本申请提供了一种掩模版的参数监控方法、装置及计算机可读存储介质，该方法包括：首先，提供基准掩模版；然后，借助基准掩模版，获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与掩模版尺寸之间的第二关系，掩模版尺寸至少包括掩模版关键尺寸；之后，提供待测掩模版，获取待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值；最后，基于待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值、第一关系以及第二关系，确定待测掩模版的相位角监控变化值和透射率监控变化值。仅需测量待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值，避免使用较为昂贵的专用设备以及较为局限的方法，即可获得待测掩模版的相位角监控变化值和透射率监控变化值，参数监控的准确性高且成本较低。参数监控的准确性高且成本较低。参数监控的准确性高且成本较低。
【技术实现步骤摘要】
掩模版的参数监控方法、装置及计算机可读存储介质
[0001]本申请涉及监控领域，具体而言，涉及一种掩模版的参数监控方法、装置及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]在相位掩模版制造生产过程中，相位角和透射率精度是至关重要的参数。
[0003]目前，主要采用MPM(Mask Phase
‑
Shift&Transmittance Measurement)设备测量掩模版相位角和透射率。其量测原理是利用特定波长的光照射在掩模版上，经过设备的光栅孔径进行空间相干性处理，使移位器图案的图像投影在仪器的信号接收处，后续通过干涉仪对光楔进行扫描，测量光强信号的相位进而计算得出数值，即相位角以及透射率所需要的测量手段较为局限，且测量设备均较为昂贵。
[0004]因此，亟需一种较为简单且可靠的方式，来实现掩模版的相位角以及透射率的监控。
[0005]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
[0006]基于此，有必要针对所述的至少一个问题，提供一种掩模版的参数监控方法、装置及计算机可读存储介质。
[0007]为了实现所述目的或其他目的，第一方面，提供了一种掩模版的参数监控方法，所述方法包括：提供基准掩模版；借助所述基准掩模版，获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，所述掩模版尺寸至少包括掩模版关键尺寸；提供待测掩模版，获取所述待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值；基于所述待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值、所述第一关系以及所述第二关系，确定所述待测掩模版的相位角监控变化值和透射率监控变化值。
[0008]可选地，所述获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，包括：对所述基准掩模版进行N次膜层减薄处理；每次膜层减薄处理后，均获取所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值、相位角实测变化值以及透射率实测变化值，得到所述基准掩模版的N组实测变化值，其中，所述基准掩模版的每组实测变化值均包括同一次所述膜层减薄处理后得到的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值、相位角实测变化值以及透射率实测变化值，且1≤N≤5；基于所述基准掩模版的所述N组实测变化值，得到所述第一关系和所述第二关系。
[0009]可选地，所述获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，包括：所述基准掩模版为多个；对每个所述基准掩模版均分别进行N次膜层减薄处理，并得到每个所述基准掩模版各自的所述N组实测变化值；基于多个所述
基准掩模版各自的所述N组实测变化值，得到所述第一关系和所述第二关系。
[0010]可选地，所述每次膜层减薄处理后，均获取所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值、相位角实测变化值以及透射率实测变化值，得到所述基准掩模版的N组实测变化值，包括：每次膜层减薄处理前，借助量测设备获取每次膜层减薄处理前的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值、相位角实测值以及透射率实测值；每次膜层减薄处理后，借助量测设备获取每次膜层减薄处理后的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值、相位角实测值以及透射率实测值；每次膜层减薄处理前的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值与本次膜层减薄处理后的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值之间的差值即为所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值，每次膜层减薄处理前的所述基准掩模版的相位角实测值与本次膜层减薄处理后的所述基准掩模版的相位角实测值之间的差值即为所述基准掩模版的相位角实测变化值每次膜层减薄处理前的所述基准掩模版的透射率实测值与本次膜层减薄处理后的所述基准掩模版的透射率实测值之间的差值即为所述基准掩模版的透射率实测变化值。
[0011]可选地，所述获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，包括：所述第一关系为所述相位角与所述掩模版尺寸满足第一关系式，所述第一关系式为：F＝AL2+BL+C，其中，F为所述相位角，L为所述掩模版尺寸，A、B以及C为常数，所述A、B以及C均基于所述基准掩模版的所述N组实测变化值经数据拟合得到；所述第二关系为所述透射率与所述掩模版尺寸满足第二关系式，所述第二关系式为：T＝DL2+EL+G，其中，T为所述透射率，L为所述掩模版尺寸，D、E以及G为常数，所述D、E以及G均基于所述基准掩模版的所述N组实测变化值经数据拟合得到。
