一种测试结构及其测试方法技术

本发明专利技术提供一种测试结构及其测试方法，测试结构包括依次堆叠设置的第一极板结构、介质层和第二极板结构，第一极板结构包括第一绝缘层以及嵌设在第一绝缘层中的第一电极层，介质层包括第一部分以及环设在第一部分外侧的第二部分，第二极板结构包括第二电极层，第一电极层和第二电极层正对设置，第一部分位于第一电极层和第二电极层之间，在第一电极层侧，第一绝缘层覆盖第二部分，第一绝缘层中形成有多个释放孔，所有释放孔间隔环绕在第一部分外侧，测试结构在牺牲层释放空腔结构工艺前后能够通过测试机台自动量测并获得牺牲层的侧掏距离，从而提高了侧掏距离的量测精度和测试效率，节省了测试时间和人力成本。节省了测试时间和人力成本。节省了测试时间和人力成本。

【技术实现步骤摘要】
一种测试结构及其测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种测试结构及其测试方法。

技术介绍

[0002]现有MEMS器件均有通过湿法腐蚀工艺刻蚀牺牲层的牺牲层释放空腔结构工艺，以在牺牲层释放形成所需空腔结构，在该工艺时需要监控在牺牲层中形成侧掏的侧掏距离。通常，监控湿法腐蚀工艺的侧掏距离需通过光学量测手段来完成，而现有的量测侧掏距离所需的测试结构均需要使用光学显微镜来完成，该量测为人工量测，使得量测误差较大，且费事费力，同时，当前的测试结构难以精确测试，只能进行大致判断，存在人为误差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于，提供一种测试结构及其测试方法，可以全自动监测牺牲层释放空腔结构工艺的侧掏距离，从而降低了人工成本，提高了量测精度。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供一种测试结构，能够在牺牲层释放空腔结构工艺前后通过测试机台进行自动量测，所述测试结构包括由下至上依次堆叠设置的第一极板结构、介质层和第二极板结构，
[0005]所述第一极板结构包括第一绝缘层以及嵌设在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，能够在牺牲层释放空腔结构工艺前后通过测试机台进行自动量测，其特征在于，所述测试结构包括由下至上依次堆叠设置的第一极板结构、介质层和第二极板结构，所述第一极板结构包括第一绝缘层以及嵌设在所述第一绝缘层中的第一电极层，所述介质层包括第一部分以及环设在所述第一部分外侧的第二部分，所述第二极板结构包括第二电极层，所述第一电极层和第二电极层正对设置，所述第一部分位于所述第一电极层和第二电极层之间，在所述第一电极层侧，所述第一绝缘层覆盖所述第二部分，且所述第一绝缘层中形成有多个释放孔，所有所述释放孔间隔环绕在所述第一部分的外侧。2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二极板结构还包括第二绝缘层，所述第二电极层嵌设在所述第二绝缘层中，且在所述第二电极层内侧，所述第二绝缘层覆盖所述第二部分。3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层均为多晶硅材料层，所述第一绝缘层和第二绝缘层均为氮化硅材料层，所述介质层为氧化硅材料层。4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一电极层、第一部分和第二电极层的形状相同，横截面积相同。5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所有所述释放孔等间距设置在所述第一部分的外侧。6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述释放孔的直径大于相邻两个所述释放孔之间的间距。...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅思宇，闾新明，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：