MOS管开关电容积分电路制造技术

本发明专利技术公开了一种ＭＯＳ管开关电容积分电路，Ｐ型ＭＯＳ管Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及Ｍ４一起组成Ｃａｓｃｏｄｅ电流镜结构，Ｍ３的源极与电源相连，Ｍ３的栅极与Ｍ２的栅极相连，Ｍ３的漏极与Ｍ４的源极相连；Ｍ４的栅极与Ｍ１的栅极相连，Ｍ４的漏极与参考电流源ｌｒｅｆ的输出端相连；Ｍ２的源极与电源相连，Ｍ２的漏极与Ｍ１的源极相连；Ｍ１的漏极接输出端；Ｐ型ＭＯＳ管Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４的衬底均与电源连接，开关Ｋ的两端分别与Ｍ１的栅极和Ｍ４的栅极相连，或者开关Ｋ的两端分别与Ｍ３的栅极和Ｍ４的漏极连接。本发明专利技术极大程度的提高了输出精度；在不改变电路结构的前提下，它既可以作为线性ＤＡＣ使用，也可以作为非线性ＤＡＣ使用，而且可以实现任意的转换精度；它既可以用于电压驱动，也可以用于电流驱动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，涉及一种MOS管开关电容积分电路。
技术介绍
现有的开关电容积分电路的积分开关引起的误差主要存在于以下几个 方面第一、寄生电容的影响；第二、 MOS管的导通电阻的影响，改善方 法有选用宽长比比较大的MOS管开关，或采用CMOS开关；第三、时钟 馈通及采样尖峰，改善方法有釆用宽长比比较小的MOS管，以减小交叠 电容；第四、电荷注入问题，改善方法有在输出节点接一个虚拟MOS管， 或采用CMOS.开关，或采用非重叠时钟控制开关，或采用全差动结构的积 分器，使两输入端的电荷注入影响相抵消。但是，不管是采用上述何种方法，只能在一定程度上减小MOS管开关 误差带来的影响，而不能从根本上去解决它，这主要是因为开关所处的位置 决定了积分电压要受到上述几方面的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种MOS管开关电容积分电路，解决了现有技术 中存在的积分开关引起的误差，导致MOS管开关的非理想特性受到影响的 问题。本专利技术所采用的技术方案是，一种^OS管开关电容积分电路，P型MOS 管M1、 M2、 M3、 M4组成Cascode电流镜结构，M3的源极与电源相连，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＯＳ管开关电容积分电路，Ｐ型ＭＯＳ管Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４组成Ｃａｓｃｏｄｅ电流镜结构，Ｍ３的源极与电源相连，Ｍ３的栅极和Ｍ２的栅极相连，Ｍ３的漏极与Ｍ４的源极相连，Ｍ３的栅极与Ｍ４的漏极相连；Ｍ４的漏极与参考电流源ｌｒｅｆ的输出端相连；Ｍ２的源极与电源相连，Ｍ２的漏极与Ｍ１的源极相连；Ｍ１的漏极与输出端相连；Ｐ型ＭＯＳ管Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４的衬底均与电源连接，其特征在于：开关Ｋ１的两端分别与Ｍ１的栅极和Ｍ４的栅极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兰，余宁梅，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]