本申请提供了一种工艺热点的确定方法、装置和光刻版图设计系统，该方法包括：第一绘制步骤，将基层图层以外的所有的图层的通孔图案绘制在基层图层上，得到通孔图案版图；第二绘制步骤，以各基层图层通孔图案的中心为圆心，以预定距离为半径，在通孔图案版图上绘制多个扫描圆；第一确定步骤，将通孔图案版图中与各扫描圆存在重叠区域的通孔图案确定为异常通孔图案；第二确定步骤，将扫描圆对应的异常通孔图案和扫描圆对应的基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，完成基层图层的扫描；重复步骤，依次重复第一绘制步骤、第二绘制步骤、第一确定步骤和第二确定步骤至少一次，直至完成所有的图层扫描，解决现有技术中工艺热点的检测效率低的问题。测效率低的问题。测效率低的问题。
【技术实现步骤摘要】
工艺热点的确定方法、装置和光刻版图设计系统
[0001]本申请涉及集成电路设计
，具体而言，涉及一种工艺热点的确定方法、装置、计算机可读存储介质和光刻版图设计系统。
技术介绍
[0002]良率是集成电路设计/制造中的一个至关重要的评估指标，良率的高低直接影响芯片的可靠性和价格。从DTCO(design technology cooptimization)的角度看，良率优化贯穿从设计到制造的始终，并且是多环节、多步骤协同和迭代的过程。从版图角度看，如何识别影响良率的坏点图形，建立完整坏点图形库，并且据此完成基于同一工艺的其余芯片设计高精度、高效的坏点识别，是避免良率损失的重要途经之一。因此，光刻工艺热点检测技术逐渐成为可制造性设计技术研究的热门领域，研究者希望使用这项技术在版图设计的初级阶段即解决版图的工艺热点问题，避免在后期的制造阶段发现工艺热点。因为后期阶段的重复出版光刻板，查找问题，重复流片不仅消耗大量的人力、物力，还会影响设计产品的上市时间。尤其是在集成电路版图越来越复杂的今天，光刻工艺热点检测技术的效率以及准确率变得尤为重要。
[0003]目前光刻工艺热点的检测分为三种方法：(1)基于光刻工艺仿真的热点检测模式；(2)基于已知热点图形匹配的检测模式；(3)基于机器学习的热点检测模式。这三种方法对于热点的准确性，完善性与检查效率各有优点。由于光刻仿真是对于光刻曝光后产生显影图形轮廓的精确模拟，因此基于光刻仿真结果的热点检测可以看作是光刻工艺热点检测的标准答案。因此，综合而言基于光刻仿真的热点检测在准确性与完善性更为突出，这也是目前业界主流使用其的原因。
[0004]基于光刻工艺仿真的热点检测模式包括以下步骤：1、对所有图形做精确的光学临近效应修正，生成整个芯片的模拟图形；2、在整个芯片范围内查找光刻工艺热点。该类检测模式检测效率低、耗时久。
[0005]基于已知热点图形匹配的检测模式包括以下步骤：1、将已知的工艺热点图形按照风险等级建立热点图形库；2、对输入版图进行预处理；3、对预处理后的版图根据模板尺寸和分割规则进行分割；4、利用热点图形库对分割版图进行搜索匹配；5、得出匹配结果。由于是基于热点库的热点检测，其仅能预测库内热点版图，而无法预测库外或是未知版图。
[0006]基于机器学习的热点检测模式，算法流程大致如下：1、提取待训练版图的特征向量；2、利用机器学习的方法来训练热点，建立识别器模型；3、对输入的设计版图进行切片提取；4、对切片图形进行特征提取；5、通过识别器来识别检切片特征，给出检测结果。该类检测方法由于训练集不能覆盖所有版图结构，局限性十分明显，会出现遗漏或误判等问题。
[0007]在
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部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
[0008]本申请的主要目的在于提供一种工艺热点的确定方法、装置、计算机可读存储介质和光刻版图设计系统，以解决现有技术中工艺热点的检测效率低的问题。
