【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2020年8月13日申请的标题为“微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法(Microelectronic Devices，Related Electronic Systems，and Methods of Forming Microelectronic Devices)”的序列号为16/992,566的美国专利申请案的申请日的权益。
[0003]在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更具体来说，本公开涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统。
技术介绍
[0004]微电子装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸及通过减小邻近特征之间的分离距离来增加微电子装置内的特征的集成水平或密度。另外，微电子装置设计者通常期望不仅紧凑，而且提供性能优势以及简化设计的设计架构。
[0005]微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子装置，其包括：第一裸片，其包括：存储器阵列区，其包括：堆叠结构，其包括垂直交替的导电结构及绝缘结构；垂直延伸的存储器胞元串，其在所述堆叠结构内；及第一接合垫结构，其垂直邻近所述垂直延伸的存储器胞元串；及第二裸片，其经附接到所述第一裸片，所述第二裸片包括：控制逻辑区，其包括控制逻辑装置，所述控制逻辑装置经配置以实现所述垂直延伸的存储器胞元串的控制操作的至少一部分；第二接合垫结构，其与所述第一接合垫结构电连通；及信号路由结构，其位于所述第一裸片与所述第二裸片之间的界面处。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述信号路由结构接触所述第一裸片的介电材料。3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述信号路由结构的节距小于所述第二接合垫结构的节距。4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述信号路由结构接触所述第一裸片的额外信号路由结构。5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述信号路由结构的节距大于或等于所述第二接合垫结构的节距。6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第二接合垫结构位于所述信号路由结构的横向边界内。7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述第二接合垫结构通过介电材料与所述信号路由结构电隔离。8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第二接合垫结构位于所述信号路由结构的横向边界外部。9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述信号路由结构包括靠近所述第二接合垫结构的倾斜部分。10.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二裸片包括CMOS电路系统。11.一种微电子装置，其包括：第一微电子装置结构，其包括存储器阵列区，所述存储器阵列区包括堆叠结构内的垂直延伸的存储器胞元串，所述堆叠结构包括导电结构及绝缘结构的垂直交替序列；第二微电子装置结构，其包括控制逻辑电路系统，所述控制逻辑电路系统包括互补金属氧化物半导体电路系统；及接合垫区，其在所述第一微电子装置结构与所述第二微电子装置结构之间的界面处，所述接合垫区包括：第一接合垫结构，其经耦合到所述第一微电子装置结构；第二接合垫结构，其经耦合到所述第二微电子装置结构且与所述第一接合垫结构接触；及
信号路由结构，其至少与所述第二裸片接触且横向邻近所述第一接合垫结构及所述第二接合垫结构。12.根据权利要求11所述的微电子装置，其中所述第一接合垫结构的节距在从约0.5μm到约5.0μm的范围内。13.根据权利要求11所述的微电子装置，其中所述信号路由结构的节距小于约0.5μm。14.根据权利要求11所述的微电子装置，其中所述信号路由结构包括：第一信号路由结构，其在所述第一微电子装置结构的表面上；及第二信号路由结构，其在所述第二微电子装置结构的表面上且与所述第一信号路由结构接触。15.根据权利要求11所述的微电子装置，其中：所述第一接合垫结构经布置成行；且所述信号路由结构的横向延伸部分在所述行之间延伸。16.根据权利要求11所述的微电子装置，其中所述第一接合垫结构经布置成行，第一行的所述第一接合垫结构从邻近行的所述第一接合垫结构偏移。17.根据权利要求11到16中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一微电子装置结构包括与所述垂直延伸的存储器胞元串电连通的线接触结构，所述线接触结构垂直插置于...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。