工艺参数具体包括：所述炉管内通入硅烷气体，所述炉管内温度为600℃～680℃，所述炉管内压力为180mtorr～230mtorr。4.如权利要求1所述的闪存浮栅的制作方法，其特征在于，在所述HARP工艺中利用Si(CH...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔蔚然，高毅，左睿昊，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：