整流电路引线框架铜带及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种整流电路引线框架铜带，引线框架铜带中各种材料的组 份为：铜材料为96.1％-98.85％，铁为1.0％-3.5％，磷为0.1％-1.0％， 镍为0.01％-0.03％，以及不可避免的极少量的其他杂质元素，该杂质元素 包括：镁、铝、锌，其中镁的组份为0.001％-0.005％，铝的组份为0.001 ％-0.05％，锌的组份为0.005％-0.01％；引线框架铜带的导电率为90.0 ％IASC，强度为360-400MPa，延伸率≥8％，维氏硬度HV110-125。本发明专利技术 的整流电路引线框架铜带导电率高以及延伸率好，同时本发明专利技术的铜带还具有强 度以及维氏硬度高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属加工
，特别是一种大功率整流电路引线框架铜带 及其制作方法。
技术介绍
大功率整流电路(KFC)用引线框架铜带是在IC集成电路引线框架铜带基础 上，根据不同集成电路对导电率指标的不同要求，综合力学性能指标要求的不 同，而研究和开发的系列铜合金引线框架铜带，国内替代进口产品的一种不断 升级的产品。目前，正在向着高强度、高导电率要求方向发展，因而势必对铜 基框架材料的综合适用条件提出更高要求，在保证一定导电率的前提下，提高 合金强度和综合力学指标是各生产企业和研究开发人员所面临的紧迫问题。引 线框架用的铜带是集成电路的重要基础材料。铜一铁一磷系合金是具有代表性 的高导电引线框架之一。目前国内的铸坯方法是半连续铸造成铜锭，淬水后， 再热轧开坯的。在半连续铸造中，炉子与炉头、结晶器之间无法密封，浇铸时 吸气、夹杂、夹渣严重，产品含氧量高、表面造渣严重，能耗大、成品率低， 生产成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种导电率高以及延伸率好的整流电路引线框架铜 带，同时本专利技术的铜带还具有强度以及维氏硬度高的优点。 实现本专利技术采目的的技术方案如下-整流电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整流电路引线框架铜带，其特征在于：所述引线框架铜带中各种材料的组份为：铜材料为９６．１％－９８．８５％，铁为１．０％－３．５％，磷为０．１％－１．０％，镍为０．０１％－０．０３％，以及不可避免的极少量的其他杂质元素，该杂质元素包括：镁、铝、锌，其中镁的组份为０．００１％－０．００５％，铝的组份为０．００１％－０．０５％，锌的组份为０．００５％－０．０１％；引线框架铜带的导电率为９０．０％ＩＡＳＣ，强度为３６０－４００Ｍｐａ，延伸率≥８％，维氏硬度ＨＶ１１０－１２５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：芮建方，徐仁金，计永飞，管卫星，钱建国，镇亚飞，
申请(专利权)人：常州金方圆铜业有限公司，
类型：发明
国别省市：32