基于悬浮电流源增益自举反相器的开关电容积分器制造技术

本发明专利技术涉及开关电容积分器设计领域，为提高C类反相器增益和精度，从而以C类反相器代替传统运算放大器实现低电压低功耗的开关电容积分器结构。为此，本发明专利技术采取的技术方案是，基于悬浮电流源增益自举反相器的开关电容积分器，积分器分为采样阶段和积分阶段，采样阶段电路由M1-M10十个MOS管和采样电容Cs，积分电容CI，上下两个保持电容Cc，和一个开关S1组成，其中M1至M1、M3、M5、M7、M9为PMOS管，M2、M4、M6、M8、M10为PMOS管，采样电容CS，积分电容CI以及上下两个保持电容Cc都分为两极A、B。本发明专利技术主要应用于开关电容积分器的设计制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及模拟集成电路设计领域，特别涉及一种基于悬浮电流源的增益自举反相器的开关电容积分器电路。技术背景近年来，为了满足便携式电子产品的迫切需求以及大型电子系统的节能需要，低电压低功耗的电路设计已经成为CMOS模拟集成电路发展的主流方向。CMOS工艺尺寸和电源电压的不断减小已经能够有效地降低数字集成电路的功耗，但由于MOS管的阈值电压不可能与电源电压等成比例缩小(由于漏电等原因)，模拟集成电路的低电压低功耗设计面临巨大的挑战。开关电容积分器作为模拟集成电路中的重要模块是许多离散系统中的核心模块，例如sigma-delta ADC、累加器等。积分器的运算放大器作为其电路核心模块是其实现低电压低功耗设计的重要瓶颈，运放的非理想性更是直接限制了积分器的精度。对于实现其中低电压运放在上世纪七八十年代提出过一种用反相器代替传统运算放大器的方法，它结构简单，而且输入管能够工作在亚阈值区,大大降低了电源电压和系统功耗，是实现新一代低电压低功耗模拟电路设计的可行性方法，被称为C类反相器。但由于中传统C类反相器相对运算放大器而言增益不高(一般在50dB以下)，并且上下两路电流并不稳定,所以性能有限，极大程度的了模拟电路尤其是积分器这种需要高精度电荷运算的模拟电路的精度。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，提高C类反相器增益和精度，从而以C类反相器代替传统运算放大器实现低电压低功耗的开关电容积分器结构。为此，本专利技术采取的技术方案是，基于悬浮电流源增益自举反相器的开关电容积分器，积分器分为采样阶段和积分阶段，采样阶段电路由M1-M10十个MOS管和采样电容Cs，积分电容CI，上下两个保持电容Cc，和一个开关S1组成，其中M1至M1、M3、M5、M7、M9为PMOS管，M2、M4、M6、M8、M10为PMOS管，采样电容CS，积分电容CI以及上下两个保持电容Cc都分为两极A、B，；其中M1、M3、M5的源极一起连接供电电源VDD，M2、M4、M6源极一起连接电源地GND；M1的漏极、M3的栅极、M7的源极连接在一起；M3的漏极、M7的栅极和M6的源极连接在一起；M7的漏极、M1的栅极、上保持电容Cc的B极、开关S1的输入端、M9的源极和M10的漏极连在一起；M6的栅极接偏置Vb1；M6的源极接地；M9的栅极接偏置电压Vb3；M10的栅极接偏置电压Vb4；M5的栅极接偏置电压Vb2；M9的漏极、M10的源级、M8的漏极、M2的栅极、下保持电容Cc的B极和开关S1的输出端连在一起；M2的漏极、M4的栅极、M8的源极连接在一起；M4的漏极、M8的栅极和M5的源极连接在一起；上保持电容Cc的A极，下保持电容Cc的A极以及采样电容CS的B极连在一起接共模电平Vcm，采样电容的A极连输入端；开关S1断开；M1-M10管构成C类反相器型放大器，Cs为采样电容，负责存储输入电压到基准电压Vcm的电压差，Cc为保持电容，存储反相器