【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二极管的制备方法,具体设计一种倒装发光二极管的 制备方法。
技术介绍
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点,在交通指示、户外 全色显示等领域有着广泛的应用，从而成为目前光电子学领域的研究热 点，尤其是利用大功率发光二极管可实现半导体固态照明，实现人类照明 史上的新的革命.研究表明实现这一历史革命突破的科学技术瓶颈是提高 发光二极管的发光效率。而提高发光二极管的发光效率的方法主要集中于对发光二极管内、外量子效率的提高。由于GaN薄膜主要异质外延生长在蓝宝石等衬底上，导 致外延薄膜的材料质量较差，影响了内量子效率的提升，而图形衬底技术 是被认为是能够提高外延薄膜材料质量，从而提高内量子效率的行之有效 的方法；另一方面，光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素,其主 要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大，导致有源 区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。目前已经提出了提高芯片光提取效率的方法，主要包括改变芯片的 几何外形，减少光在芯片内部的传播路程,降低光的吸收损耗，如采用倒 金字塔结构；控制和改变自发辐射,通...
【技术保护点】
一种倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： １）先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形； ２）在所述具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，并分别制备Ｐ电极和Ｎ电极； ３）从所述衬底的背面采用激光照射所 述衬底，使所述衬底与发光二极管结构分离，从而将所述衬底上的微结构图形转移至所述发光二极管结构中靠近Ｎ层的一侧表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜建锋，郝茂盛，李淼，周健华，潘尧波，袁根如，陈诚，李士涛，张国义，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，彩虹集团公司，北京大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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