半导体结构的形成方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：在基底的表面形成第一牺牲层；基底固定在一卡盘上；第一牺牲层包括多个第一刻蚀孔，且每一第一刻蚀孔暴露出基底的表面；将第一牺牲层从初始态倾斜预设角度，形成倾斜后的第一牺牲层；通过卡盘带动倾斜后的第一牺牲层持续旋转；在持续旋转的倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层。本公开实施例中，由于形成的第一初始支撑层只位于第一刻蚀孔的顶部，而不位于第一刻蚀孔的内壁中，如此，在后续通过刻蚀第一初始支撑层形成孔洞结构时，不会破坏第一刻蚀孔的形貌，进而也就不会破坏最终形成的孔洞结构的形貌。不会破坏最终形成的孔洞结构的形貌。不会破坏最终形成的孔洞结构的形貌。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]动态存储器的发展追求高速度、高集成密度、低功耗等要求。随着半导体器件尺寸的微缩，孔洞的制备是一个十分关键的技术，尤其在是动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)制造过程中，为了其孔洞值仍能达到要求，必须追求更大的孔洞深宽比。然而，相关技术中在形成高深宽比的孔洞结构时对刻蚀工艺的要求较高，高深宽比的孔洞结构的形成难度较大，无法一次性形成。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法。
[0004]本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：
[0005]在基底的表面形成第一牺牲层；其中，所述基底固定在一卡盘上；所述第一牺牲层包括多个第一刻蚀孔，且每一所述第一刻蚀孔暴露出所述基底的表面；
[0006]将所述第一牺牲层从初始态倾斜预设角度，形成倾斜后的第一牺牲层；
[0007]通过所述卡盘带动所述倾斜后的第一牺牲层持续旋转；
[0008]在持续旋转的所述倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层；
[0009]其中，所述第一初始支撑层位于所述第一刻蚀孔的顶部。
[0010]在一些实施例中，所述预设角度小于10度。
[0011]在一些实施例中，所述在持续旋转的所述倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层，包括：
[0012]调节所述卡盘与靶材之间距离为预设距离值；
[0013]采用物理气相沉积工艺，在特定的工艺参数下，在持续旋转的所述倾斜后的第一牺牲层的表面沉积支撑材料，形成所述第一初始支撑层。
[0014]在一些实施例中，所述预设距离值大于或等于60毫米。
[0015]在一些实施例中，所述特定的工艺参数包括：偏压；其中，所述偏压包括磁场偏压或电场偏压；
[0016]所述支撑材料的沉积方向与所述磁场偏压的方向相同，或者，所述支撑材料的沉积方向与所述电场偏压的方向相同。
[0017]在一些实施例中，所述倾斜后的第一牺牲层包括倾斜后的第一刻蚀孔；所述卡盘带动所述倾斜后的第一刻蚀孔持续旋转；
[0018]所述磁场偏压或所述电场偏压控制所述支撑材料向所述倾斜后的第一刻蚀孔顶部的最低区域沉积。
[0019]在一些实施例中，所述倾斜后的第一刻蚀孔的顶部包括第一区域和第二区域；
[0020]在所述第一区域旋转为所述倾斜后的第一刻蚀孔顶部的最低区域时，所述磁场偏
压或所述电场偏压控制所述支撑材料向所述第一区域沉积；
[0021]在所述第二区域旋转为所述倾斜后的第一刻蚀孔顶部的最低区域时，所述磁场偏压或所述电场偏压控制所述支撑材料向所述第二区域沉积。
[0022]在一些实施例中，所述支撑材料沿所述第一区域的边缘依次向所述第一区域的内部沉积；或者，所述支撑材料沿所述第二区域的边缘依次向所述第二区域的内部沉积。
[0023]在一些实施例中，所述特定的工艺参数还包括：腔体压力；其中，所述腔体压力大于或者等于3毫托。
[0024]在一些实施例中，所述特定的工艺参数还包括：功率；所述功率大于1千瓦。
[0025]在一些实施例中，所述第一初始支撑层的硬度大于所述第一牺牲层的硬度，且所述第一初始支撑层的硬度大于30Gpa。
[0026]在一些实施例中，所述在基底的表面形成第一牺牲层，包括：
[0027]在所述基底的表面形成第一初始牺牲层；
[0028]刻蚀所述第一初始牺牲层，直至暴露出所述基底，形成所述第一牺牲层和多个所述第一刻蚀孔。
[0029]在一些实施例中，在形成所述第一初始支撑层之后，所述方法还包括：
[0030]在所述第一初始支撑层的表面形成至少一个第二牺牲层和位于每一所述第二牺牲层表面的第二支撑层；
[0031]其中，每一所述第二支撑层和每一所述第二牺牲层均包括多个第二刻蚀孔，且每一所述第二刻蚀孔暴露出一个所述第一刻蚀孔。
[0032]在一些实施例中，在形成所述第二牺牲层之前，所述方法还包括：
