半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其是涉及在基板上形成 有半导体元件层的半导体元件以及其制造方法。
技术介绍
历来众所周知作为在基板上形成有半导体元件层的半导体元件有 发光二极管元件或半导体激光元件等。此已在例如特开平11一21479 号公报上公开。在上述特开平11一214798号公报上公开了在氮化物类半导体基板 上形成有多个氮化物类半导体层的氮化物类半导体激光元件。具体讲， 在上述特开平11一21479S号公报上公开的氮化物类半导体激光元件 上，在n型GaN基板上顺序形成n型氮化物类半导体层、由氮化物类 半导体形成的发光层、以及P型氮化物类半导体层。而且，在P型氮 化物类半导体层上形成作为电流通路部的脊(ridge)部的同时，在脊 部上形成P侧电极。此外，在n型GaN基板的背面形成n侧电极。在上述的基板背面上形成电极的半导体元件中，在基板背面存在 错位时，在基板背面存在错位的区域因流过电流产生泄漏电流。因此， 在上述特开平11-214798号公报中，通过由横方向生长制作n型GaN 基板，降低n型GaN基板上存在的错位。作为具体的基板制作方法， 首先，在兰宝石基板上预定部分上形成掩模层后，以该掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，其特征在于，包含：　至少在背面一部分上具有错位集中的背面区域的基板；　在所述基板的表面上形成的半导体元件层；　在所述错位集中的所述背面区域上形成的绝缘膜；以及　以与所述错位集中的所述背面区域以外的所述 基板的背面的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：畑雅幸，户田忠夫，冈本重之，井上大二朗，别所靖之，野村康彦，山口勤，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]