半导体器件制造技术

本公开提供一种半导体器件，包括：衬底、支撑层和多个下电极；在支撑层和多个下电极的一个俯视图中，多个下电极在第一方向与第二方向彼此相互分离排列，同一列下电极在第二方向对准设置，任意相邻两列下电极在第一方向错位排列；在俯视图中，存在最边缘的连续四列下电极，其按照由外朝内的方向依次为第一列下电极、第二列下电极、第三列下电极和第四列下电极，第一列下电极具有第一底部位置，第二列下电极具有第二底部位置，第三列下电极具有第三底部位置，第四列下电极具有第四底部位置；其中，第一底部位置与第三底部位置在第一方向彼此对齐，第四底部位置低于第一底部位置，第二底部位置高于第一底部位置。高于第一底部位置。高于第一底部位置。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本公开属于半导体
，具体涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
[0003]动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成的一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，MOS)晶体管与一电容(capacitor)结构串联组成。
[0004]电容结构形成庞大的阵列。为提高电容结构的密度，其下电极通常成柱状或者杯状。杯状或者柱状的下电极阵列排布。边缘以及角部位置处的下电极容易坍塌或漂移。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种半导体器件。
[0006]本公开的一些技术方案提供一种半导体器件，包括：衬底、支撑层和多个下电极；在所述支撑层和所述多个下电极的一个俯视图中，所述多个下电极在第一方向与第二方向彼此相互分离排列，同一列下电极在第二方向对准设置，任意相邻两列下电极在第一方向错位排列；在所述俯视图中，存在最边缘的连续四列下电极，其按照由外朝内的方向依次为第一列下电极、第二列下电极、第三列下电极和第四列下电极，所述第一列下电极具有第一底部位置，所述第二列下电极具有第二底部位置，所述第三列下电极具有第三底部位置，所述第四列下电极具有第四底部位置；其中，所述第一底部位置与第三底部位置在第一方向彼此对齐，所述第四底部位置低于所述第一底部位置，所述第二底部位置高于所述第一底部位置。
[0007]本公开的一些技术方案提供一种半导体器件，包括：衬底、支撑层和多个下电极；在所述支撑层和所述多个下电极的一个俯视图位于XOY平面，坐标原点O位于最角部的下电极，所述多个下电极沿Y轴方向排成多列，Y轴正方向由原点O指向下一个沿Y轴对齐排列的下电极，X轴与Y轴垂直，X轴的正方向由原点O指向位于中心区域一列下电极；在所述俯视图中，沿X轴正方向第一列下电极的最底部下电极的坐标为(0,0)，沿X轴正方向第二列下电极的最底部下电极的坐标为(1，d)，沿X轴正方向第二列下电极的最底部下电极的坐标为(2,0)，沿X轴正方向第三列下电极的最底部下电极的坐标为(3，
‑
d)，沿着X轴正方向最底部的下电极以此为一个循环继续排列，其中X坐标代表下电极所在列的编号，Y坐标代表下电极在Y轴上的空间位置。
[0008]本公开的一些技术方案提供一种半导体器件，包括：衬底、支撑层和多列下电极；所述支撑层和所述多列下电极的俯视图位于XOY平面，坐标原点O位于所述支撑层的中部区域，每一列下电极中各电极沿Y轴方向排列；从至少一个角部下电极中任一个角部下电极开
始朝着指向Y轴方向，连续多列下电极的与所述任一个角部下电极同侧的端部下电极到X轴的距离单调减小随后单调增大，所述任一个角部下电极到X轴的距离为第一距离，所述连续多列下电极位于Y轴同侧，所述连续多列下电极中距离Y轴最近的一列下电极与所述任一个角部下电极同侧的端部下电极到X轴的距离为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。
[0009]本公开的一些技术方案有助于提升角部区域的下电极的结构稳定性。
附图说明
[0010]图1是本公开实施例的半导体器件中部分结构的俯视图。
[0011]图2是图1所示半导体器件沿AA线的剖视图。
[0012]图3是图1所示半导体器件沿AA线的剖视图的变式。
[0013]图4是本公开实施例的半导体器件的部分结构的俯视图中最外侧的下电极的中心连线示意图。
[0014]图5是本公开另一些实施例的半导体器件中部分结构的俯视图。
[0015]图6是本公开一实施例的版图结构的叠加示意图。
[0016]图7是本公开另一实施例的版图结构的叠加示意图。
[0017]图8至图12是本公开一实施例的半导体器件的制备方法的中间状态的示意图。
[0018]其中，附体标记为：O、坐标原点；X、X轴方向；Y、Y轴方向；1、10、衬底；11、基底；12、接触垫；13、介质层；20、特征膜层；2、40、下电极；21、虚设下电极；22、有效下电极；22a、无效分格；21a、有效分格；30、掩模层；14、3、支撑层；31、开口区域；10a、开孔；50、遮盖层；50a、开口；L、多排下电极的同侧端部下电极的中心连线；x0、边缘区域中沿Y轴方向延伸的边缘区域在X轴方向上的尺寸；y0、边缘区域中沿X轴方向延伸的边缘区域在Y轴方向上的尺寸；110、有效规则图形；120、无效规则图形；200、掩模图案；300、遮盖图案；300a、镂空区。
具体实施方式
[0019]下面结合附图所示的实施例对本公开作进一步说明。
[0020]本公开实施例提供一种半导体器件，包括：衬底1、支撑层3和多个下电极2。
[0021]参考图5，在所述支撑层3和所述多个下电极2的一个俯视图中，所述多个下电极2在第一方向与第二方向彼此相互分离排列，同一列下电极2在第二方向对准设置，任意相邻两列下电极2在第一方向错位排列相邻两列下电极(1列下电极2的水平高度与另一列下电极2的水平高度均不相同)。