输入电压到基准电压Vcm的电压差，此时运放构成负反馈的闭环工作状态，晶体管M1、M2为输入管，由于负反馈的存在M1、M2被偏置在亚阈值区，而M3与M7，M4与M8分别构成电流电压反馈环路，M7和M8同时也被偏置在亚阈值工作状态；M1与M3与M7构成一个三层共源共栅型放大器，同时开关S1断开，在M7和M8之间加入饱和M9和M10，使其构成一个单向导通的悬浮电流源；积分阶段电流结构在采样阶段的基础上将开关S1闭合，并连入积分电容CI，同时输入端连共模电平Vcm，在采样阶段连Vcm的节点与Vcm断开并连CI的A极，CI的B极与M7的漏极、M1的栅极、上保持电容Cc的B极、开关S1的输入端、M9的源极和M10的漏极连在一起作为输出端；开关S1闭合式悬浮电流源短路便于输出，此时M1-M8管构成C类反相器型放大器，Cs为采样电容，CI为积分电容，在积分阶段将输入接到基准电压Vcm，同时断开G点与基准电压Vcm的连接。M1和M2管采用阈值电压大于500mV的高阈值器件，而M3和M4采用阈值电压300mV左右的低阈值器件，采样电容和积分电容的比例设为Cs/CI＝1/4，同时为了使上下两路电路平衡，M1和M7的宽长比应为M8和M2对应NMOS管宽长比的2-3倍。与已有技术相比，本专利技术的技术特点与效果：本专利技术通过加入增益自举结构和悬浮电流源结构，提高了反相器的直流增益和精度，从而提高积分器电荷转移的精确度，使电路的运算结果更加准确。由于采用的C类反相器在大部分时间工作在静态电流很小的亚阈值，而且供电电压小于NMOS和PMOS阈值电压的绝对值之和，因此该积分器电流可以在1V的低电压情况下工作，并且实现低功耗。附图说明图1积分器采样阶段电路结构图；图2积分器积分阶段电路结构图。具体实施方式本专利技术通过将增益自举技术和悬浮电流源引入C类反相器中，提高了C类反相器增益和精度，从而以该种C类反相器代替传统运算放大器实现低电压低功耗的开关电容积分器结构。本专利技术采用的技术方案是：积分器分为采样阶段和积分阶段，采样阶段电路结构图如图1所示。该结构由M1-M10十个MOS管和采样电容Cs，积分电容CI，上下两个保持电容Cc组，和一个开关S1组成，其中M1至M1、M3、M5、M7、M9为PMOS管，M2、M4、M6、M8、M10为NMOS管，采样电容Cs，积分电容CI以及上下两个保持电容Cc都分为两极A、B，在图中所有电容的左边为A极，右边为B极。其中M1、M3、M5的源极一起连接供电电源VDD，M2、M4、M6源极一起连接电源地GND。M1的漏极、M3的栅极、M7的源极连接在一起；M3的漏极、M7的栅极和M6的源极连接在一起；M7的漏极、M1的栅极、上半部分Cc的B极、开关S1的输入端、M9的源极和M10的漏极连在一起；M6的栅极接偏置Vb1；M6的源极接地；M9的栅极接偏置电压Vb3；M10的栅极接偏置电压Vb4；M5的栅极接偏置电压Vb2；M9的漏极、M10的源级、M8的漏极、M2的栅极、下半部分Cc的B极和开关S1的输出端连在一起；M2的漏极、M4的栅极、M8的源极连接在一起；M4的漏极、M8的栅极和M5的源极连接在一起；上半部分Cc的A极、下半部分Cc的A极和采样电容Cs的B极连在一起接共模电平Vcm，采样电容的A极连输入端。开关S1断开。