【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种石英振荡器,特别是其利用自动增强回路以縮短振荡的起始时间。
技术介绍
图1所示为已知的振荡器电路图,石英OS的两端连接反相器INV的输入端与输出端,再分别经由二电容Q、G接地,反相器INV的输入端与输出端间跨接电阻R。反相器INV的高压端与接地端分别连接外部电源I与接地,电源I供应反相器INV电流id。 图2所示为一传统反相器的输入电流与振荡器的振荡时序图,用以说明振荡器的动作。反相器INV的输入端与输出端的电压分别为K与V。。在、# V。的情况,反相器INV经由电阻R、电容Q、G与地端所形成的回路放电,一旦、=V。,石英OS的二端电压开始振荡,且、与V。相位相反,V。 = -、。 Vi与V。的振幅与电流id正相关,即电流id越大则振幅越大。 起始期间(0<t<t2)内会给予较大的电流id,直到振荡稳定,之后则降低电流id以降低功率损耗。起始期间(0 < t < t2)包含起振期间(0 < t < t》与稳振期间< t< t2),其中起振期间(0 < t < t》为反相器INV放电至 ...
【技术保护点】
一种自动增强快速起振石英振荡器,其特征在于,所述的自动增强快速起振石英振荡器包含:一反相器包含:一高压端与接地端分别连接一外部电压源以及接地;以及一输出端与一输入端分别连接一第一电容与一第二电容后接地;一电阻连接于所述反相器的所述输入端与所述输出端间;一石英的二端连接于所述反相器的所述输出端与所述输入端间;以及一自动增强起振器包含:一第一检测端与一第二检测端分别连接所述反相器的所述输出端与所述输入端;一电流补偿端连接所述反相器;以及一受电端以及一接地端分别连接一电压源与接地,所述第一检测端与所述第二检测端检测所述反相器的所述输出端与所述输入端而调整所述电流补偿端的电流。
【技术特征摘要】
一种自动增强快速起振石英振荡器,其特征在于,所述的自动增强快速起振石英振荡器包含一反相器包含一高压端与接地端分别连接一外部电压源以及接地;以及一输出端与一输入端分别连接一第一电容与一第二电容后接地;一电阻连接于所述反相器的所述输入端与所述输出端间;一石英的二端连接于所述反相器的所述输出端与所述输入端间;以及一自动增强起振器包含一第一检测端与一第二检测端分别连接所述反相器的所述输出端与所述输入端;一电流补偿端连接所述反相器;以及一受电端以及一接地端分别连接一电压源与接地,所述第一检测端与所述第二检测端检测所述反相器的所述输出端与所述输入端而调整所述电流补偿端的电流。2. 如权利要求1所述的自动增强快速起振石英振荡器,其特征在于,所述自动增强起振器所连接的所述电压源即为反相器所连接的所述外部电压源。3. 如权利要求1所述的自动增强快速起振石英振荡器,其特征在于,所述自动增强起振器的电流补偿端连接于所述反相器的所述高压端。4. 如权利要求3所述的自动增强快速起振石英振荡器,其特征在于,所述自动增强起振器包含一第一 NMOSFET与一第二 NM0SFET,所述第一 NMOSFET与所述第二 NMOSFET的栅极相连接并作为所述第一检测端;一第三NMOSFET与一第四NMOSFET,所述第三NMOSFET与所述第四NMOSFET的栅极相连接并作为所述第二检测端,所述第一 画OSFET的源极耦合至所述第四NMOSFET的源极并连接至一第一电流源,所述第二 NMOSFET的源极耦合至所述第三NMOSFET的源极并连接至一第二电流源,所述第一电流源与所述第二电流源的另一端耦合至所述自动增强起振器的所述接地端;一第一 PMOSFET与一第二 PMOSFET,所述第一 PMOSFET的栅极耦合至所述第二 PMOSFET的栅极并连接至所述第二 PMOSFET、第一 NMOSFET、及第三NMOSFET的漏极;以及一第三PMOSFET与一第四PMOSFET,所述第三PMOSFET的栅极耦合至所述第四PMOSFET的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈政宏,
申请(专利权)人:达盛电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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