加膜硅基太阳能电池及其加膜工艺制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种加膜硅基太阳能电池及其 加膜工艺，所述的加膜硅基太阳能电池，具有电池主体，电池主体背场涂 覆有一层铝层，所述的铝层背面设置有一层辅助增加膜，在正常工艺进 程实现产品结构的基础上，保证铝背场良好的性能提升作用完成之后， 在非高温并非破坏原电池结构性能，及电极的完整基础上在背面添加一 层附加膜，实现背面颗粒的一体化及光洁度提高。本发明专利技术通过对铝背场 硅电池的背面添加背膜，对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影 响的基础上，可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性，减弱背膜的 颗粒易脱落现象，同时对电池性能及其他结构不产生改变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，尤其是一种加膜硅基太阳能电池及其加膜工艺。
技术介绍
目前Si太阳能电池产品基本采用Al背场技术。方法为电池片背面印刷上适量的铝浆料，干燥固化之后，通过高温处理及降温过程利用Al-Si合金的固溶比例实现合金背面钝化，在实现合金背面钝化的同时实现对合金层附近的Si的p型重掺杂化并同时达到对Si片的吸杂效果。这项技术对电池的性能提高起到重要的作用。然而目前由于低厚度Si电池的市场要求，Al背浆料开始做出调整以满足电池片低应力曲度及高附着力的要求。但实际中往往未能很好的照顾好附着力的要求，使得其背面粗糙度提高，虽然Al-Si合金层与硅片良好结合保证了电池性能，但Al背膜外部由于浆料组成及烧制原因，结合度不够，其颗粒易脱落。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术通过铝背面添加膜来解决其颗粒易脱落的技术问题。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是 一种加膜硅基太阳能电池，具有电池主体，电池主体背场涂覆有一层铝层，铝层背面设置有一层辅助增加膜。可由下述三种方法来实现a、 电池片制备完成之后，对铝层的电极部分镀前掩盖，然后通过等离子体化学气相淀积技术沉积一层较厚无机膜；b、 电池片制备完成之后，对铝层的电极部分镀前掩盖，利用印刷、旋涂或电纺技术加涂一层有机膜，在IO(TC左右较低温度热处理固化；c、 电池铝层背面印刷之后，采用相同的印刷模板加印一层无机玻璃体浆料，避开电极部分，再做正面电极印刷，最后高温烧制。进一步地所述的无机膜包括Al203膜、MgO膜和Si02膜。进一步地所述的有机膜为PVA膜。本专利技术的有益效果是通过对铝背场硅电池的背面添加背膜，对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上，可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性，减弱背膜的颗粒易脱落现象，同时对电池性能及其他结构不产生改变。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步说明。图1是本专利技术的结构示意图；其中l、电池主体，2、铝层，3、辅助增加膜。具体实施例方式如图1所示， 一种加膜硅基太阳能电池，具有电池主体l，电池主体1背场涂覆有一层铝层2，铝层2背面设置有一层辅助增加膜3。本专利技术在正常工艺进程实现产品结构的基础上，保证Al背场良好的性能提升作用完成之后，在非高温并非破坏原电池结构性能，及电极的完整基础上在背面添加一层附加膜3，实现背面颗粒的一体化及光洁度提高，可由下述三种方法中任一种方法来实现a、电池片制备完成之后，对铝层2的电极部分镀前掩盖，通过等离子体化学气相淀积技术沉积一层较厚无机膜，如500nm的Al203膜、MgO膜和Si02膜；b、电池片制备完成之后，对铝层2的电极部分镀前掩盖，利用印刷、旋涂或电纺技术加涂一层有机膜，如1微米厚的PVA膜，在IO(TC左右较低温度热处理固化；c、电池铝层2背面印刷之后，采用相同的印刷模板加印一层无机玻璃体浆料，如Si02为主的玻璃类微纳米颗粒浆料，避开电极部分，再做正面电极印刷及统一的高温烧制等电池步骤。本专利技术通过对铝背场硅电池的背面添加背膜，对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上，可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性，减弱背膜的颗粒易脱落现象，同时对电池性能及其他结构不产生改变。权利要求1、一种加膜硅基太阳能电池，具有电池主体(1)，所述的电池主体(1)背场涂覆有一层铝层(2)，其特征在于所述的铝层(2)背面设置有一层辅助增加膜(3)。2、 一种权利要求1所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺，其特征 在于电池片制备完成之后，对铝层(2)的电极部分镀前掩盖，然后通过等离子体化学气相淀积技术沉积一层较厚无机膜。3、 一种权利要求1所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺，其特征 在于电池片制备完成之后，对铝层(2)的电极部分镀前掩盖，利用印刷、旋涂或电纺技术加涂一层有机膜，在IO(TC左右较低温度热处理固化。4、 一种权利要求1所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺，其特征 在于电池铝层(2)背面印刷之后，采用相同的印刷模板加印一层无机玻璃体浆料，避开电极部分，再做正面电极印刷，最后高温烧制。5、 根据权利要求2所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺，其特征 在于所述的无机膜包括Al203膜、MgO膜和Si02膜。6、 根据权利要求3所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺，其特征 在于所述的有机膜为PVA膜。全文摘要本专利技术涉及太阳能电池
，尤其是一种加膜硅基太阳能电池及其加膜工艺，所述的加膜硅基太阳能电池，具有电池主体，电池主体背场涂覆有一层铝层，所述的铝层背面设置有一层辅助增加膜，在正常工艺进程实现产品结构的基础上，保证铝背场良好的性能提升作用完成之后，在非高温并非破坏原电池结构性能，及电极的完整基础上在背面添加一层附加膜，实现背面颗粒的一体化及光洁度提高。本专利技术通过对铝背场硅电池的背面添加背膜，对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上，可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性，减弱背膜的颗粒易脱落现象，同时对电池性能及其他结构不产生改变。文档编号H01L31/042GK101510569SQ20091002614公开日2009年8月19日 申请日期2009年3月31日 优先权日2009年3月31日专利技术者吴国强 申请人:常州天合光能有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加膜硅基太阳能电池，具有电池主体（１），所述的电池主体（１）背场涂覆有一层铝层（２），其特征在于：所述的铝层（２）背面设置有一层辅助增加膜（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴国强，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32