本发明专利技术涉及反射率测定装置、成膜装置。用于防止反射率的测定精度降低。反射率测定装置具备：光源；投受光头，所述投受光头具备投光部、反射光输入部及修正光输入部，所述投光部向被测定物照射被输入到投受光头的来自光源的光所包含的第一光和第二光中的第一光，所述反射光输入部将第一光由被测定物反射后的反射光输入到第一线材，所述修正光输入部将第二光不照射到被测定物而输入到第二线材；测定构件，所述测定构件对经由第一线材传送的第三光的强度和经由第二线材传送的第四光的强度进行测定；以及确定构件，所述确定构件基于由测定构件测出的第三光的强度和第四光的强度来确定被测定物的反射率。确定被测定物的反射率。确定被测定物的反射率。
【技术实现步骤摘要】
反射率测定装置、成膜装置
[0001]本专利技术涉及用于测量蒸镀在玻璃基板上的有机材料的膜厚的反射率测定装置以及成膜装置。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了对形成在基板上的半导体膜进行测定的膜厚测定装置。在专利文献1中，公开了将从测定光源照射的来自光源的光作为参考进行测定。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2012
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063321号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的课题
[0007]但是，由于从测定光源到分光检测部之间的光纤的弯曲等，传送的光的损失发生变化，存在反射率的测定精度降低的课题。
[0008]鉴于上述课题，本专利技术的目的在于提供一种用于防止反射率的测定精度降低的技术。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]为了解决上述课题，本专利技术的反射率测定装置具备：
[0011]光源；
[0012]投受光头，所述投受光头具备投光部、反射光输入部及修正光输入部，所述投光部向被测定物照射被输入到所述投受光头的来自光源的光所包含的第一光和第二光中的所述第一光，所述反射光输入部将所述第一光被所述被测定物反射后的反射光输入到第一线材，所述修正光输入部将所述第二光不照射到所述被测定物而输入到第二线材；
[0013]测定构件，所述测定构件对经由所述第一线材传送的第三光的强度和经由所述第二线材传送的第四光的强度进行测定；以及
[0014]确定构件，所述确定构件基于由所述测定构件测出的所述第三光的强度和所述第四光的强度来确定所述被测定物的反射率。
[0015]另外，根据本专利技术的另一方面，本专利技术的成膜装置具备：
[0016]成膜室，所述成膜室设置有对基板进行成膜的成膜单元；
[0017]输送构件，所述输送构件一边将基板保持在下侧，一边在基板的成膜位置与基板的接收位置之间输送基板；以及
[0018]反射率测定装置，所述反射率测定装置用于测定在保持于输送构件的基板上形成的膜的反射率，
[0019]所述反射率测定装置具备：
[0020]光源；
[0021]投受光头，所述投受光头具备投光部、反射光输入部及修正光输入部，所述投光部向被测定物照射被输入到所述投受光头的来自光源的光所包含的第一光和第二光中的所述第一光，所述反射光输入部将所述第一光被所述被测定物反射后的反射光输入到第一线材，所述修正光输入部将所述第二光不照射到所述被测定物而输入到第二线材；
[0022]测定构件，所述测定构件对经由所述第一线材传送的第三光的强度和经由所述第二线材传送的第四光的强度进行测定；以及
[0023]确定构件，所述确定构件基于由所述测定构件测出的所述第三光的强度和所述第四光的强度来确定所述被测定物的反射率。
[0024]专利技术效果
[0025]由此，能够提供用于防止反射率的测定精度降低的技术。
附图说明
[0026]图1是本专利技术一实施方式的成膜系统的布局图。
[0027]图2(A)以及(B)是输送单元的俯视图和侧视图。
[0028]图3是图2(A)以及图2(B)的输送单元的手部的立体图。
[0029]图4(A)以及(B)是基板的挠曲和支柱部件的功能的说明图。
[0030]图5是交接室中的输送单元的说明图。
[0031]图6是图5的输送单元的剖视图。
[0032]图7(A)以及(B)是基板的交接动作的说明图。
[0033]图8(A)以及(B)是基板的交接动作的说明图。
[0034]图9(A)以及(B)是基板的交接动作的说明图。
