FLASH存储器中集成PIP电容的结构及工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种FLASH存储器中集成PIP电容的结构及工艺方法，将浮栅、隧穿氧化层以及阱形成第一PIP电容；将控制栅、ONO层以及浮栅形成第二PIP电容，将第一PIP电容以及第二PIP电容形成并联；所述的第一多晶硅层作为两个PIP电容的公共极板。本发明专利技术通过将浮栅、控制栅以及衬底之间形成寄生的堆叠电容，并联得到更大的电容值，应用在ETOX Flash的电荷泵电路中，节省了电荷泵电路的升压级数；制造简单,无需额外的掩膜版定义。需额外的掩膜版定义。需额外的掩膜版定义。

【技术实现步骤摘要】
FLASH存储器中集成PIP电容的结构及工艺方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件设计制造领域，特别是指一种FLASH存储器中集成PIP电容的结构及工艺方法。

技术介绍

[0002]在存储器件中，存储单元的读、写、擦除都涉及到不同的操作电压，尤其是擦除操作，其编程电压往往还高于电源能够提供的电压。Pump（电荷泵）电路，也称为开关电容式电压变换器，是一种利用“快速”（flying）或“泵送”电容（非电感或变压器）来储能的DC
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DC变换器，通过电容对电荷的积累效应产生高压，使电流由低电势流向高电势。通俗来讲就是给电容充电，把电容从充电电路取下以隔离充进的电荷，然后连接到另一个电路上，传递刚才隔离的电荷。在FLASH器件中，其功能是利用“泵送电容”将电源电压升压至所需擦写电压, FLASH产品需要电荷泵充电电路提供擦写电源。 FLASH器件中的Pump电路是用多个电容来完成电压的提升，常用的电容器主要是MIM电容、MOM电容等。
[0003]MIM电容是由上下两层金属及存在两者之间的中间介质层组成,如图1所示，其制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FLASH存储器中集成PIP电容的工艺方法，其特征在于：包含：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上通过刻蚀及氧化工艺形成STI隔离沟槽以划出有源区；在所述半导体衬底中进行离子注入形成阱；再在所述半导体衬底表面依次沉积一层隧穿氧化层以及第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行掺杂及平坦化工艺；对存储单元区的STI氧化层进行刻蚀，使存储单元区的所述第一多晶硅的侧面露出；沉积ONO层并回刻蚀，将PIP电容浮栅范围以外的ONO层去除；沉积第二多晶硅层，并对所述第二多晶硅层进行回刻蚀，去除浮栅范围以外以及STI上方的所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行刻蚀，将所述的第二多晶硅层进行区域划分刻蚀，使所述的第二多晶硅层划分为两部分，刻蚀停止于所述第二多晶硅层下方的ONO层上；进行栅极侧墙刻蚀形成工艺，并通过栅极侧墙刻蚀工艺同步对所述第二多晶硅层的刻蚀所打开的区域继续进行刻蚀，去除打开区域的ONO层，所述的刻蚀停止于所述ONO层下方的第一多晶硅层上；在裸露的有源区及第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成金属硅化物；沉积层间介质，进行接触孔工艺，将所述的第一多晶硅层、第二多晶硅层以及所述的阱引出。2.如权利要求1所述的FLASH存储器中集成PIP电容的工艺方法，其特征在于：所述的半导体衬底包含硅衬底、锗硅衬底、砷化镓衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底。3.如权利要求1所述的FLASH存储器中集成PIP电容的工艺方法，其特征在于：对所述第一多晶硅层进行掺杂及平坦化工艺，由于STI隔离沟槽中的氧化硅的高度，第一多晶硅层平坦化工艺研磨停止于所述氧化硅的表面，平坦化之后剩余的所述第一多晶硅层构成存储器的浮栅。4.如权利要求1所述的FLASH存储器中集成PIP电容的工艺方法，其特征在于：对所述的第二多晶硅层进行刻蚀后，剩余保留的所述第二多晶硅层分为两部分，其中面积较大的第二多晶硅层构成存储器的控制栅；所述的控制栅与浮栅之间以ONO层隔离。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王壮壮，杜怡行，王虎，姚春，李雪健，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：