浅沟槽隔离结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，通过先在硬掩膜层上形成隔离层，隔离层覆盖硬掩膜层；然后，在隔离层上形成光刻胶层，并执行曝光工艺和显影工艺，以形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出部分隔离层；接着，以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的隔离层、硬掩膜层和衬底以形成浅沟槽；接着，去除图形化的光刻胶层；以及，在浅沟槽中填充介质层以形成浅沟槽隔离结构。通过在硬掩膜层与光刻胶层之间增加隔离层，可以使硬掩膜层与光刻胶层隔离，避免硬掩膜层中的氮化硅与光刻胶层在被曝光过程中的光酸发生酸碱中和反应，由此避免在衬底上形成残留物，从而避免造成光刻胶残留缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种浅沟槽隔离结构的形成方法。

技术介绍

1、目前，在形成浅沟槽隔离结构时，通常会采用曝光及显影工艺在衬底上形成图形化的光刻胶层。然后，利用图形化的光刻胶层的光刻胶层对衬底进行刻蚀，以形成浅沟槽。对于光刻胶层来说，在被曝光的区域，光子会被光致产酸剂吸收，光致产酸剂分解释放光酸，例如氢离子，而使被曝光区域的光刻胶层呈酸性。如图1所示，由于衬底10上的硬掩膜层包括氮化硅，其与周围环境中的水汽接触之后，在曝光工艺中，氮化硅中会分解出oh(氢氧根)离子，由于oh离子呈碱性，因此，oh离子会与光刻胶中的光酸发生酸碱中和反应，从而使被曝光区域的部分光刻胶层中不存在能与显影液发生反应的光酸，进而导致被曝光区域的部分光刻胶层不能被显影液去除，并且会在衬底10上形成光刻胶残留物11，导致光刻胶在后续的工艺中无法被彻底去除，进而造成缺陷。目前，对含有氮化硅的硬掩膜进行光刻之前，通常是在光刻胶涂布之前用氧气对氮化硅进行处理，在氮化硅与光刻胶之间增减一层氧化硅层，但该方法仅能起到一定改善作用，不能完全避免oh离子与光刻胶中的光酸发生酸碱中和反应，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材质为氮氧化硅。

3.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述隔离层。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度小于或者等于所述硬掩膜层的厚度。

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为80埃～350埃。

6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为...

【技术特征摘要】

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材质为氮氧化硅。

3.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述隔离层。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度小于或者等于所述硬掩膜层的厚度。

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为80埃～350埃。

6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰，钟鸿轩，黄乐毫，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：