本发明专利技术提供一偏压电路的启动电路，此启动电路利用一开关提供一致动信号以将偏压电路拉升于零状态外，开关受到来自外部的脉冲供应器或结合的脉冲产生器的一脉冲驱动，于此脉冲后，偏压电路进入一稳定操作状态，且启动电路停止操作。因此启动电路具有大范围的电压供应、无待机电流、短的启动时间以及简单电路设计等的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种启动电路，其不消耗待机电流，可应用于大范围的电 压供应。
技术介绍
启动电路用以将一零状态(也称作零电流状态)的偏压电路拉升至一稳 定操作状态以致动一电子装置。理想的启动电路要求没有待机电流、电路设 计简单、应用于大范围的供应电压且启动时间短。图l为一偏压电路的示意图，用以配合以下段落说明一传统偏压电路。偏压电路100—端连接一电压VCC的电压源，另一端则接地。偏压电路100包含 一左桥臂(left leg)与一右桥臂以形成一以电流镜为本(current-mirror-based)的 偏压电路。左桥臂包含一p型通道金属氧化物硅场效晶体管(PMOS) MP,及一n 型通道金属氧化物硅场效晶体管(NMOS) MNp右桥臂则包含一对应的PMOS MP2、 NMOS MN2及一偏压电阻器Rb^。 NMOS MN!的栅极与漏极于一端点V 耦合以形成拟二极管NMOS(diode connected NMOS)。 PMOS MP2的栅极与漏 极于一端点P耦合以形成拟二极管PMOS(diode connected PMOS)。 PMOS MP2 与PMOS MP!的两栅极相互耦合，NMOS MN,与NMOS ,2的两栅极也 相互耦合。当于端点V提供一启动电压以驱动左桥臂的NMOS MN,时，在右桥臂上 将有一感应电流以开启NMOS MN2，并降低端点P的电压以开启PMOS MP2 与PMOS MP,。结果，偏压电路进入一稳定操作状态。当偏压电路已经进入 一稳定操作状态时，由启动电路供应启动电压，然后启动电路随即应该关闭。 当供应电压下降时，启动电路将无法产生如同高供应电压时的电流，如此将 增加启动时间。现今已经提出许多不同态样的启动电路，但有些启动电路无法满足大范 围的电压供应要求或是没有待机电流的要求，有些启动电路则无法满足较短 的启动时间要求或是简单电路设计的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的之一提供一启动电路以驱动一偏压电路从一零状态至一稳 定操作状态。此启动电路利用一开关耦合至偏压电路， 一旦此开关接受一电 压脉冲时，其将送出一致动信号以致动偏压电路。其中开关利用一脉冲产生器(pulse genemtor)或是连接至一脉冲供应器(pulse supply),脉冲产生器或脉 冲供应器则可接收一致能电压(enable voltage)后将致能电压转换成一 电压脉 冲以提供脉冲给开关。本专利技术的设计提供一偏压电路的一启动电路，其具有无待机电流、简单 电路设计、较短启动时间以及大范围的供应电压等优点。附图说明图l为一习知的偏压电路示意图； 图2与图3为根据本专利技术实施的基本电路示意图4a与图4b为根据本专利技术不同实施例所实现的脉冲产生器电路示意图； 图5a与图5b为根据本专利技术不同实施例，分别对应至第4a图与第4b图的开 关电路图示意图。主要元件符号说明 100vccMP" MP2、画、画2、 SNP，V300200偏压电路 电压SP 金属氧化物硅场效晶体管端点开关脉冲产生器x!、 x2、 x3、 x4 非门R 电阻c 电容EN 致能电压电压脉冲S2 反相的电压脉冲VH 电压具体实施例方式图2为启动电路到偏压电路的一示意图。如图所示，启动电路包含一开关 300耦合至偏压电路100。开关300接收一脉冲，举例来说，来自一脉冲供应器 的脉冲将开启开关300，开关300将送出一致动信号以致动偏压电路100。脉冲 过后，开关300将随即关闭以停止启动电路的操作。图3为本专利技术的一实施例，说明启动电路与偏压电路100的连接示意图。 启动电路包含一脉冲产生器200及一开关300。脉冲产生器200接收一致能电 压，图3上标示为EN，并且稍后送出至少一脉冲电压以控制开关300。