光罩的缺陷的修复方法、修复装置和光罩的修复系统制造方法及图纸

本申请提供了一种光罩的缺陷的修复方法、修复装置和光罩的修复系统，该修复方法包括：确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，缺陷信息包括缺陷的位置信息以及尺寸信息，缺陷为位于目标光罩的透明区的铬层；根据缺陷信息，控制对缺陷进行干法刻蚀处理，以去除缺陷，得到修复后的光罩。该方法通过干法刻蚀去除目标光罩的透明区的铬层，无需使用激光去除缺陷，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。保证了修复效果较好。保证了修复效果较好。

【技术实现步骤摘要】
光罩的缺陷的修复方法、修复装置和光罩的修复系统


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种光罩的缺陷的修复方法、修复装置、计算机可读存储介质、处理器和光罩的修复系统。

技术介绍

[0002]常规解决掩模版的多余铬的缺陷的方式是采用激光修版机进行修补，对位于透明区的多余铬，激光修补机修补后会对修补区域的透光率造成影响。
[0003]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种光罩的缺陷的修复方法、修复装置、计算机可读存储介质、处理器和光罩的修复系统，以解决现有技术中激光修版机去除多余的铬缺陷会对修补区域的透光率造成影响的问题。
[0005]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种光罩的缺陷的修复方法，包括：确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，所述缺陷信息包括所述缺陷的位置信息以及尺寸信息，所述缺陷为位于所述目标光罩的透明区的铬层；根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩。
[0006]可选地，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，包括：控制缺陷检查机台对所述目标光罩进行检查，以确定所述目标光罩是否包括所述缺陷；在确定所述目标光罩包括所述缺陷的情况下，获取所述缺陷信息。
[0007]可选地，根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩，包括：根据所述缺陷的所述尺寸信息，确定所述缺陷的最大宽度是否大于10μm；在确定所述最大宽度大于10μm的情况下，根据所述位置信息以及所述尺寸信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷。
[0008]可选地，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，包括：控制在所述目标光罩的表面设置光刻胶层，并对所述光刻胶层进行烘干处理；根据所述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进行曝光，得到预备光罩，所述光刻胶区域为所述光刻胶层的覆盖所述缺陷的部分；控制对所述预备光罩进行显影处理；控制刻蚀气体对显影处理后的所述预备光罩进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的所述光罩，且修复后的所述光罩的侧向角度小于5
°
，所述侧向角度为修复后的所述光罩的铬层的边缘线与预定方向的夹角，所述预定方向与所述光罩的厚度方向平行。
[0009]可选地，所述刻蚀气体包括氯气和氧气，所述氯气的体积分数和所述氧气的体积分数的比值在8～10之间。
[0010]可选地，根据所述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进
行曝光，包括：获取所述目标光罩的定位标记；根据所述定位标记和所述缺陷信息，控制所述电子束曝光机台对所述光刻胶区域进行对准；控制对准后的所述电子束曝光机台对所述光刻胶区域进行曝光。
[0011]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种光罩的缺陷的修复装置，包括确定单元和控制单元，其中，所述确定单元用于确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，所述缺陷信息包括所述缺陷的位置信息以及尺寸信息，所述缺陷为位于所述目标光罩的透明区的铬层；所述控制单元用于根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩。
[0012]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。
[0013]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。
[0014]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种光罩的修复系统，包括一个或多个处理器、存储器、显示装置以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行任意一种所述的方法。
[0015]本申请的光罩的缺陷的修复方法，首先确定目标光罩上的缺陷的缺陷信息，所述缺陷为位于所述目标光罩的透明区的铬层；然后根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩。本申请的所述方法，通过干法刻蚀去除所述目标光罩的透明区的铬层，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
附图说明
[0016]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0017]图1示出了根据本申请的实施例的光罩的缺陷的修复方法生成的流程示意图；
[0018]图2示出了根据本申请的实施例的光罩的缺陷的修复装置的示意图。
具体实施方式
[0019]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0020]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0021]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具
有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0022]应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
[0023]正如
技术介绍
中所说的，现有技术中激光修版机去除多余的铬缺陷会对修补区域的透光率造成影响，为了解决上述问题，本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种光罩的缺陷的修复方法、修复装置、计算机可读存储介质、处理器和光罩的修复系统。
[0024]根据本申请的实施例，提供了一种光罩的缺陷的修复方法。
[0025]图1是根据本申请实施例的光罩的缺陷的修复方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：
[0026]步骤S101，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，上述缺陷信息包括上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩的缺陷的修复方法，其特征在于，包括：确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，所述缺陷信息包括所述缺陷的位置信息以及尺寸信息，所述缺陷为位于所述目标光罩的透明区的铬层；根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，包括：控制缺陷检查机台对所述目标光罩进行检查，以确定所述目标光罩是否包括所述缺陷；在确定所述目标光罩包括所述缺陷的情况下，获取所述缺陷信息。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩，包括：根据所述缺陷的所述尺寸信息，确定所述缺陷的最大宽度是否大于10μm；在确定所述最大宽度大于10μm的情况下，根据所述位置信息以及所述尺寸信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，包括：控制在所述目标光罩的表面设置光刻胶层，并对所述光刻胶层进行烘干处理；根据所述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进行曝光，得到预备光罩，所述光刻胶区域为所述光刻胶层的覆盖所述缺陷的部分；控制对所述预备光罩进行显影处理；控制刻蚀气体对显影处理后的所述预备光罩进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的所述光罩，且修复后的所述光罩的侧向角度小于5
°
，所述侧向角度为修复后的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿明春，
申请(专利权)人：无锡迪思微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：