本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备，该装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，图像识别单元与修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；图像识别单元与滴液控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至滴液控制单元，以供滴液控制单元根据缺陷尺寸控制蚀刻液滴头滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；图像识别单元与风刀控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至风刀控制单元，以供风刀控制单元根据缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对掩模版上的缺陷进行处理。本申请提高了掩模版表面黑缺陷的修补能力。力。力。
【技术实现步骤摘要】
掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备
[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备。
技术介绍
[0002]随着半导体制造技术地不断发展，用户对掩模版的缺陷修复提出了更高的要求。
[0003]现有的掩模版缺陷处理装置一般采用激光修打的方式，即用一定波长和能量的激光，与设计图形对比，将多余的铬图形打掉，实现掩模版的修复。但是这种修复方式存在着极大的缺陷，即现有的修复方式需要先通过掩模版缺陷处理装置与掩模版检测设备之间的通信连接，获取掩模版上的缺陷面积，然而当掩模版上的缺陷面积过大，采用激光修打的方式进行修复，会在掩模版上残留修复印痕，进而影响掩模版的产品良率。
[0004]也就是说，现有的掩模版缺陷处理装置对掩模版的缺陷进行修复时存在着修复性能差的技术问题。
技术实现思路
[0005]本申请的主要目的在于提供一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备，旨在提高掩模版缺陷处理装置对掩模版缺陷进行处理的修复性能。
[0006]为实现上述目的，本申请提供一种掩模版缺陷处理装置，所述掩模版缺陷处理装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，其中，所述修补单元包括：掩模版、蚀刻液滴头和风刀系统；所述图像识别单元与所述修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；所述图像识别单元与所述滴液控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述滴液控制单元，以供所述滴液控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述蚀刻液滴头滴漏在所述缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；所述图像识别单元与所述风刀控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述风刀控制单元，以供所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对所述掩模版上的缺陷进行处理。
[0007]可选地，所述修补单元还包括：图像采集系统；所述图像采集系统与所述缺陷尺寸的中心位置之间设置有所述蚀刻液滴头和所述风刀系统，其中，所述风刀系统设置于所述蚀刻液滴头的中心下。
[0008]可选地，所述图像采集系统包括：图像处理模块和显微镜，其中，所述显微镜包括：第一连接部和第二连接部；所述第一连接部与所述第二连接部连接；所述图像处理模块设置在所述第一连接部与所述第二连接部连接的一侧。
[0009]可选地，所述风刀系统包括多个微型正方形风孔。
[0010]此外，为实现上述目的，本申请还提供一种掩模版缺陷处理方法，所述掩模版缺陷处理方法应用于上述的掩模版缺陷处理装置，所述掩模版缺陷处理方法包括：通过图像识别单元采集掩模版上的缺陷尺寸，并通过所述图像识别单元将所述缺陷尺寸分别上传至滴液控制单元和风刀控制单元；在所述滴液控制单元接收到所述缺陷尺寸后，根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积；在所述风刀控制单元接收到所述缺陷尺寸后，通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。
[0011]可选地，所述滴液控制单元设置有映射表，其中，所述映射表存储有多个缺陷阈值区间；所述根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积的步骤，包括：根据所述滴液控制单元从所述映射表中查找所述缺陷尺寸所属的目标缺陷阈值区间，其中，所述目标缺陷阈值区间是指多个所述缺陷阈值区间中的任意一个；确定所述目标缺陷阈值区间对应的目标液体积，并将所述目标液体积作为蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积。
[0012]可选地，所述通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理的步骤，包括：通过风刀控制单元确定所述缺陷尺寸的轮廓边界；将风刀系统中与所述轮廓边界对应的多个微型正方形风孔关闭，并将其它微型正方形风孔打开以确定所述风刀系统的风路路径；按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。
[0013]可选地，所述其它微型正方形风孔包括第一区域风孔和第二区域风孔，其中，所述第一区域风孔是指所述轮廓边界内的多个微型正方形风孔，所述第二区域风孔是指所述轮廓边界外的多个微型正方形风孔；所述按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理的步骤，包括：根据所述风路路径确定所述第一区域风孔的第一出风力度，并确定所述第二区域风孔中与所述第一出风力度相对的第二出风力度，其中，所述第一出风力度是指将所述蚀刻液体积从所述蚀刻液滴头的中心向外扩散的作用力；当所述蚀刻液滴头按照所述蚀刻液体积进行蚀刻液滴漏时，按照所述第一出风力度和第二出风力度之间的相对作用力生成所述风刀系统的风圈；根据所述风圈对所述蚀刻液体积进行变形处理，得到所述蚀刻液体积对应的形状尺寸，其中，所述形状尺寸是指与所述缺陷尺寸相同的形状；将所述形状尺寸重叠在所述缺陷尺寸上，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。
