透明电极、OLED器件和透明电极制备方法技术

本发明专利技术公开一种透明电极，包括基板、金属网栅、金属纳米线和导电聚物，其中：金属网栅形成于基板上；金属纳米线形成于金属网栅上，导电聚物形成于金属纳米线上；或者金属纳米线和导电聚合物共混体系，形成于金网栅上。上述透明电极能够有效改善发光不均匀的现象，同时简化了制备工艺。另外，本发明专利技术还公开了一种OLED器件和透明电极制备方法。

Transparent electrode, OLED device and method for preparing transparent electrode

The invention discloses a transparent electrode, which comprises a substrate, metal mesh, metal nanowires and conductive polymer, wherein the metal mesh is formed on the substrate; the metal nanowires formed on the metal mesh, conductive polymers formed in metal or metal nano line; nano wire and conductive polymer blends, formed in the KingNet gate. The transparent electrode can effectively improve the uneven luminescence phenomenon and simplify the preparation process. In addition, the invention also discloses a OLED device and a transparent electrode preparation method.

【技术实现步骤摘要】
透明电极、OLED器件和透明电极制备方法
本专利技术涉及OLED器件领域，尤其涉及一种透明电极、OLED器件和透明电极制备方法。
技术介绍
随着OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)照明屏体尺寸增大，透明阳极方阻变大，电压的梯度性变大。OLED照明屏体上距离电源供给点越远的部分，电压降越明显，导致整个屏体上压降分布不均匀，最终屏体会出现较为明显的亮度不均匀的现象。一种解决上述问题的方法是在透明ITO阳极上增加制备金属网栅。而在ITO阳极上制备金属网栅后，需要在金属网栅上制作绝缘薄膜。然后通过曝光、显影等工艺流程制备出绝缘薄膜的图案，将金属网栅的边界包裹，以避免金属网栅与阴极导通。上述方法的工艺流程较为繁琐。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种制备工艺简单的透明电极。一种透明电极，包括基板、金属网栅、金属纳米线和导电聚合物，其中：所述金属网栅形成于所述基板上；所述金属纳米线形成于所述金属网栅上，所述导电聚合物形成于金属纳米线上；或所述金属纳米线和导电聚合物共混体系，形成于金属网栅上。在其中一个实施例中，所述金属网栅的形状为栅栏结构或栅格结构，在其中一个实施例中，所述金属网栅的厚度为100nm～200nm，所述金属纳米线的厚度为200nm～700nm，所述导电聚合物的厚度为30nm～170nm。在其中一个实施例中，所述金属网栅的材质为铝、银、铜、钼或合金。在其中一个实施例中，所述导电聚合物为PEDOT:PSS。本专利技术还提出一种OLED器件，包括阳极层、有机层和阴极层，所述阳极层为上述任意一种透明电极。本专利技术还提出一种透明电极制备方法，包括如下步骤：在基板上形成金属网栅层；在所述金属网栅层上形成金属纳米线和导电聚合物层。在其中一个实施例中，所述形成金属网栅的步骤包括：在所述基板上沉积金属导电膜；刻蚀所述金属导电膜形成所述金属网栅层。在其中一个实施例中，所述在所述金属网栅层上形成金属纳米线和导电聚合物的步骤包括：在所述金属网栅层上形成所述金属纳米线；在所述金属纳米线上形成所述导电聚合物。在其中一个实施例中，所述在所述金属网栅层上形成金属纳米线和导电聚合物的步骤包括：在所述金属网栅层上形成金属纳米线和导电聚合物，且所述金属纳米线与所述导电聚合物形成共混层。在其中一个实施例中，通过湿法制备所述金属纳米线和所述导电聚合物。上述透明电极，包括基板、金属网栅、金属纳米线和导电聚合物。金属网栅形成于基板上。金属纳米线形成于金属网栅上；导电聚合物形成于金属纳米线上；或金属纳米线与导电聚合物共混体系，形成于金属网栅上。金属网栅的导电性较好，且金属网栅的结构还能够缩短电流的流经途径，降低电极的方阻，进而改善发光不均匀的现象。同时利用金属纳米线和导电聚合物，较好的覆盖了金属网栅，能够有效避免OLED器件中透明电极与阴极层发生短路，同时不需要制备现有技术中的包裹金属网栅的绝缘层，也不需要制备现有技术中的透明ITO阳极，简化了制备工艺。附图说明图1为本专利技术透明电极一个实施例的结构示意图；图2为本专利技术透明电极一个实施例中的金属网栅结构的正方形示意图；图3为本专利技术透明电极一个实施例中的金属网栅结构的正六边形示意图；图4为本专利技术透明电极制作方法一个实施例的流程示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本专利技术透明电极、OLED器件和透明电极制备方法的具体实施方式进行说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参见图1，一个实施例中，透明电极可以包括基板100、金属网栅200、金属纳米线300和导电聚合物400。