【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆检测装置及其检测方法
[0001]本专利技术涉及半导体检测
,尤其是一种半导体晶圆检测装置及其检测方法。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。半导体工业对于晶圆表面缺陷检测的要求,一般是要求高效准确,能够捕捉有效缺陷,实现实时检测。现有的检测装置在对晶圆检测时,需要人为将触针与晶圆接触,这种方法容易伤到触针和晶圆,存在不足。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是为了解决上述技术问题,而提供一种半导体晶圆检测装置及其检测方法。
[0004]本专利技术的技术方案:一种半导体晶圆检测装置,包括底座、驱动器、位移传感器、触针、产品固定装置和显示器,所述驱动器设置在所述底座上,所述触针设置在所述位移传感器上,所述产品固定装置设置在所述底座上,还包括:
[0005]触发检测装置,其包括连接管、滑杆、导电块、两个金 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆检测装置,包括底座(10)、驱动器(2)、位移传感器(3)、触针(4)、产品固定装置和显示器,所述驱动器(2)设置在所述底座(10)上,所述触针(4)设置在所述位移传感器(3)上,所述产品固定装置设置在所述底座(10)上,其特征在于,还包括:触发检测装置,其包括连接管(5)、滑杆(6)、导电块(7)、两个金属块(8)、三个气管(9)和发光件(11),所述滑杆(6)一端可在所述连接管(5)内滑动且其上设置有两个滑块(61),所述连接管(5)内部设置有与所述滑块(61)相适配的滑槽(51),所述导电块(7)设置在所述滑杆(6)上,两个所述金属块(8)设置在所述连接管(5)内壁上,其中一个所述气管(9)与所述连接管(5)内部相通,其余两个所述气管(9)分别与所述滑槽(51)相通,发光件(11)设置在底座(10)上,所述位移传感器(3)设置在所述滑杆(6)上;驱动装置,设置在所述驱动器(2)上用于驱动所述触发检测装置上下运动;光传感器(12),设置在底座(10)上;压力传感器(13),用于感应所述驱动装置;控制器(14)。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆检测装置,其特征在于:所述导电块(7)的厚度与所述触针(4)可使用部长度相等。3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆检测装置,其特征在于:所述产品固定装置包括支撑座(15)、两个挡板(16)、若干个弹性件(17)和两个卡板(18),两个所述挡板(16)分别设置在所述支撑座(15)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆金发,
申请(专利权)人:江西安芯美科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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