[0033]将所述倾斜后的第一牺牲层和所述第一初始支撑层恢复至所述初始态；
[0034]在第一初始支撑层的表面形成所述第二牺牲层。
[0035]在一些实施例中，所述在第一初始支撑层的表面形成所述第二牺牲层，包括：
[0036]在第一初始支撑层的表面形成第二初始牺牲层；
[0037]刻蚀所述第二初始牺牲层和所述第一初始支撑层，形成所述第二牺牲层、第一支撑层和多个所述第二刻蚀孔；其中，所述第一支撑层包括所述多个第一刻蚀孔。
[0038]在一些实施例中，每一所述第一刻蚀孔与对应的所述第二刻蚀孔的孔径相等。
[0039]在一些实施例中，每一所述第一刻蚀孔和每一所述第二刻蚀孔形成通孔；所述通孔的深宽比位于15至50之间。
[0040]本公开实施例提供的半导体结构的形成方法，包括：在基底的表面形成第一牺牲层；基底固定在一卡盘上；第一牺牲层包括多个第一刻蚀孔，且每一第一刻蚀孔暴露出基底的表面；将第一牺牲层从初始态倾斜预设角度，形成倾斜后的第一牺牲层；通过卡盘带动倾斜后的第一牺牲层持续旋转；在持续旋转的倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层；第一初始支撑层位于第一刻蚀孔的顶部。本公开实施例中，通过将第一牺牲层进行倾斜和旋转，然后在持续旋转的第一牺牲层的表面形成仅位于第一刻蚀孔顶部的第一初始支撑层，由于第一初始支撑层只位于第一刻蚀孔的顶部，而不位于第一刻蚀孔的内壁中，如此，在后续通过刻蚀第一初始支撑层形成孔洞结构时，不会破坏第一刻蚀孔的形貌，进而也就不会破坏最终形成的孔洞结构的形貌。
附图说明
[0041]在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
[0042]图1a～1d为本公开实施例提供的半导体结构形成过程的一种结构示意图；
[0043]图2为本公开一实施例提供的半导体结构的形成方法的流程示意图；
[0044]图3a～3e为本公开实施例提供的第一孔洞结构的形成过程的结构示意图；
[0045]图3f～3i为本公开实施例提供的第一刻蚀孔倾斜前后的俯视图；
[0046]图4a～4d为本公开实施例提供的第二孔洞结构的形成过程的结构示意图。
具体实施方式
[0047]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：在基底的表面形成第一牺牲层；其中，所述基底固定在一卡盘上；所述第一牺牲层包括多个第一刻蚀孔，且每一所述第一刻蚀孔暴露出所述基底的表面；将所述第一牺牲层从初始态倾斜预设角度，形成倾斜后的第一牺牲层；通过所述卡盘带动所述倾斜后的第一牺牲层持续旋转；在持续旋转的所述倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层；其中，所述第一初始支撑层位于所述第一刻蚀孔的顶部。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设角度小于10度。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在持续旋转的所述倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层，包括：调节所述卡盘与靶材之间距离为预设距离值；采用物理气相沉积工艺，在特定的工艺参数下，在持续旋转的所述倾斜后的第一牺牲层的表面沉积支撑材料，形成所述第一初始支撑层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设距离值大于或等于60毫米。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述特定的工艺参数包括：偏压；其中，所述偏压包括磁场偏压或电场偏压；所述支撑材料的沉积方向与所述磁场偏压的方向相同，或者，所述支撑材料的沉积方向与所述电场偏压的方向相同。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述倾斜后的第一牺牲层包括倾斜后的第一刻蚀孔；所述卡盘带动所述倾斜后的第一刻蚀孔持续旋转；所述磁场偏压或所述电场偏压控制所述支撑材料向所述倾斜后的第一刻蚀孔顶部的最低区域沉积。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述倾斜后的第一刻蚀孔的顶部包括第一区域和第二区域；在所述第一区域旋转为所述倾斜后的第一刻蚀孔顶部的最低区域时，所述磁场偏压或所述电场偏压控制所述支撑材料向所述第一区域沉积；在所述第二区域旋转为所述倾斜后的第一刻蚀孔顶部的最低区域时，所述磁场偏压或所述电场偏压控制所述支撑材料向所述第二区域沉积。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述支撑材料沿所述第一区域的边缘依次向...

【专利技术属性】
技术研发人员：王梓杰，夏欢，闫冬，匡定东，韦钧，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：