【技术实现步骤摘要】
检测图案单元、图案检测方法及图案检测系统
[0001]本专利技术涉及一种用于监控半导体制程的检测图案单元、图案检测方法及图案检测系统，特别是涉及一种适用于监控半导体图案化制程的检测图案单元、图案检测方法及图案检测系统。
技术介绍
[0002]于半导体产业中，主要是利用微影技术制作欲形成于晶圆上的线路图案，大致来说，是预先设计好光罩数据图案，以此进行绘制而取得光罩，并依据光学成像原理将所述光罩上的图案投影至所述晶圆，再经由曝光、显影或蚀刻等图案化制程于所述晶圆上形成所述线路图案，其中，所述经制程后形成于所述晶圆的所述线路图案的线路的精细度、线宽大小的准确性，对于后续所产生得到的半导体元件的电性稳定度、微型化的程度有着关键性的影响。
[0003]由于在微影制程中，于晶圆上所制得的线路图案往往会基于边缘放置误差(edge placement error)、光绕射效应、聚焦变形等因素而与预先设计的GDS(Graphic design system)数据图案或光罩数据图案产生差异，因此，业界经常利用光学邻近修正(optical...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测图案单元，供用于半导体图案化制程，其特征在于：包含：内图案层，具有至少一个检测图案；及外图案层，位于所述内图案层的外侧而成方形，具有沿彼此正交的第一方向及第二方向两两相对的定位检测图案，其中，彼此相对的两个定位检测图案具有相同的节距，相邻的两个定位检测图案的节距可为相同或不同。2.根据权利要求1所述的检测图案单元，其特征在于：所述定位检测图案于邻近及远离所述内图案层的其中至少一底边的连线会位于一直线，而形成底边连线，且任相邻的两个定位检测图案的底边连线成直角相交。3.根据权利要求1所述的检测图案单元，其特征在于：还包含至少一辅助图案层，所述至少一辅助图案层位于所述外图案层的至少其中一侧边，具有多个沿所述至少其中一侧边间隔排列的辅助图案，且所述辅助图案于邻近或远离所述外图案层的其中至少一底边的连线不在同一直线。4.根据权利要求3所述的检测图案单元，其特征在于：所述辅助图案远离所述外图案层的底边的连线不在同一直线。5.一种图案检测方法，供用于检测半导体制程的制程图案，其特征在于：包含：选取步骤，取得具有如权利要求1所述的检测图案单元，及经图案化制程后形成于基材的预定区域内并具有与所述检测图案单元相应的线路图案单元，且所述线路图案单元具有多个与所述定位检测图案相应并具有相同节距的定位线路图案；定位步骤，利用所述定位线路图案沿两个彼此相交的方向各自产生至少二条线路图案连线，及至少四个由所述线路图案连线产生的线路连线交点，并于所述检测图案单元产生与所述线路图案连线位置相应的检测图案连线，及由所述检测图案连线产生的至少四个检测连线交点，将所述线路图案单元及所述检测图案单元重叠，并调整所述线路图案单元及所述检测图案单元的其中至少一者至令相应的所述线路图案连线及所述检测图案连线的两端彼此重合，或是令所述线路连线交点及所述检测连线交点重合，以得到多个对位图案，其中，每一个对位图案是由彼此相应的线路图案及检测图案构成；及检测步骤，计算至少一对位图案的线路图案与相应的检测图案的差异，以得到相应的检测结果。6.根据权利要求5所述的图案检测方法，其特征在于：还包含实施于所述检测步骤后的图案校正步骤，通过所述检测结果修正GDS、GDSII、OASIS、MEBES、CAD，或EDA，以产生可用于校正光罩图案的校正数据图样单元。7.根据权利要求5所述的图案检测方法，其特征在于：还包含警示步骤，所述警示步骤是将所述检测结果与默认值进行比对，其中，所述默认值是制程容许值或使用者自行设定的标准值，所述警示步骤是当所述检测结果超过所述默认值，则发出警示信号。8.根据权利要求7所述的图案检测方法，其特征在于：所述默认值是所述制程图案单元的关键尺寸、节距、面积、弧度，及边缘位置误差的其中至少一种，所述检测结果包括所述线路图案与相应的检测图案间的关键尺寸差异、对位误差差异，及边缘位置误差的其中至少一种。9.根据权利要求5或7所述的图案检测方法，其特征在于：还包含实施于所述检测步骤后...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄天兴，
申请(专利权)人：普思半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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