【技术实现步骤摘要】
半导体装置技术区域本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及含有静态型半导体存储器的半 导体装置。
技术介绍
在低消耗功率用的半导体装置中，存在设置切断电源供给的待机模式(睡眠模式)的情形。待机模式中，只对存储器单元SRAM (Static Random Access Memory,静态随机访问存储器)等的保持数据所需要的 部分电路提供电源电压。例如，在特开平11 - 219589号公报中所述的SRAM中，在进行数据 保持的睡眠期间，切断存储器单元以及字线电位固定电路以外的电路的 电源电压的供给。字线电位固定电路为了防止字线电位变得不稳定而破 坏存储器单元的数据，在睡眠期间将字线固定于非选择电平。特开2006 - 252718号公报公开了在待机模式时能够以更低的消耗电 力工作的半导体存储装置。该半导体存储装置使各字线驱动器的输出节 点成高阻抗状态，以使得在待机模式时字线驱动器中不流过栅极漏电 流。又，对于每一个字线，设有将字线固定于非有效电平用的半闭锁电 路。特开平07 - 244982号公报公开了在使半导体存储装置为非有效状态 的情况下(待机模式时)抑制过度流向字线的电流用...
【技术保护点】
一种半导体装置，作为工作模式包含普通模式和待机模式，该半导体装置具备： 电源部，生成第１以及第２内部电源电压； 存储器单元阵列，包含设置为行列状且由所述第１内部电源电压驱动的多个存储器单元、以及分别对应于所述多个存储器单元的行设 置的多条字线； 多个字线驱动器，分别对应所述多条字线设置，分别由所述第２内部电源电压驱动，用于使对应的字线成有效状态； 多个第１开关，分别对应于所述多条字线设置，分别连接于对应的字线和赋予基准电压的基准节点之间； 第２开关 ，设置于对所述多个字线驱动器提供所述第２内部电源电压用的电源线上；以及...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：上利武，佐藤广利，赤井清恭，千田稔，中井宏明，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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