[0012]可选地，所述对所述基准掩模版进行N次膜层减薄处理，包括：对所述基准掩模版进行N次清洗处理。
[0013]可选地，所述基准掩模版和所述待测掩模版均包括层叠的基板、第一金属层以及第二金属层，所述基板的材料包括玻璃，所述第一金属层的材料包括钼化硅，所述第二金属层的材料包括铬。
[0014]可选地，所述获取所述待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值，包括：获取所述待测掩模版的所述第二金属层的尺寸实测变化值。
[0015]第二方面，还提供了一种掩模版的参数监控装置，所述装置包括提供单元、第一获取单元、第二获取单元以及确定单元，其中，所述提供单元用于提供基准掩模版；所述获取单元用于借助所述基准掩模版，获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，所述掩模版尺寸至少包括掩模版关键尺寸；所述第二获取单元用于提供待测掩模版，获取所述待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值；所述确定单元用于基于所述待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值、所述第一关系以及所述第二关系，确定所述待测掩模版的相位角监控变化值和透射率监控变化值。
[0016]第三方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序用于执行任一种所述的方法。
[0017]本申请的所述掩模版的参数监控方法，通过先获取所述基准掩模版的所述第一关系以及所述第二关系，即获取所述相位角与所述掩模版尺寸的关系，以及获取所述透射率与所述掩模版尺寸的关系，再通过获取所述待测掩模版的所述掩模版尺寸实测变化值，并根据所述掩模版尺寸实测变化值、所述第一关系以及所述第二关系，确定所述待测掩模版
的所述相位角监控变化值和透射率监控变化值，保证了可以通过所述相位角以及所述掩模版尺寸的所述第一关系，以及所述透射率与所述掩模版尺寸的所述第二关系，得到所述待测掩模版的所述相位角监控变化值以及透射率监控变化值。即仅需测量待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值，避免使用较为昂贵的专用设备以及较为局限的方法，即可获得待测掩模版的相位角监控变化值和透射率监控变化值，参数监控的准确性高且成本较低。
附图说明
[0018]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0019]图1示出了根据本申请的实施例的掩模版的参数监控方法流程本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模版的参数监控方法，其特征在于，所述方法包括：提供基准掩模版；借助所述基准掩模版，获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，所述掩模版尺寸至少包括掩模版关键尺寸；提供待测掩模版，获取所述待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值；基于所述待测掩模版的掩模版尺寸实测变化值、所述第一关系以及所述第二关系，确定所述待测掩模版的相位角监控变化值和透射率监控变化值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，包括：对所述基准掩模版进行N次膜层减薄处理；每次膜层减薄处理后，均获取所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值、相位角实测变化值以及透射率实测变化值，得到所述基准掩模版的N组实测变化值，其中，所述基准掩模版的每组实测变化值均包括同一次所述膜层减薄处理后得到的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值、相位角实测变化值以及透射率实测变化值，且1≤N≤5；基于所述基准掩模版的所述N组实测变化值，得到所述第一关系和所述第二关系。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取相位角与掩模版尺寸之间的第一关系，获取透射率与所述掩模版尺寸之间的第二关系，包括：所述基准掩模版为多个；对每个所述基准掩模版均分别进行N次膜层减薄处理，并得到每个所述基准掩模版各自的所述N组实测变化值；基于多个所述基准掩模版各自的所述N组实测变化值，得到所述第一关系和所述第二关系。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述每次膜层减薄处理后，均获取所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值、相位角实测变化值以及透射率实测变化值，得到所述基准掩模版的N组实测变化值，包括：每次膜层减薄处理前，借助量测设备获取每次膜层减薄处理前的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值、相位角实测值以及透射率实测值；每次膜层减薄处理后，借助量测设备获取每次膜层减薄处理后的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值、相位角实测值以及透射率实测值；每次膜层减薄处理前的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值与本次膜层减薄处理后的所述基准掩模版的掩模版尺寸实测值之间的差值即为所述基准掩模版的掩模版尺寸实测变化值；每次膜层减薄处理前的所述基准掩模版的相位角实测值与本次膜层减薄处...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿明春，
申请(专利权)人：无锡迪思微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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