一种可提高金垫识别度的半导体封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装结构技术领域，且公开了一种可提高金垫识别度的半导体封装结构。包括衬底；封装机构，所述封装机构包括基底铜层和金垫层，所述基底铜层固定设置在衬底顶端，所述金垫层固定设置在基底铜层顶端；电磁屏蔽机构，所述电磁屏蔽机构包括缓冲层和屏蔽层，所述缓冲层设置在基底铜层顶端，所述屏蔽层环绕设置在衬底外侧。通过设置的安装块可以对金垫层进行快速定位，通过对绝缘材质的安装块进行定位即可对金垫层位置进行方便的获取，通过设置的电磁屏蔽机构可以对半导体进行有效方便，将外界电磁干扰通过金属网状结构的屏蔽层进行有效阻隔屏蔽，从而提升半导体的使用效果。用效果。用效果。

【技术实现步骤摘要】
一种可提高金垫识别度的半导体封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装结构
，具体为一种可提高金垫识别度的半导体封装结构。

技术介绍

[0002]晶圆级封装(Water Level Packaging，简称WLP)技术是以整片晶圆为包装和测试对象，完成封装后将晶圆切割成一个个独立的成品芯片的工艺流程，这与传统的芯片封装工艺有很大的不同。经WLP工艺封装出的芯片尺寸比传统工艺封装出的芯片尺寸能减小20％以上，因而WLP封装已经成为封装市场的主流。WLP封装过程中，导电柱的形成是非常重要的一道工序，该工序的质量直接关系到最终产品的电气性能。现有的WLP封装工艺制备导电柱的过程中，都是先在形成有基底铜的器件表面涂布光刻胶并进行曝光显影以定义出导电柱的位置，之后在对应导电柱的位置上的基底铜表面电镀形成镍垫层和金垫层以形成导电柱，然后再进行光刻胶剥离工艺以去除残余的光刻胶，之后再通过焊线工艺将金属引线等外部导电结构和导电柱的表面电连接，也即和金垫层的表面电连接。即现有技术中，基底铜先经历曝光显影过程，镍垫层直接形成于经曝光显影后的基底铜表面，再经光刻胶剥离和刻蚀处理后，金垫层和未被金垫层覆盖的基底铜表面的粗糙度非常相近，加上金和铜本身的颜色非常接近，导致焊线机台的黑白识别镜头难以将金垫和基底铜准确区分，因而难以将金属引线准确地键合到金垫表面，导致器件的导电性能下降甚至导致器件的完全失效。

