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本发明揭示了一种负偏压温度不稳定性检测电路,该电路包括:环形回荡器电路,每一测试电路的第一节点通过一分压元件与其前一测试电路的第二节点相连,每一测试电路包括互补的待测PMOS管和NMOS管,所述待测PMOS管的源极接第一电压端、栅极接所述第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明揭示了一种负偏压温度不稳定性检测电路,该电路包括:环形回荡器电路,每一测试电路的第一节点通过一分压元件与其前一测试电路的第二节点相连,每一测试电路包括互补的待测PMOS管和NMOS管,所述待测PMOS管的源极接第一电压端、栅极接所述第...