成膜量测定装置及方法、成膜装置及方法、电子器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高生产率的成膜量测定装置、成膜装置、成膜量测定方法、成膜方法以及电子器件的制造方法。在第一期间，进行使用第一石英振子的成膜量的测定，在从所述第一期间结束起到第二期间开始为止的期间，暂停基于所述第一石英振子的成膜量的测定，在所述第二期间，进行使用所述第一石英振子的成膜量的测定，在从所述第一期间结束起到所述第二期间开始为止的期间中的第三期间，进行使用所述第二石英振子的成膜量的测定，在所述第二期间，在比所述第一期间长的期间内进行基于所述第一石英振子的成膜量的测定。石英振子的成膜量的测定。石英振子的成膜量的测定。

【技术实现步骤摘要】
成膜量测定装置及方法、成膜装置及方法、电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及对向基板成膜的成膜量进行测定的成膜量测定装置、成膜装置、成膜量测定方法、成膜方法以及电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在真空蒸镀装置等成膜装置中，为了测定向基板成膜的成膜量，已知有具备使用石英振子的成膜量测定装置的技术。该成膜量测定装置设置在配置有基板以及成膜源(蒸发源等)的腔室内，根据固有振动频率来取得成膜速率，由此能够测定向基板成膜的成膜量，该固有振动频率根据成膜材料相对于石英振子的附着量而变化。由此，通过控制成膜源的成膜材料的放出量，能够对基板形成所希望的厚度的薄膜。在专利文献1中，公开了依次使用多个石英振子来测定成膜量。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
23737号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]在开始使用新的石英振子时，认为在从开始使用起的一段时间内测定结果不稳定。另外，若频繁地更换测定所使用的石英振子，则用于更换石英振子的驱动机构的消耗变快，因此，驱动机构的维护的成本、时间有可能增加。
[0008]本专利技术的目的在于提供一种能够提高生产率的成膜量测定装置、成膜装置、成膜量测定方法、成膜方法以及电子器件的制造方法。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]本专利技术的成膜量测定装置具备至少包括第一石英振子以及第二石英振子的多个石英振子，依次使用所述多个石英振子来测定成膜量，所述成膜量测定装置的特征在于，
[0011]在第一期间，进行使用所述第一石英振子的成膜量的测定，
[0012]在从所述第一期间结束起到第二期间开始为止的期间，暂停基于所述第一石英振子的成膜量的测定，
[0013]在所述第二期间，进行使用所述第一石英振子的成膜量的测定，
[0014]在从所述第一期间结束起到所述第二期间开始为止的期间中的第三期间，进行使用所述第二石英振子的成膜量的测定，
[0015]在所述第二期间，在比所述第一期间长的期间内进行基于所述第一石英振子的成膜量的测定。
[0016]通过采用这样的结构，能够抑制在成膜量的测定中使用的石英振子的更换频率。
[0017]专利技术效果
[0018]如以上说明的那样，根据本专利技术，能够提高生产率。
附图说明
[0019]图1是成膜装置的概略结构图。
[0020]图2是成膜量测定装置的概略结构图。
[0021]图3是成膜量测定装置中的主要结构的俯视图。
[0022]图4是关于石英振子的速率稳定的说明图。
[0023]图5是成膜装置中的成膜工序图。
[0024]图6是成膜装置中的成膜工序图。
[0025]图7是成膜装置中的成膜工序图。
[0026]图8(a)、(b)是有机EL显示装置的说明图。
[0027]图9是成膜装置的概略结构图。
[0028]附图标记说明
[0029]1成膜装置10腔室100蒸发源200成膜量测定装置210装置主体220监控头221开口部222石英振子223石英支架227外部共振器230挡板231开口部300控制装置
具体实施方式
[0030]以下，参照附图，基于实施例对用于实施本专利技术的方式例示性地进行详细说明。但是，该实施例中记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等，只要没有特别特定的记载，其主旨并非将本专利技术的范围仅限定于此。
[0031](实施方式)
[0032]参照图1～图5，对本专利技术的实施方式的成膜量测定装置、成膜装置、成膜量测定方法以及成膜方法进行说明。本实施方式的成膜装置是使用蒸镀材料在基板上形成薄膜的真空蒸镀装置。
[0033]<成膜装置>
[0034]参照图1，对本实施方式的成膜装置进行说明。图1是本专利技术的实施方式的成膜装置的概略结构图，简略地表示成膜装置中的主要结构。
