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本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：１）先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；２）在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备Ｐ电极和Ｎ电极；３）从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离...该专利属于上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学授权不得商用。