沟渠式金氧半导体元件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法。首先，提供一半导体底材；随后，制作多个栅极沟渠于此半导体底材内；接下来，制作一侧壁保护层于栅极沟渠的侧壁，并以此侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至栅极沟渠的底部，藉以在栅极沟渠的底面生成一底部氧化层，以达到降低栅极至漏极的电容值的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，尤其是一种低栅极电荷的。
技术介绍
相较于传统的平面式金氧半导体元件，电流走向是沿着平行于基材表面的走向， 沟渠式金氧半导体(MOS)元件将栅极设置于沟槽内，改变金氧半导体元件的信道位置，而 使得金氧半导体元件的电流走向垂直于基材。藉此，可以缩小元件的尺寸，提高元件的 积极度，而有利于降低制作成本。常见的金氧半导体元件包括金氧半导体场效应晶体管 (MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。金氧半导体元件在运作过程中主要的能量损耗来源包括导通电阻造成的导通损 失，以及导因于栅极电荷的切换损失。随着元件操作频率的提高，切换损失所占的比重也就 越重。一般而言，可透过降低金氧半导体元件的栅极至漏极的电容值(Cgd)以改善切换速 度，降低切换损失。不过，为了降低金氧半导体元件的栅极至漏极的电容值，往往会大幅增 加金氧半导体元件的制程的复杂度，而造成制作成本的提高。因此，寻找一个简单的制作方法，降低金氧半导体元件的栅极至漏极的电容值，是 本
一个重要的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，可以降低栅极至 漏极的电容值以降低切换损失。本专利技术的其它目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体底材；制作多个栅极沟渠于所述半导体底材内；制作多个侧壁保护层于所述栅极沟渠的侧壁；以这些侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至所述栅极沟渠的底部；生成一底部氧化层于所述栅极沟渠的底面；生成一栅极氧化层于所述栅极沟渠的侧壁；制作多个多晶硅栅极于这些栅极沟渠内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶俊莹，
申请(专利权)人：尼克森微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]