不同的 脉冲产生器200实施例分别显示于图4a与图4b，不同的开关300则显示于图5a 与图5b。一脉冲产生器的实施例显示于图4a，脉冲产生器包含一电阻R、 一电容C、 三个非门X,、 X2、 X3(也称为反向器(inverter))以及一或非门，其中或非门进 行"not或"的运算，在图上标示为NOR。电阻R的输出端连接电容C以形成一 RC电路，其可延迟一期间的致能电压EN，并且于稍后形成一阶梯波形(step waveform)的电压。电容C的另一端接地。称为电阻输入端的电阻R的另一端接 收致能电压EN。在电阻R及或非门的一输入端之间的第一非门X,及第二非门X2 以串联方式连接。串联的非门X,及X2能够锐化阶梯波形电压，此时称此电压 为第一阶梯波形电压。第三非门X3连接至电阻R的输入端，其输出端则连接至或非门的另 一输入端。第三非门X3提供相对于第一阶梯波形电压的一反相的第二阶梯波形电压。经过或非门的逻辑运算后，在或非门的输出端产生一电压脉冲S,，如图4a上所示。 第一阶梯波形电压的前缘及第二阶梯波形电压的前缘之间的时间差为电 压脉冲S,的宽度，其也称为电压脉冲Si的工作时间(duty time)。电压脉冲S,的 宽度应该尽量小但需足够长以致动偏压电路，最佳化的宽度可以从调整电阻R 与电容C得到。因此，电流的消耗与启动时间可以减低至最小。另一脉冲产生器200的实施例显示于图4b。相较于图4a，第四非门X4连接至或非门的输出端，第四非门X4送出相对于电压脉冲S，的另一反相电压脉冲S2，在图4b中分别标示为S,、 S2。在图5a与图5b中，P及V分别表示开关至偏压电路的耦合点。当开关的耦 合点P连接至图1中偏压电路的节点P时，开关的耦合点V可以耦合至图1中偏压 电路的节点V或是一电压VL的外部连接点，其中电压VL小于耦合点P上的电 压，例如，将开关的耦合点V接地。或是当开关的耦合点V连接至图1中偏压电路的节点V时，开关的耦合点P连接至图1中偏压电路的端点P或具电压VH的外部连接点，其中电压VH高于耦合点V上的电压，例如，将耦合至电压VCC的 电压源。图5a中一实施例开关300与图4a中的脉冲产生器200相配合。开关300包含 一标示为SN的n型通道金属氧化物硅场效晶体管(NMOS)。 NMOS SN的栅极 连接至一或非门的输出以接收电压脉冲Sp其漏极及源极是耦合点P及V。以下将说明操作方法 一旦接收电压脉冲S,时，NMOS SN被开启，耦合 点P及V将送出致动信号以致动偏压电路。在电压脉冲Si后开关随即被关闭以 停止启动电路的操作，因此可以消除待机电流。第5b图中一实施例开关300与图4b中的脉冲产生器200相配合。开关300包 含一标示为SP的p型通道金属氧化物硅场效晶体管(PMOS)。 PMOS SP的栅极 连接至一第四或非门X4的输出以接收电压脉冲S2， NMOS SN的栅极连接至或 非门的输出以接收电压脉冲S，NMOS SN的漏极连接至PMOS的源极。NMOSSN的源极连接MPMOS SP的漏极，PMOS SP的源极及漏极分别作为耦合点P及V。在此实施例中，NMOS SN能提供一较低的致动电压，PMOS SP则提供 一较高的致动电压，因此开关能够提供一大范围的致动电压。根据上述，若 是只需要一较高的致动电压，则可省略NMOS SN;反之，若是只需要一较低 的致动电压，则可省略PMOS SP。本专利技术的实施例以开关结合脉冲产生器说明，但不应限本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种启动电路，应用至一偏压电路，其特征在于，所述启动电路包含： 一脉冲供应器，用以接收一致能电压并且传送至少一脉冲；及 一开关耦合至所述脉冲供应器及所述偏压电路以转换来自所述脉冲供应器的所述脉冲成为驱动所述偏压电路的一致动信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈政宏，
申请(专利权)人：达盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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