[0035]成膜装置1具备：腔室10，该腔室10构成为利用真空泵使内部成为接近真空的状态(减压环境)；以及作为成膜源的蒸发源100，该蒸发源100配置在腔室10的内部。蒸发源100起到通过对要蒸镀于基板S的物质的材料(成膜材料(蒸镀材料))进行加热而使该材料蒸发或升华的作用。由该蒸发源100蒸发或升华的物质附着在设置于腔室10的内部的基板S的成膜面上，在基板S上形成薄膜。在基板S的成膜面侧配置有掩模M，该掩模M形成有与要形成的薄膜的形状相匹配的开口部，在基板S和掩模M被定位的状态下进行成膜处理(蒸镀处理)。
[0036]蒸发源100具备收容成膜材料T的坩埚等容器110和对容器110进行加热的加热装置120。在容器110的前端设置有用于放出蒸发或升华的材料的喷嘴部111。另外，成膜装置1还具备在从喷嘴部111放出的材料能够附着于基板S的状态和通过遮断材料而使材料不附着于基板S的状态之间进行切换的挡板20。需要说明的是，关于挡板20的开闭机构，能够适当地采用公知技术。
[0037]另外，在成膜装置1中，具备配置在腔室10的内部且用于测定向基板S成膜的成膜
量的成膜量测定装置200。该成膜量测定装置200具备装置主体210、监控头220以及挡板230。而且，在成膜量测定装置200中，构成为使从蒸发源100放出的材料的一部分附着于监控头220所具备的石英振子222。当成膜材料相对于石英振子222的附着量(成膜量)发生变化时，石英振子222的共振频率(固有振动频率)发生变化。通过利用该性质，能够测定向基板S成膜的成膜量，并且能够使形成于基板S的薄膜成为所希望的膜厚。关于这一点，更具体地进行说明。
[0038]成膜装置1具备控制装置300。该控制装置300具备控制蒸发源100的第一控制部310和控制成膜量测定装置200的第二控制部320。第二控制部320检测石英振子222的共振频率，取得针对石英振子的每单位时间的成膜量(成膜速率)。需要说明的是，当然能够基于针对石英振子222的成膜量来测定针对基板S的成膜量。如上所述，当针对石英振子222的成膜量(成膜材料的附着量)超过一定量时，检测精度降低，必须更换为新的石英振子。因此，在对基板S的成膜处理中，通常控制为始终对基板S进行成膜，而对石英振子间断地进行成膜。因此，针对石英振子222的成膜量与针对基板S的成膜量未必一致。
[0039]而且，控制装置300为了基于所取得的成膜速率来控制所放出的材料的量，而通过第一控制部310来控制加热装置120的加热温度。这样，通过成膜量测定装置200以及控制装置300始终测定成膜速率，控制加热装置120的加热温度来控制成膜速率，从而能够对基板S高精度地形成所希望的厚度的薄膜。
[0040]<成膜量测定装置>
[0041]参照图2以及图3，对本实施方式的成膜量测定装置进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种成膜量测定装置，具备至少包括第一石英振子以及第二石英振子的多个石英振子，依次使用所述多个石英振子来测定成膜量，所述成膜量测定装置的特征在于，在第一期间，进行使用所述第一石英振子的成膜量的测定，在从所述第一期间结束起到第二期间开始为止的期间，暂停基于所述第一石英振子的成膜量的测定，在所述第二期间，进行使用所述第一石英振子的成膜量的测定，在从所述第一期间结束起到所述第二期间开始为止的期间中的第三期间，进行使用所述第二石英振子的成膜量的测定，在所述第二期间，在比所述第一期间长的期间内进行基于所述第一石英振子的成膜量的测定。2.如权利要求1所述的成膜量测定装置，其特征在于，在从所述第三期间结束起到第四期间开始为止的期间，暂停基于所述第二石英振子的成膜量的测定，在所述第四期间，进行使用所述第二石英振子的成膜量的测定，在所述第四期间，在比所述第三期间长的期间内进行基于所述第二石英振子的成膜量的测定。3.如权利要求2所述的成膜量测定装置，其特征在于，所述第四期间至少包括所述第二期间结束后的期间。4.如权利要求2所述的成膜量测定装置，其特征在于，所述第四期间至少包括所述第二期间开始之前的期间。5.如权利要求1～4中任一项所述的成膜量测定装置，其特征在于，所述第一期间的长度与所述第三期间的长度相等，所述第二期间的长度与所述第四期间的长度相等。6.如权利要求1～4中任一项所述的成膜量测定装置，其特征在于，在从所述第一期间的结束起到所述第二期间的开始为止的期间，还进行使用所述多个石英振子中的与所述第一石英振子及所述第二石英振子不同的石英振子的成膜量的测定。7.如权利要求1～4中任一项所述的成膜量测定装置，其特征在于，所述成膜量测定装置具备具有开口的挡板，所述挡板使成膜量的测定所使用的石英振...

【专利技术属性】
技术研发人员：白仓瑞穗，宫本宏寿，长谷川靖，清水瞬，内田亘，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：