氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法，是在氮化镓膜层上形成导电透明膜，再在该导电透明膜上利用离子扩散方式，以在氮化镓膜层表层上形成电气特性相反的透明导电异质接口，以及在该透明导电异质接口的表面铺设一金属厚膜，以用于后续制程打线，因此使用上述的离子扩散方式利用电子、电子空穴的穿隧效应，改善该异质接口的费米能阶位置以形成一欧姆接触电极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种导电氧化膜欧姆电极的制作方法，特别是涉及一种以离子扩散方式在氮化镓膜层上形成一导电氧化膜欧姆电极。
技术介绍
氮化镓(GaN)系列材料，在紫外光波段与蓝绿光波段具有直接带隙(direct band gap，Eg)，因此可以作为高效率的白光与可见光源。目前已商品化的产品有蓝、绿、紫外光与白光发光二极管(WhiteLight-Emitting Diode)，以及蓝紫光波段的激光二极管(Laser Diode，LD)。由于氮化镓系列材料的能阶与电子亲合性(electron affinityχ)值相当高，以氮化镓为例，Eg＝3.4eV、χ＝2.9eV。因此在形成金属接触电极时，尤其是在p型氮化镓(p-GaN)要形成欧姆接触电极时，必须利用具备高功函数(work functionφm)的金属，如镍Ni(φm＝5.15eV)、金Au(φm＝5.1eV)、钯Pd(φm＝5.12eV)、铂Pt(φm＝5.65eV)、钌Ru、铱Ir等，以利于电子空穴由金属电极经由电子空穴注入(hole injection)至p型氮化镓。在现有技术中，如日亚化学公司Nichia chemical 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法，是在氮化镓膜层（１０）上形成导电透明膜（２０），其特征在于以下步骤：（ａ）在所述氮化镓膜层（１０）表面形成一具有高功函数的所述导电透明膜（２０）；（ｂ）在所述导电透明膜（２０）上利 用离子扩散方式，以在所述氮化镓膜层（１０）表层上形成电气特性相反的透明导电异质接口（２１）；以及（ｃ）在所述透明导电异质接口（２１）的表面铺设一金属厚膜（３０），以用于后序制程打线；因此使用所述离子扩散方式利用电子、电子空穴 的穿隧效应，使所述异质接口（２１）形成一欧姆接触电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭隆瀚，巫汉敏，王菘豊，张家玮，林晋逸，
申请(专利权)人：泰谷光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]