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在半导体器件及其制造方法中，在衬底上形成硬掩模层，蚀刻所述硬掩模层和衬底的一部分以形成在侧壁具有突出部分的沟槽，和形成掩埋于沟槽中的绝缘层以形成在侧壁具有突出部分的器件隔离区，其中所述器件隔离区减小有源区一部分的宽度。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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