定位测试结构的断路失效点的方法技术

本发明专利技术公开了一种定位测试结构的断路失效点的方法，包括：步骤一、提供形成有测试结构的样品；测试结构的第一和第二金属层图形通过各通孔形成一个串联电阻结构，串联电阻结构的两端的第二金属层图形组成第一和第二测试端；将各测试端顶部的金属扩散阻挡层去除以使各测试端露出；步骤二、对样品进行第一次主动电压衬度测试以显现出断路点并在断路点的邻近位置上做第一划痕标记；步骤三、在样品上的第一划痕标记处形成镀膜标记；步骤四、对样品进行第二次主动电压衬度测试以显现出断路点并以镀膜标记的位置为参考位置定位出断路点的相对位置。本发明专利技术能通过主动电压衬度测试实现对断路点的精确定位，适用于对面积较大的测试结构的断路点定位。结构的断路点定位。结构的断路点定位。

【技术实现步骤摘要】
定位测试结构的断路失效点的方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种定位测试结构的断路失效点的方法。

技术介绍

[0002]断路是最为常见的电路失效表现之一，这主要是源自于设计问题和工艺问题。断路测试是半导体制造过程中晶圆允收测试(wafer acceptance test，WAT)的常见测试项目，通过测试整条测试结构的电阻值来判断是否发生断路问题。如果发生断路问题，需要利用失效分析(failure analysis，FA)手段找到断路点并推断出导致断路的根本原因。失效分析分为电性分析和物性分析，对于断路问题，通常是以电性分析为切入点，利用专业的电性失效定位设备来实现对断路点的定位，然后利用物性分析设备确定断路的物理表现，推导出断路的根本原因，其中断路点的定位是一个非常关键的步骤。
[0003]线上监控电路断路失效的测试结构包括多种，其中一种为链状测试结构，即测试结构呈链状结构。如图1A所示，是现有链状测试结构的俯视结构图；如图1B所示，是图1A的现有链状测试结构的剖面结构图；所述测试结构101包括由下层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种定位测试结构的断路失效点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供形成有测试结构的样品；所述测试结构包括由下层结构、中间层和上层结构，所述下层结构包括多个第一金属层图形，所述中间层包括多个通孔，所述上层结构包括多个第二金属层图形，各所述第一金属层图形和各所述第二金属层图形通过各所述通孔形成一个串联电阻结构，所述串联电阻结构的两端的所述第二金属层图形组成第一测试端和第二测试端；所述下层结构的各所述第一金属层图形之间通过下层层间膜隔离；所述上层结构的各所述第二金属层图形以及所述中间层的各所述通孔之间通过上层层间膜隔离；在所述上层结构中还包括金属扩散阻挡层，所述金属扩散阻挡层覆盖在所述第二金属层图形和所述上层层间膜表面；将所述样品的所述测试结构中所述第一测试端和所述第二测试端顶部的所述金属扩散阻挡层去除以使所述第一测试端和所述第二测试端露出；步骤二、对所述样品进行第一次主动电压衬度测试以显现出所述测试结构的断路点，在所述断路点的邻近位置上做第一划痕标记，之后结束所述第一次主动电压衬度测试；步骤三、在所述样品上找到所述第一划痕标记并在所述第一划痕标记处形成镀膜标记；步骤四、对所述样品进行第二次主动电压衬度测试以显现出所述断路点，以所述镀膜标记邻近所述断路点的特点，以所述镀膜标记的位置为参考位置定位出所述断路点的相对位置。2.如权利要求1所述的定位测试结构的断路失效点的方法，其特征在于：所述第一次主动电压衬度测试在纳米探针台中实现。3.如权利要求2所述的定位测试结构的断路失效点的方法，其特征在于：所述第二次主动电压衬度测试在所述纳米探针台中实现。4.如权利要求3所述的定位测试结构的断路失效点的方法，其特征在于：所述纳米探针台中包括多个纳米探针；在步骤二和步骤四中，第一纳米探针连接所述第一测试端和所述第二测试端中的一个，第二纳米探针连接所述第一测试端和所述第二测试端中的另一个，所述第一纳米探针输入第一电压，所述第二纳米探针输入第二电压，所述第一电压和第二电压具有差值从而在所述第一测试端和所述第二测试端的所述串联电阻结构中构建电压差。5.如权利要求4所述的定位测试结构的断路失效点的方法，其特征在于：步骤二中，所述第一划痕标记通过第三纳米探针进行刮擦得到。6.如权利要求5所述的定位测试结构的断路失效点的方法，其特征在于：步骤二中，在形成所述第一划痕标记后还包括：平...

【专利技术属性】
技术研发人员：武城，段淑卿，高金德，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：