其中，金属网栅200形成于基板100上；金属纳米线300形成于金属网栅200上，所述金属纳米线300整面覆盖于金属网栅200，不需要图形化处理；导电聚合物400形成于金属纳米线300上，所述导电聚合物400作为空穴注入层的同时，还可以起到平坦化金属纳米线300的作用。该透明电极中，金属网栅200和金属纳米线300一起起到阳极的作用，由于金属网栅200的导电性较好，且金属网栅200的特定结构还能够缩短电流的流经途径，降低阳极的方阻，进而改善发光不均匀的现象。同时金属纳米线300和导电聚合物400，较好的覆盖了金属网栅200，能够有效避免OLED器件中透明电极与阴极层发生短路，同时不需要制备现有技术中的包裹金属网栅的绝缘层，也不需要制备现有技术中的透明ITO阳极，简化了制备工艺。另外，在其他实施例中，还可以是金属纳米线300和导电聚合物400共混体系，形成于金属网栅200上。优选的，金属网栅200的形状可以为现有技术中的金属网栅结构。例如，金属网栅200的形状可以为栅栏结构或栅格结构。其中，栅格结构的图案可以为圆形、正方形、长方形或正多边形。参见图2，栅格结构的图案为正方形。参见图3，栅格结构的图案为正六角蜂窝形。进一步的，金属网栅200的厚度可以为100nm～200nm之间的任意值。金属网栅200的厚度在此范围内，具有较优的导电效果。若金属网栅200的厚度较小，则其电阻会较大，改善亮度均匀性的效果则不够好。若金属网栅200的厚度较大，由于金属网栅200不透明，因此会阻碍部分光线的传输，影响发光强度。另外，金属纳米线300的厚度可以为200nm～700nm之间的任意值。且金属纳米线300为透明的，不阻碍光线的传输。金属纳米线300可以为网状的结构。导电聚合物400的厚度可以为30nm～170nm之间的任意值。导电聚合物400形成于金属纳米线300上，或者与金属纳米线300形成共混层，且其表面较为平坦。同样的，导电聚合物40也为透明的不阻碍光线的传输。金属纳米线300和导电聚合物400将金属网栅200覆盖，能够有效防止在使用该透明电极的OLED器件中，该透明电极与阴极接触导致的短路。同时，还不需要制备现有技术中的包裹金属网栅的绝缘层，简化了制作工艺流程。本实施例中，金属纳米线300的材质可以为铝、银、铜、金、镍和钼中的一种，也可以为合金。金属纳米线300的材质优选为银、铜、钼或合金，成本较低。另外，导电聚合物400可以为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)、聚(苯乙烯磺酸)或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。其中，聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)即为PEDOT:PSS。上述透明电极，包括基板100、金属网栅200、金属纳米线300和导电聚合物400。其中，金属网栅200形成于基板100上；金属纳米线300形成于金属网栅200上；导电聚合物400形成于金属纳米线400上，或金属纳米线300与导电聚合物400共混，形成于金属网栅200上。该透明电极中，金属网栅200的导电性较好，且金属网栅200的特定结构还能够缩短电流的流经途径，降低阳极的方阻，进而改善发光不均匀的现象。同时利用金属纳米线300和导电聚合物400，较好的覆盖了金属网栅200，能够有效避免OLED器件中透明电极与阴极层发生短路，且不需要制备现有技术中的包裹金属网栅的绝缘层，也不需要制备现有技术中的透明ITO阳极，简化了制作工艺。本专利技术的实施例中还提出一种OLED器件，包括阳极层、有机层和阴极层。有机层形成于阳极层上，阴极层形成于有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明电极，其特征在于，包括基板、金属网栅、金属纳米线和导电聚合物，其中：所述金属网栅形成于所述基板上；所述金属纳米线形成于所述金属网栅上，所述导电聚合物形成于所述金属纳米线上；或者所述金属纳米线和导电聚合物共混体系，形成于所述金属网栅上。

【技术特征摘要】
1.一种透明电极，其特征在于，包括基板、金属网栅、金属纳米线和导电聚合物，其中：所述金属网栅形成于所述基板上；所述金属纳米线形成于所述金属网栅上，所述导电聚合物形成于所述金属纳米线上；或者所述金属纳米线和导电聚合物共混体系，形成于所述金属网栅上。2.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述金属网栅的厚度为100nm～200nm，所述金属纳米线的厚度为200nm～700nm，所述导电聚合物的厚度为30nm～170nm。3.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述金属网栅的材质为铝、银、铜、钼或合金。4.根据权利要求1至3任意一项所述的透明电极，其特征在于，所述导电聚合物为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)PEDOT:PSS。5.一种OLED器件，包括阳极层、有机层和阴极层，其特征在于，所述阳极层为权利要求1至4任意一项所述的透明电极。6.一种透...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳玲，刘嵩，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32