曝光辅助图形的优化方法技术

本发明专利技术提供了一种曝光辅助图形的优化方法。利用辅助图形的历史数据建立光学验证模型，并通过该光学验证模型对当前添加的辅助图形进行验证，以判断出当前的辅助图形的曝出概率，实现更高精度、更高效率的添加辅助图形，并能够更高效的完成后续的OPC修正过程。能够更高效的完成后续的OPC修正过程。能够更高效的完成后续的OPC修正过程。

【技术实现步骤摘要】
曝光辅助图形的优化方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种曝光辅助图形的优化方法。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，通常是将集成电路的版图图案设计在掩模版上，再利用该掩模版执行光刻工艺以将掩模版上的版图图案转移至基板上。而随着半导体器件尺寸的不断缩减，在进行光刻工艺以实现图形转移时容易出现图形失真的现象。
[0003]为了解决图形失真的问题一般可以对版图图案进行光学临近修正(Optical Proximity Correction，OPC)，所述OPC方法具体是对版图中的图案进行光刻前的预处理，通过对图形进行预先补偿，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。此外，为了增加图案的对比度，通常还会在版图上添加辅助图形(例如，散射条Sbar)，该辅助图形在曝光后并不希望被形成于基板上，因此，在添加辅助图形时需要对所添加的辅助图形进行限制并检查，以避免散射图形最终被曝出至基板上。
[0004]目前，添加辅助图形的过程和OPC修正过程通常都是同时进行的，例如：在添加辅助图形之后，直接执行OPC修正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光辅助图形的优化方法，其特征在于，包括：步骤S01，收集辅助图形的历史数据，包括：辅助图形的工艺窗口数据及其在基板上的曝出数据；步骤S02，根据辅助图形的历史数据建立光学验证模型；步骤S03，利用所述光学验证模型对当前添加的辅助图形进行验证，以预估当前添加的辅助图形的曝出概率是满足要求；若否，则执行步骤S04；步骤S04，对当前添加的辅助图形进行图形修正。2.如权利要求1所述的曝光辅助图形的优化方法，其特征在于，在执行步骤S04之后，还包括：返回步骤S03，以对修正后的辅助图形进行验证，直至验证得到的曝出概率满足要求。3.如权利要求1或2所述的曝光辅助图形的优化方法，其特征在于，还包括：步骤S05，对含有辅助图形的版图执行光学邻近效应修正和光学规则检查，并在检查结果不符合要求时，对版图进行光学邻近效应修正，直至检查结果符合要求。4.如权利要求1所述的曝光辅助图形的优化方法，其特征在于，在相邻的主要图形之间添加有至少一条所述辅助图形。5.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁苗苗，李文章，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：