[0014]可选地，所述掩模版缺陷处理方法还包括：在通过图像采集系统中的显微镜获取到所述掩模版上的缺陷坐标信息后，确定所
述缺陷坐标信息对应的中心坐标点；将所述蚀刻液滴头和所述风刀系统移动到所述中心坐标点与所述显微镜中心之间的轴线上。
[0015]此外，为实现上述目的，本申请还提供一种终端设备，所述终端设备包括上述的掩模版缺陷处理装置、存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的掩模版缺陷处理程序，所述处理器执行所述掩模版缺陷处理程序时实现如上述掩模版缺陷处理方法的步骤。
[0016]本申请的掩模版缺陷处理装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，其中，修补单元包括：掩模版、蚀刻液滴头和风刀系统；另外，图像识别单元与修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；图像识别单元与滴液控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至滴液控制单元，以供滴液控制单元根据缺陷尺寸控制蚀刻液滴头滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；图像识别单元与风刀控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至风刀控制单元，以供风刀控制单元根据缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠以对掩模版上的缺陷进行处理。
[0017]区别于现有的接入机制，本申请在不依赖掩模版检测设备的情况下，直接通过掩模版缺陷处理装置中的图像识别单元可以快速准确地获取掩模版上的缺陷尺寸，在将缺陷尺寸通过图像识别单元分别上传至滴液控制单元和风刀控制单元后，通过滴液控制单元和风刀控制单元分别可以实时准确地获取蚀刻液体积和风刀系统的风圈，然后当蚀刻液滴头滴漏该蚀刻液体积时，通过风刀控制单元控制风刀系统的风圈，进而准确地将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠后，对掩模版上的缺陷进行消除处理，从而对掩模版进行无痕修复，以提高对掩模版的缺陷进行修复的性能。
附图说明
[0018]图1是本申请第一实施例涉及的掩模版缺陷处理装置结构图；本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述掩模版缺陷处理装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，其中，所述修补单元包括：掩模版、蚀刻液滴头和风刀系统；所述图像识别单元与所述修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；所述图像识别单元与所述滴液控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述滴液控制单元，以供所述滴液控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述蚀刻液滴头滴漏在所述缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；所述图像识别单元与所述风刀控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述风刀控制单元，以供所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对所述掩模版上的缺陷进行处理。2.如权利要求1所述掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述修补单元还包括：图像采集系统；所述图像采集系统与所述缺陷尺寸的中心位置之间设置有所述蚀刻液滴头和所述风刀系统，其中，所述风刀系统设置于所述蚀刻液滴头的中心下。3.如权利要求2所述掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述图像采集系统包括：图像处理模块和显微镜，其中，所述显微镜包括：第一连接部和第二连接部；所述第一连接部与所述第二连接部连接；所述图像处理模块设置在所述第一连接部与所述第二连接部连接的一侧。4.如权利要求1所述掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述风刀系统包括多个微型正方形风孔。5.一种掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述掩模版缺陷处理方法应用于如权利要求1
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4任一项所述的掩模版缺陷处理装置，所述掩模版缺陷处理方法包括：通过图像识别单元采集掩模版上的缺陷尺寸，并通过所述图像识别单元将所述缺陷尺寸分别上传至滴液控制单元和风刀控制单元；在所述滴液控制单元接收到所述缺陷尺寸后，根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积；在所述风刀控制单元接收到所述缺陷尺寸后，通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。6.如权利要求5所述掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述滴液控制单元设置有映射表，其中，所述映射表存储有多个缺陷阈值区间；所述根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积的步骤，包括：根据所述滴液控制单元从所述映射表中查找所述缺陷尺寸所属的目标缺陷阈值区间，其中，所述目标缺陷阈值区间是指多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：何祥，雷健，崔嘉豪，柯汉奇，张成忠，
申请(专利权)人：深圳市龙图光罩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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