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本发明公开了一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法。首先，提供一半导体底材；随后，制作多个栅极沟渠于此半导体底材内；接下来，制作一侧壁保护层于栅极沟渠的侧壁，并以此侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至栅极沟渠的底部，藉以在栅极沟渠的底面生成一底部氧化...
该专利属于尼克森微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过尼克森微电子股份有限公司授权不得商用。

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