半导体器件及其制造方法技术

在半导体器件及其制造方法中，在衬底上形成硬掩模层，蚀刻所述硬掩模层和衬底的一部分以形成在侧壁具有突出部分的沟槽，和形成掩埋于沟槽中的绝缘层以形成在侧壁具有突出部分的器件隔离区，其中所述器件隔离区减小有源区一部分的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及半导体器件并且更具体涉及半导体器件中的晶体管， 及其制造方法。
技术介绍
近来，随着半导体器件高度集成，设计规则不断减小。减小的设计规 则通常导致限制如短沟道效应和结漏电流。这样的限制经常劣化半导体器 件的刷新特征。因此，典型方法从通常的平面型结构进一步U并引入各 种晶体管结构，包括凹陷型结构、鳍型结构和鞍鳍型结构。制造凹陷型晶体管包括蚀刻有源区至一定深度和在衬底上形成栅电极 以增加沟道长度和减小结漏电流。制造鳍型晶体管包括蚀刻器件隔离区至一定深度4吏得有源区的上部突 出和在与有源区交叉的衬底上形成栅极线。从器件隔离区的表面垂直突出 的有源区的上部在下文中称为鳍型有源区。在如上所述制造的鳍型晶体管 中，鳍型有源区的三个侧面^^i^极线包围，这进而增加沟道长度和改善存 储器件的电流驱动能力。制造鞍鳍型(saddle fin type)晶体管包括来自上述制造凹陷型晶体管 和鳍型晶体管两者的方法的一个或更多个步骤。因此，沟道长度可增加， 结漏电流可减小，并且存储器件的电流驱动能力可改善。在以下描述中， 详细说明制造典型鞍鳍型晶体管的方法和相关的限制。图1A 3C说明在制造典本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：　在衬底上形成硬掩模层；　蚀刻所述衬底和所述硬掩模层的一部分，以形成在侧壁具有突出部分的沟槽；和　形成掩埋于所述沟槽的绝缘层，以形成在侧壁具有突出部分的器件隔离区，　其中所述器 件隔离区减小有源区的一部分宽度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵瑢泰，李海朾，金殷美，李京效，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]