[0022]在所述俯视图中，存在最边缘的连续四列下电极2，其按照由外朝内的方向依次为第一列下电极2、第二列下电极2、第三列下电极2和第四列下电极2，所述第一列下电极2具有第一底部位置，所述第二列下电极2具有第二底部位置，所述第三列下电极2具有第三底部位置，所述第四列下电极2具有第四底部位置。
[0023]其中，所述第一底部位置与第三底部位置在第一方向彼此对齐(距具有相同的水平高度)，所述第四底部位置低于所述第一底部位置，所述第二底部位置高于所述第一底部位置。
[0024]图5展示的是最左侧的连续四列下电极2的底部位置的特征。当然，最右侧的连续四列下电极2的底部也可以是满足相同的特征。
[0025]如果将该俯视图旋转180
°
，那么等效地，最左侧的连续四列下电极2的顶部位置和/或最右侧的连续四列下电极2的顶部位置也可以是满足相同的特征。
[0026]本公开的专利技术人研究发现，相关技术中，最角部的下电极2容易产生坍塌或者漂移。参考图5，本公开实施例中的左下方角部的下电极2位置相对不是最靠下的，其周围的下电极2的密度相对较大，从而有助于提高左下角角部下电极的结构稳定性。
[0027]继续参考图4，在所述俯视图中，每一列下电极2的底部位置的连线为波浪形连线，所述波浪形连线的波峰在第一方向上彼此对齐，所述波浪形连线的波谷在第一方向上彼此对齐。
[0028]具体地，在所述俯视图中，所述波浪形连线的波峰与最近邻的波谷之间设置有1个下电极2。波峰与波谷的高度差相对较小。当然，在另一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底(1)、支撑层(3)和多个下电极(2)；其特征在于，在所述支撑层(3)和所述多个下电极(2)的一个俯视图中，所述多个下电极(2)在第一方向与第二方向彼此相互分离排列，同一列下电极(2)在第二方向对准设置，任意相邻两列下电极(2)在第一方向错位排列；在所述俯视图中，存在最边缘的连续四列下电极(2)，其按照由外朝内的方向依次为第一列下电极(2)、第二列下电极(2)、第三列下电极(2)和第四列下电极(2)，所述第一列下电极(2)具有第一底部位置，所述第二列下电极(2)具有第二底部位置，所述第三列下电极(2)具有第三底部位置，所述第四列下电极(2)具有第四底部位置；其中，所述第一底部位置与第三底部位置在第一方向彼此对齐，所述第四底部位置低于所述第一底部位置，所述第二底部位置高于所述第一底部位置。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述俯视图中，每一列下电极(2)的底部位置的连线为波浪形连线，所述波浪形连线的波峰在第一方向上彼此对齐，所述波浪形连线的波谷在第一方向上彼此对齐。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述俯视图中，所述波浪形连线的波峰与最近邻的波谷之间设置有1个下电极(2)。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个下电极(2)被划分为位于中部区域的有效下电极(2，22)和位于环绕所述中部区域的边缘区域的虚设下电极(2，21)，所述支撑层(3)上设置多个开口区域(31)，所述多个开口区域(31)暴露至少部分有效下电极(2，22)中每一个有效下电极(2，22)的部分外周面，所述支撑层(3)完全环绕所述虚设下电极(2，21)的外周面，所述边缘区域呈封闭的环形；在所述俯视图中，所述有效下电极(2，22)的最小包围矩形左侧的虚设下电极(2，21)所处区域沿第一方向的尺寸为第一尺寸，所述最小包围矩形下方的虚设下电极(2，21)所处区域沿第二方向的尺寸为第二尺寸，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述俯视图中，所述支撑层(3)具有波浪形下边界，所述波浪形下边界的波峰与所述波浪形连线的波峰在第二方向上对齐，所述波浪形下边界的波谷与所述波浪形连线的波谷在第二方向上对齐。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极(2)呈实心柱状；或者所述下电极(2)呈杯状，杯状的所述下电极(2)的开口方向为远离所述衬底(1)的方向。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括覆盖所述下电极(2)以及所述支撑层(3)的介质层，以及覆盖所述介质层的上电极，所述上电极、所述介质层以及多列所述下电极(2)形成多列电容器。8.一种半导体器件，包括：衬底(1)、支撑层(3)和多个下电极(2)；其特征在于，在所述支撑层(3)和所述多个下电极(2)的一个俯视图位于XOY平面，坐标原点O位于最角部的下电极(2)，所述多个下电极(2)沿Y轴方向排成多列，Y轴正方向由原点O指向下一个沿Y轴对齐排列的下电极(2)，X轴与Y轴垂直，X轴的正方向由原点O指向位于中心区域一列下电极(2)；在所述俯视图中，沿X轴正方向第一列下电极(2)的最底部下电极(2)的坐标为(0,0)，沿X轴正方向第二列下电极(2)的最底部下电极(2)的坐标为(1，d)，沿X轴正方向第二列下电极(2)的最底部下电极(2)的坐标为(2,0)，沿X轴正方向第三列下电极(2)的最底部下电极(2)的坐标为(3，
‑
d)，沿着X轴正方向最底部的下电极(2)以此为一个循环继续排列，其中
X坐标代表下电极(2)所在列的编号，Y坐标代表下电极(2)在Y轴上的空间位置。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述多个下电极(2)被划分为位于中部区域的有效下电极(2，22)和位于环绕所述中部区域的边缘区域的虚设下电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅昭伦，陈孝炳，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：