快闪记忆体及其制造方法技术

一种快闪记忆体及其制造方法，快闪记忆体包括具有沿第一方向延伸的源极区的快闪记忆体单元线性阵列。各个快闪记忆体单元包括邻接源极区设置的浮动栅极。快闪记忆体单元线性阵列进一步包括设置于快闪记忆体单元的浮动栅极之间的隔离带。抹除栅极线沿第一方向延伸并设置于源极区上方。控制栅极线沿第一方向延伸并设置于隔离带上方及快闪记忆体单元的浮动栅极上方。控制栅极线具有近接于源极区的非直边缘，非直边缘至少在控制栅极线设置于隔离带上方的地方缩进远离源极区。上方的地方缩进远离源极区。上方的地方缩进远离源极区。

【技术实现步骤摘要】
快闪记忆体及其制造方法


[0001]本揭露关于一种快闪记忆体及其制造方法。

技术介绍

[0002]以下内容是关于半导体制造领域、半导体记忆体领域、快闪记忆体领域、分离栅快闪记忆体领域、及相关领域。
[0003]快闪记忆体是一种电子非挥发性计算机记忆体储存媒体，在广泛范围的装置及系统中得到应用，诸如固态驱动器(solid state drive，SSD)、USB快闪驱动器、记忆卡、各种类型电子产品的机载记忆体、嵌入式记忆体等。一般而言，快闪记忆体单元的设计与标准MOSFET类似，但采用更复杂的栅极结构，具有浮动栅极及控制栅极，并包括额外的选择线或写入线。浮动栅极由绝缘体材料围绕控制，且转移至浮动栅极或自浮动栅极转移的电荷改变装置的临限电压，从而致能数据位元的储存。分离栅快闪记忆体是一种快闪记忆体类型，其中分离栅快闪记忆体单元的两个子单元共用一个公共源极。这些仅是一些快闪记忆体单元设计的非限制性实例。

技术实现思路

[0004]根据本揭露的一些实施例中，一种快闪记忆体包含一个含有多个分离栅快闪记忆体单元的线性阵列，包括沿一第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快闪记忆体，其特征在于，包含：一个含有多个分离栅快闪记忆体单元的线性阵列，包括沿一第一方向延伸的一公共源极区，所述多个分离栅快闪记忆体单元中每一者包括设置于该公共源极区的一第一侧上的一第一浮动栅极及设置于与该第一侧相对的该公共源极区的一第二侧上的一第二浮动栅极；多个第一隔离带，沿横向于该第一方向的一第二方向延伸并设置于该公共源极区的该第一侧上的所述多个分离栅快闪记忆体单元之间；多个第二隔离带，沿该第二方向延伸并设置于该公共源极区的该第二侧上的所述多个分离栅快闪记忆体单元之间；一抹除栅极线，沿该第一方向延伸并设置于该公共源极区上方的一抹除栅极线上；一第一控制栅极线，在该公共源极区的该第一侧上沿该第一方向延伸并设置于所述多个分离栅快闪记忆体单元的所述多个第一隔离带上方及所述第一浮动栅极上方，该第一控制栅极线具有近接于该公共源极区的一非直边缘，该非直边缘至少在该第一控制栅极线设置于所述多个第一隔离带上方的地方缩进远离该公共源极区；及一第二控制栅极线，在该公共源极区的该第二侧上沿该第一方向延伸并设置于所述多个分离栅快闪记忆体单元的所述多个第二隔离带上方及所述第二浮动栅极上方，该第二控制栅极线具有近接于该公共源极区的一非直边缘，该非直边缘至少在该第二控制栅极线设置于所述多个第二隔离带上方的地方缩进远离该公共源极区。2.如权利要求1所述的快闪记忆体，其特征在于，其中有以下各者中的至少一者：(i)该第一控制栅极线包括多个弯曲部分，所述多个弯曲部分在该第一控制栅极线跨越所述多个第一隔离带的地方弯曲远离该公共源极区，及/或(ii)该第二控制栅极线包括多个弯曲部分，所述多个弯曲部分在该第二控制栅极线跨越所述多个第二隔离带的地方弯曲远离该公共源极区。3.如权利要求1所述的快闪记忆体，其特征在于，其中有以下各者中的至少一者：该第一控制栅极线包括一偏移部分，该偏移部分在该第一控制栅极线跨越该线性阵列的地方偏移远离该公共源极区，及/或该第二控制栅极线包括一偏移部分，该偏移部分在该第二控制栅极线跨越该线性阵列的地方偏移远离该公共源极区。4.如权利要求1所述的快闪记忆体，其特征在于，其中有以下各者中的至少一者：该第一控制栅极线的该非直边缘在该第一控制栅极线跨越所述多个第一隔离带的地方具有多个槽口，及/或该第二控制栅极线的该非直边缘在该第二控制栅极线跨越所述多个第二隔离带的地方具有多个槽口。5.如权利要求1所述的快闪记忆体，其特征在于，其中有以下各者中的至少一者：该第一控制栅极线的该非直边缘在该第一控制栅极线跨越该线性阵列的地方具有一槽口，及/或该第二控制栅极线的该非直边缘在该第二控制栅极线跨越该线性阵列的地方具有一槽口。6.如权利要求1所述的快闪记忆体，其特征在于，其中该抹...

【专利技术属性】
技术研发人员：王舜能，陈东煌，高境鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：