M1-M10管构成C类反相器型放大器，Cs为采样电容，负责存储输入电压到基准电压Vcm的电压差，Cc为保持电容，存储反相器输入电压到基准电压Vcm的电压差，此时运放构成负反馈的闭环工作状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于悬浮电流源增益自举反相器的开关电容积分器，其特征是，积分器分为采样阶段和积分阶段，采样阶段电路结构图由M1‑M10十个MOS管和积分电容CS，采样电容CI，上下两个保持电容Cc，和一个开关S1组成，其中M1至M1、M3、M5、M7、M9为PMOS管，M2、M4、M6、M8、M10为PMOS管，保持电容电容分为两极A、B；其中M1、M3、M5的源极一起连接供电电源VDD，M2、M4、M6源极一起连接电源地GND；M1的漏极、M3的栅极、M7的源极连接在一起；M3的漏极、M7的栅极和M6的源极连接在一起；M7的漏极、M1的栅极、上保持电容Cc的B极、开关S1的输入端、M9的源极和M10的漏极连在一起；M6的栅极接偏置Vb1；M6的源极接地；M9的栅极接偏置电压Vb3；M10的栅极接偏置电压Vb4；M5的栅极接偏置电压Vb2；M9的漏极、M10的源级、M8的漏极、M2的栅极、下保持电容Cc的B极和开关S1的输出端连在一起；M2的漏极、M4的栅极、M8的源极连接在一起；M4的漏极、M8的栅极和M5的源极连接在一起；上保持电容Cc的A极和采样电容CS的B极连在一起接共模电平Vcm，采样电容的A极连输入端，开关S1断开；M1‑M10管构成C类反相器型放大器，Cs为采样电容，负责存储输入电压到基准电压Vcm的电压差，Cc为保持电容，存储反相器输入电压到基准电压Vcm的电压差，此时运放构成负反馈的闭环工作状态，晶体管M1、M2为输入管，由于负反馈的存在M1、M2被偏置在亚阈值区，而M3与M7，M4与M8分别构成电流电压反馈环路，M7和M8同时也被偏置在亚阈值工作状态；M1与M3与M7构成一个三层共源共栅型放大器，同时开关S1断开，在M7和M8之间加入饱和M9和M10，使其构成一个单向导通的悬浮电流源；积分阶段电流结构在采样阶段的基础上将开关S1闭合，并连入积分电容CI，同时输入端连共模电平Vcm，在采样阶段连Vcm的节点与Vcm断开并连CI的A极，CI的B极与M7的漏极、M1的栅极、上保持电容Cc的B极、开关S1的输入端、M9的源极和M10的漏极连在一起作为输出端；此时开关S1闭合式悬浮电流源短路便于输出，此时M1‑M8管构成C类反相器型放大器，Cs为采样电容，CI为积分电容，在积分阶段将输入接到基准电压Vcm，同时断开G点与基准电压Vcm的连接。...

【技术特征摘要】
1.一种基于悬浮电流源增益自举反相器的开关电容积分器，其特征是，积分器分为采样阶段
和积分阶段，采样阶段电路结构图由M1-M10十个MOS管和积分电容CS，采样电容CI，上
下两个保持电容Cc，和一个开关S1组成，其中M1至M1、M3、M5、M7、M9为PMOS管，
M2、M4、M6、M8、M10为PMOS管，保持电容电容分为两极A、B；其中M1、M3、M5的源极
一起连接供电电源VDD，M2、M4、M6源极一起连接电源地GND；M1的漏极、M3的栅极、
M7的源极连接在一起；M3的漏极、M7的栅极和M6的源极连接在一起；M7的漏极、M1的
栅极、上保持电容Cc的B极、开关S1的输入端、M9的源极和M10的漏极连在一起；M6
的栅极接偏置Vb1；M6的源极接地；M9的栅极接偏置电压Vb3；M10的栅极接偏置电压Vb4；
M5的栅极接偏置电压Vb2；M9的漏极、M10的源级、M8的漏极、M2的栅极、下保持电容
Cc的B极和开关S1的输出端连在一起；M2的漏极、M4的栅极、M8的源极连接在一起；
M4的漏极、M8的栅极和M5的源极连接在一起；上保持电容Cc的A极和采样电容CS的B
极连在一起接共模电平Vcm，采样电容的A极连输入端，开关S1断开；
M1-M10管构成C类反相器型放大器，Cs为采样电容，负责存储输入电压到基准电压
Vcm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐江涛，王鹏，聂凯明，史再峰，高静，高志远，姚素英，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12