一种走线补充掩膜板及模组结构制造技术

技术编号:34196909 阅读:59 留言:0更新日期:2022-07-17 17:18
本实用新型专利技术公开了一种走线补充掩膜板,包括多条遮光走线,还包括至少一个曝光不匀区,各条遮光走线在所述曝光不匀区内的一侧走线密度较大、另一侧走线密度较小;至少一个曝光不匀区设有至少一个遮光补偿部,所述遮光补偿部位于对应遮光走线的走线密度较小一侧。该走线补充掩膜板及模组结构,可补偿所述外围走线因其两侧走线密度不同而引起的过曝现象。本实用新型专利技术还公开了一种走线补充模组结构。用新型还公开了一种走线补充模组结构。用新型还公开了一种走线补充模组结构。

A wiring supplement mask and module structure

【技术实现步骤摘要】
一种走线补充掩膜板及模组结构


[0001]本技术涉及走线制作技术,尤其涉及一种走线补充掩膜板及模组结构。

技术介绍

[0002]中国专利公开了一种显示屏,如图1所示,包括显示区域1

和外围区域2

,所述显示区域1

内设有显示电路,所述外围区域2

设有绑定区域3

,所述绑定区域3

内设有多个绑定引脚31

;所述外围区域2

还设有多条外围走线21

,各条外围走线21

连接于所述显示电路与对应的绑定引脚31

之间,以在所述显示电路与对应的绑定引脚31

之间传输显示信号。
[0003]在现有技术中,上述显示屏的外围走线21

采用掩膜板曝光刻蚀的方式制成。制作时,先铺设一层金属材料,然后再在所述金属材料上覆盖一层光刻胶,接着采用具有遮光走线图案的掩膜板对所述光刻胶进行曝光,所述光刻胶上被曝光的区域会发生材料变性,然后再采用显影液去掉所述光刻胶上被曝光的区域,以局部露出下层的金属材料,而留下未被曝光的光刻胶,接着再采用刻蚀液对露出的金属材料进行刻蚀,而留下的光刻胶会保护其下方的金属材料以形成所述外围走线21

,最后剥离剩余的光刻胶。由于各条外围走线21

与所述显示电路的连接位置不同,且各个绑定引脚31

的位置也不同,故所述外围走线21

需要采用拐角进行走线,这就导致各条外围走线21

在所述拐角处出现一侧走线密度较大、另一侧走线密度较小的情况。在采用掩膜板进行曝光时,走线密度的不同会导致光线衍射程度的不同,故所述外围走线21

在所述拐角处走线密度较大一侧的曝光程度会小于在所述拐角处走线密度较小一侧,若采用的曝光光量满足在所述拐角处走线密度较大一侧的曝光需求的话,则在所述拐角处走线密度较小一侧则会出现过曝的不良情况,刻蚀后表现为如图2所示的线宽变小、甚至断线,若采用的曝光光量满足在所述拐角处走线密度较小一侧的曝光需求的话,则在所述拐角处走线密度较大一侧则会出现欠曝的不良情况,刻蚀后表现为与相邻的外围走线21

短接。又由于显示屏的显示区域1

要大于其绑定区域3

,所述外围走线21

在靠近所述显示区域1

的拐角处两侧的走线密度差异更大,这种过曝现象在靠近所述显示区域1

的一端尤为明显。
[0004]上述技术问题也同样存在于触摸屏的外围走线中。

技术实现思路

[0005]为了解决上述现有技术的不足,本技术提供一种走线补充掩膜板及模组结构,可补偿所述外围走线因其两侧走线密度不同而引起的过曝现象。
[0006]本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
[0007]一种走线补充掩膜板,包括多条遮光走线,还包括至少一个曝光不匀区,各条遮光走线在所述曝光不匀区内的一侧走线密度较大、另一侧走线密度较小;至少一个曝光不匀区设有至少一个遮光补偿部,所述遮光补偿部位于对应遮光走线的走线密度较小一侧。
[0008]进一步地,所述遮光补偿部与对应的遮光走线为一体结构。
[0009]进一步地,所述遮光补偿部与对应的遮光走线为分体结构。
[0010]进一步地,所述遮光补偿部与对应的遮光走线的间距,等于各条遮光走线在所述曝光不匀区内的间距。
[0011]进一步地,该走线补充掩膜板除了所述遮光走线和遮光补偿部之外均为镂空结构。
[0012]一种走线补充模组结构,包括多条外围走线,还包括至少一个密度不匀区,各条外围走线在所述密度不匀区内一侧走线密度较大、另一侧走线密度较小;至少一个密度不匀区设有至少一个走线补充部,各个走线补充部位于对应外围走线的走线密度较小一侧。
[0013]进一步地,所述走线补充部与对应的外围走线为一体结构。
[0014]进一步地,所述走线补充部与对应的外围走线为分体结构。
[0015]进一步地,所述走线补充部与对应的外围走线之间的间距,等于各条外围走线在所述密度不匀区内的间距。
[0016]进一步地,还包括功能区和外围区,所述外围区围绕所述功能区,所述外围区设有绑定区,所述绑定区内设有多个绑定引脚;所述外围走线设于所述外围区内且从所述功能区延伸至所述绑定区内,与对应的绑定引脚相连接。
[0017]本技术具有如下有益效果:该走线补充掩膜板通过在所述遮光走线的走线密度较小一侧设置对应的遮光补偿部,在采用正常曝光光量时,可将所述遮光走线因其一侧走线密度较小而导致的过曝不良转移到所述遮光补偿部上,这样制作出来的外围走线就不会因为被过度刻蚀而出现局部线宽变小、甚至断线的问题,充分保证了产品的稳定性。
附图说明
[0018]图1为现有的显示屏的示意图;
[0019]图2为图1所示的显示屏中外围走线的示意图;
[0020]图3为本技术提供的走线补充掩膜板的示意图;
[0021]图4为本技术提供的另一走线补充掩膜板的示意图;
[0022]图5为本技术提供的走线补充模组结构的示意图;
[0023]图6为图5所示的走线补充模组结构中外围走线的示意图;
[0024]图7为本技术提供的另一走线补充模组结构的示意图;
[0025]图8为图7所示的走线补充模组结构中外围走线的示意图。
具体实施方式
[0026]下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。
[0027]在本技术的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对
本技术的限制。
[0028]此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0029]在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种走线补充掩膜板,包括多条遮光走线,其特征在于,还包括至少一个曝光不匀区,各条遮光走线在所述曝光不匀区内的一侧走线密度较大、另一侧走线密度较小;至少一个曝光不匀区设有至少一个遮光补偿部,所述遮光补偿部位于对应遮光走线的走线密度较小一侧。2.根据权利要求1所述的走线补充掩膜板,其特征在于,所述遮光补偿部与对应的遮光走线为一体结构。3.根据权利要求1所述的走线补充掩膜板,其特征在于,所述遮光补偿部与对应的遮光走线为分体结构。4.根据权利要求3所述的走线补充掩膜板,其特征在于,所述遮光补偿部与对应的遮光走线的间距,等于各条遮光走线在所述曝光不匀区内的间距。5.根据权利要求1所述的走线补充掩膜板,其特征在于,该走线补充掩膜板除了所述遮光走线和遮光补偿部之外均为镂空结构。6.一种走线补充模组结构,包括多条外围走线,其特征在于,还包括至少一个密度不...

【专利技术属性】
技术研发人员:余光棋汪雨廷王欢董欣王新志
申请(专利权)人:信利仁寿高端显示科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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