一种半导体多层芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，且公开了一种半导体多层芯片封装结构，包括：第一芯片，第一焊盘区固定连接在第一芯片的顶部，第一氧化层区固定连接在第一芯片的顶部，半导体衬底固定连接在第一芯片的底部且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二焊盘区固定连接在半导体衬底的第一表面且和第一焊盘区贴合，第二氧化层区固定连接在半导体衬底的第二表面。该一种半导体多层芯片封装结构，可以避免在芯片和衬底之间制作凸块结构并采用有机填料填充所带来的热膨胀系数差异的问题，提升了芯片封装的长期可靠性，通过引入位于对位标记之上的半密封空腔，能够保护对位标记不被塑封料挡住，消除对位失败的问题。消除对位失败的问题。消除对位失败的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体多层芯片封装结构


[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种半导体多层芯片封装结构。

技术介绍

[0002]随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型晶圆级封装技术的出现，为技术的提升提供了更广阔的发展前景。
[0003]但是如公开号CN209880544U的中国专利提到的，在扇出型多层封装结构中，塑封时所用的塑封料为遮光材料，在塑封工艺结束后，会将前层的对位标记遮挡住，导致后续的曝光、刻蚀等工艺无法找到合适的、满足高精度要求的对位标记。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种半导体多层芯片封装结构。
[0006](二)技术方案
[0007]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种半导体多层芯片封装结构，包括：<br/>[0008]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体多层芯片封装结构，其特征在于，包括：第一芯片(1)；第一焊盘区(2)，固定连接在第一芯片(1)的顶部；第一氧化层区(3)，固定连接在第一芯片(1)的顶部；半导体衬底(4)，固定连接在第一芯片(1)的底部，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第二焊盘区(5)，固定连接在半导体衬底(4)的第一表面，且和第一焊盘区(2)贴合；第二氧化层区(6)，固定连接在半导体衬底(4)的第二表面，且和第一氧化层区(3)贴合；金属层(7)，固定连接在第一芯片(1)上；盲孔(8)，开设在半导体衬底(4)的第二表面；引出层(9)，设置在半导体衬底(4)的第二表面上，通过所述盲孔(8)与所述第二焊盘区(5)电连接；引脚(10)，固定连接在引出层(9)的底部；封装层(11)，设置在所述半导体衬底(4)的第一表面，包封所述第一芯片(1)和半导体衬底(4)的第一表面；介质层(12)，固定连接在第一芯片(1)的顶部；金属互连结构(13)，固定连接在半导体衬底(4)的顶部；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆金发，
申请(专利权)人：江西安芯美科技有限公司，
类型：新型
国别省市：