技术实现思路

[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种可提高金垫识别度的半导体封装结构。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，包括衬底；
[0007]封装机构，所述封装机构包括基底铜层和金垫层，所述基底铜层固定设置在衬底顶端，所述金垫层固定设置在基底铜层顶端；
[0008]电磁屏蔽机构，所述电磁屏蔽机构包括缓冲层和屏蔽层，所述缓冲层设置在基底铜层顶端，所述屏蔽层环绕设置在衬底外侧。
[0009]优选的，所述封装机构还包括金属引线，所述金属引线设置在金垫层顶端，所述金属引线与金垫层之间固定连接。
[0010]优选的，所述电磁屏蔽机构还包括安装块，所述安装块设置在缓冲层顶端，所述安装块穿过屏蔽层设置，所述安装块为绝缘材质。
[0011]优选的，所述屏蔽层上设有安装孔和插槽，所述安装孔与安装块位置相互对应，所
述安装孔与安装块结构相互对应，所述插槽与金属引线位置相互对应。
[0012]优选的，所述缓冲层为铜垫层结构，所述缓冲层厚度与金垫层厚度相同，所述安装块对称设置在金垫层两侧。
[0013]优选的，所述屏蔽层为金属网状结构，所述屏蔽层与衬底之间固定连接。
[0014](三)有益效果
[0015]与现有技术相比，本技术提供了一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，具备以下有益效果：
[0016]1、该一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，通过设置的安装块可以对金垫层进行快速定位，通过对绝缘材质的安装块进行定位即可对金垫层位置进行方便的获取。
[0017]2、该一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，通过设置的电磁屏蔽机构可以对半导体进行有效方便，将外界电磁干扰通过金属网状结构的屏蔽层进行有效阻隔屏蔽，从而提升半导体的使用效果。
附图说明
[0018]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0019]图1为本技术结构示意图一；
[0020]图2为本技术结构示意图二；
[0021]图3为本技术屏蔽层结构示意图；
[0022]图中：1、衬底；2、封装机构；201、基底铜层；202、金垫层；203、金属引线；3、电磁屏蔽机构；301、缓冲层；302、屏蔽层；303、安装块；304、安装孔；305、插槽。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0024]实施例1
[0025]如图1、2所示，本技术提供了一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，包括衬底1；封装机构2，封装机构2包括基底铜层201和金垫层202，基底铜层201固定设置在衬底1顶端，金垫层202固定设置在基底铜层201顶端；封装机构2还包括金属引线203，金属引线203设置在金垫层202顶端，金属引线203与金垫层202之间固定连接；
[0026]在本实施例中，通过设置的封装结构可以对半导体进行封装，同时与金垫层202厚度相同的缓冲层301可以使封装后的半导体表面平整。
[0027]实施例2
[0028]如图1、3所示，在实施例1的基础上，本技术提供一种技术方案：电磁屏蔽机构3，电磁屏蔽机构3包括缓冲层301和屏蔽层302，缓冲层301设置在基底铜层201顶端，屏蔽层302环绕设置在衬底1外侧；电磁屏蔽机构3还包括安装块303，安装块303设置在缓冲层301顶端，安装块303穿过屏蔽层302设置，安装块303为绝缘材质；屏蔽层302上设有安装孔304和插槽305，安装孔304与安装块303位置相互对应，安装孔304与安装块303结构相互对应，
插槽305与金属引线203位置相互对应；缓冲层301为铜垫层结构，缓冲层301厚度与金垫层202厚度相同，安装块303对称设置在金垫层202两侧；屏蔽层302为金属网状结构，屏蔽层302与衬底1之间固定连接；
[0029]在本实施例中，通过设置的金属屏蔽机构可以通过金属网状的屏蔽层302对内部半导体进行防护，同时绝缘材质的安装块303可以避免屏蔽层302与基底铜层201发生接触，此外，对称设置在金垫层202两侧的安装块303可以对金垫层202进行定位，从而提升金属引线203的安装效果。
[0030]下面具体说一下该一种可提高金垫识别度的半导体封装结构的工作原理。
[0031]如图1
‑
3所示，使用时，现有技术中的导电柱的形成工艺为：形成基底铜
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光刻胶涂布
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曝光显影
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电镀镍层
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电镀金层(这个阶段的金层实质为一个个独立的导电连接结构，即金垫)，由于镍层和金垫层202的厚度都比较薄，且金垫层202的颜色和基底铜层201的颜色非常接近，因而焊线机台的黑白镜头自上而下扫描的过程中，很难识别出金垫层202(即难以将金垫层202和基底铜层201区别开来)，且由于金垫层202的表面积通常非常小，因而很难将金垫层202和其他结构电性连接，比如很难将金属引线203精准键合到金垫层202的表面，导致器件的电性能下降，对称设置的安装块3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，包括衬底(1)，其特征在于：封装机构(2)，所述封装机构(2)包括基底铜层(201)和金垫层(202)，所述基底铜层(201)固定设置在衬底(1)顶端，所述金垫层(202)固定设置在基底铜层(201)顶端；电磁屏蔽机构(3)，所述电磁屏蔽机构(3)包括缓冲层(301)和屏蔽层(302)，所述缓冲层(301)设置在基底铜层(201)顶端，所述屏蔽层(302)环绕设置在衬底(1)外侧。2.根据权利要求1所述的一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，其特征在于：所述封装机构(2)还包括金属引线(203)，所述金属引线(203)设置在金垫层(202)顶端，所述金属引线(203)与金垫层(202)之间固定连接。3.根据权利要求1所述的一种可提高金垫识别度的半导体封装结构，其特征在于：所述电磁屏蔽机构(3)还包括安装块(303)，所述安装块(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆金发，
申请(专利权)人：江西安芯美科技有限公司，
类型：新型
国别省市：