负偏压温度不稳定性检测电路及其检测方法技术

本发明专利技术揭示了一种负偏压温度不稳定性检测电路，该电路包括：环形回荡器电路，每一测试电路的第一节点通过一分压元件与其前一测试电路的第二节点相连，每一测试电路包括互补的待测PMOS管和NMOS管，所述待测PMOS管的源极接第一电压端、栅极接所述第一节点、漏极接所述第二节点，所述NMOS管的源极接低电平、栅极接第一节点、漏极接所述第二节点，所述每一测试电路的第二节点接第二电压端，所述每一测试电路的第一节点接第三电压端。本发明专利技术还揭示了一种检测方法，包括通过控制所述第二电压端和所述第三电压端使得所述待测PMOS管处于压力状态和测试状态。本发明专利技术的负偏压温度不稳定性检测电路，能准确测试PMOS管的负偏压温度不稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路可靠性测试领域，特别是涉及一种负偏压温度不稳定性检测电路及其检测方法。
技术介绍
偏压温度不稳定性（Bias Temperature Instability，简称BTI）是互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS）可靠性的基本问题之一。其中，BTI分为负偏压温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability，简称NBTI）和正偏压温度不稳定性（Positive Bias Temperature Instability，简称PBTI）。NBTI是指在高温下对PMOS管施加负栅压而引起的一系列电学参数的退化，NBTI效应的产生过程主要涉及正电荷的产生和钝化，即界面陷阱电荷和氧化层固定正电荷的产生以及扩散物质的扩散过程，氢气和水汽是引起NBTI的两种主要物质。对于硅材料的栅介质构成的纳米尺度的CMOS，PMOS管的NBTI是影响器件寿命的主要原因，所以如何准确地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负偏压温度不稳定性检测电路，包括：环形回荡器电路，所述环形振荡器电路包括n级测试电路，每级测试电路的结构相同，每一测试电路包括第一节点和第二节点，每一测试电路的第一节点通过一分压元件与其前一测试电路的第二节点相连，n为正整数；其中每一测试电路包括互补的待测PMOS管和NMOS管，且所述待测PMOS管的源极接一第一电压端、栅极接所述测试电路的第一节点、漏极接所述测试电路的第二节点，所述NMOS管的源极接低电平、栅极接所述测试电路的第一节点、漏极接所述测试电路的第二节点，所述每一测试电路的第二节点接一第二电压端，所述每一测试电路的第一节点接一第三电压端。

【技术特征摘要】
1.一种负偏压温度不稳定性检测电路，包括：
环形回荡器电路，所述环形振荡器电路包括n级测试电路，每级测试电
路的结构相同，每一测试电路包括第一节点和第二节点，每一测试电路的第一
节点通过一分压元件与其前一测试电路的第二节点相连，n为正整数；其中
每一测试电路包括互补的待测PMOS管和NMOS管，且所述待测PMOS
管的源极接一第一电压端、栅极接所述测试电路的第一节点、漏极接所述测试
电路的第二节点，所述NMOS管的源极接低电平、栅极接所述测试电路的第一
节点、漏极接所述测试电路的第二节点，所述每一测试电路的第二节点接一第
二电压端，所述每一测试电路的第一节点接一第三电压端。
2.如权利要求1所述的负偏压温度不稳定性检测电路，其特征在于，所述
分压元件为电阻或稳压二极管。
3.如权利要求2所述的负偏压温度不稳定性检测电路，其特征在于，所述
分压元件为电阻，所述电阻的阻值为10欧~10000欧。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的负偏压温度不稳定性检测电路，其特征
在于，所述n≥3。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的负偏压温度不稳定性检测电路的...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯军宏，甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31