[0035]图10(A)以及(B)是基板的交接动作的说明图。
[0036]图11(A)～(F)是蒸镀源的移动的说明图。
[0037]图12(A)以及(B)是掩模向掩模台的输送动作的说明图。
[0038]图13(A)以及(B)是掩模向掩模台的输送动作的说明图。
[0039]图14(A)以及(B)是基板的输送动作以及对准动作的说明图。
[0040]图15(A)以及(B)是对基板的成膜动作的说明图。
[0041]图16(A)～(C)是表示成膜装置整体的动作例的说明图。
[0042]图17(A)～(C)是表示成膜装置整体的动作例的说明图。
[0043]图18(A)～(C)是表示成膜装置整体的动作例的说明图。
[0044]图19(A)～(C)是表示成膜装置整体的动作例的说明图。
[0045]图20(A)～(D)是表示成膜装置整体的动作例的说明图。
[0046]图21(A)～(C)是另一蒸镀源及其移动单元的说明图。
[0047]图22(A)以及(B)是对准单元的说明图。
[0048]图23(A)～(D)是成膜装置的另一结构例的说明图。
[0049]图24是保持单元的另一结构例的说明图。
[0050]图25(A)是有机EL显示装置的整体图，(B)是表示一个像素的截面结构的图。
[0051]图26是表示膜厚测定装置的配置例的说明图。
[0052]图27是各配置例中的膜厚测定装置的剖视图。
[0053]图28(A)～(C)是表示膜厚测定装置的测定原理的说明图。
[0054]图29(A)～(C)是表示膜厚测定装置的结构例的说明图。
[0055]图30是表示成膜前后的基板的反射率的变化例的说明图。
[0056]图31是表示成膜装置的顶板的结构例的说明图。
[0057]图32是表示基板以及基板载体的说明图。
[0058]图33是表示光纤接头的结构的说明图。
[0059]图34是表示膜厚测定装置的结构例的说明图。
[0060]图35(A)、(B)是表示投受光部的结构例的说明图。
[0061]图36(A)～(C)是表示膜厚测定装置的测定原理的说明图。
[0062]图37是表示膜厚测定装置的结构例的说明图。
[0063]附图标记说明
[0064]1成膜装置、3成膜室、4输送单元、5A以及5B输送单元、6A～6D保持单元、7A以及7B移动单元
具体实施方式
[0065]以下，参照附图对实施方式进行详细说明。另外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的专利技术。在实施方式中记载有多个特征，但这些多个特征全部并不限于专利技术所必须的特征，另外，多个特征也可以任意地组合。并且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[0066]<系统的概要>
[0067]图1是成膜系统1的布局图。需要说明的是，在各图中，箭头Z表示上下方向(重力方向)，箭头X以及箭头Y表示相互正交的水平方向。箭头θ表示绕Z轴的旋转方向。
[0068]成膜系统1是中间输送装置10本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反射率测定装置，其特征在于，所述反射率测定装置具备：光源；投受光头，所述投受光头具备投光部、反射光输入部及修正光输入部，所述投光部向被测定物照射被输入到所述投受光头的来自光源的光所包含的第一光和第二光中的所述第一光，所述反射光输入部将所述第一光被所述被测定物反射后的反射光输入到第一线材，所述修正光输入部将所述第二光不照射到所述被测定物而输入到第二线材；测定构件，所述测定构件对经由所述第一线材传送的第三光的强度和经由所述第二线材传送的第四光的强度进行测定；以及确定构件，所述确定构件基于由所述测定构件测出的所述第三光的强度和所述第四光的强度来确定所述被测定物的反射率。2.如权利要求1所述的反射率测定装置，其特征在于，所述第一光和所述第二光经由不同的线材输入到所述投受光头。3.如权利要求1所述的反射率测定装置，其特征在于，所述第一光和所述第二光经由同一线材输入到所述投受光头，所述投受光头还具有将所述第一光和所述第二光输入到不同的线材的分支部。4.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴笑敏，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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