[0009]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种工艺热点的确定方法，光刻版图包括多层图层，各所述图层均包括多个通孔图案，所述方法包括：第一绘制步骤，将基层图层以外的所有的所述图层的所述通孔图案绘制在所述基层图层上，得到通孔图案版图，使得所述通孔图案之间的相对位置保持不变，所述基层图层为任意一个所述图层；第二绘制步骤，以各所述基层图层通孔图案的中心为圆心，以预定距离为半径，在所述通孔图案版图上绘制多个扫描圆，所述扫描圆与所述基层图层的所述通孔图案一一对应，所述基层图层通孔图案为所述基层图层中的所述通孔图案；第一确定步骤，将所述通孔图案版图中与各所述扫描圆存在重叠区域的所述通孔图案确定为异常通孔图案；第二确定步骤，将所述扫描圆对应的所述异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，完成所述基层图层的扫描，所述异常通孔图案组为可能是工艺热点的所述通孔图案的组合；重复步骤，依次重复所述第一绘制步骤、所述第二绘制步骤、所述第一确定步骤和所述第二确定步骤至少一次，直至完成所有的所述图层扫描。
[0010]可选地，所述异常通孔图案组包括两个所述通孔图案，将所述扫描圆对应的所述异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，包括：在所述扫描圆对应的所述异常通孔图案为一个的情况下，将所述扫描圆对应的所述异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为所述异常通孔图案组；在所述扫描圆对应的所述异常通孔图案为多个的情况下，将所述扫描圆对应的目标异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为所述异常通孔图案组，所述目标异常通孔图案为与对应的所述扫描圆的圆心距离最小的所述异常通孔图案。
[0011]可选地，在将所述扫描圆对应的目标异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为所述异常通孔图案组之前，所述方法还包括：绘制所述扫描圆对应的各所述异常通孔图案的外接矩形，得到多个第一外接矩形；计算各所述第一外接矩形的中心与对应的所述扫描圆的圆心距离，得到多个通孔图案距离；将所述通孔图案距离最小的所述异常通孔图案确定为所述目标异常通孔图案。
[0012]可选地，在所述第二确定步骤之后，在所述重复步骤之前，所述方法还包括：隐藏所述基层图层。
[0013]可选地，在所述第二绘制步骤之前，所述方法还包括：绘制各所述基层图层通孔图案的外接矩形，得到多个第二外接矩形，所述第二外接矩形与所述基层图层通孔图案一一对应；将所述第二外接矩形的中心确定为对应的所述基层图层通孔图案的中心。
[0014]可选地，在所述重复步骤之后，所述方法还包括：调整所述光刻版图，以消除所有的所述异常通孔图案组。
[0015]可选地，同一所述图层的任意两个所述通孔图案之间的距离大于所述预定距离。
[0016]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种工艺热点的确定装置，光刻版图包括多层图层，各所述图层均包括多个通孔图案，所述装置包括：第一绘制单元，用于执行第一绘制步骤，将基层图层以外的所有的所述图层的所述通孔图案绘制在所述基层图层上，得到通孔图案版图，使得所述通孔图案之间的相对位置保持不变，所述基层图层为任意一
个所述图层；第二绘制单元，用于执行第二绘制步骤，以各所述基层图层通孔图案的中心为圆心，以预定距离为半径，在所述通孔图案版图上绘制多个扫描圆，所述扫描圆与所述基层图层的所述通孔图案一一对应，所述基层图层通孔图案为所述基层图层中的所述通孔图案；第一确定单元，用于执行第一确定步骤，将所述通孔图案版图中与各所述扫描圆存在重叠区域的所述通孔图案确定为异常通孔图案；第二确定单元，用于执行第二确定步骤，将所述扫描圆对应的所述异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，完成所述基层图层的扫描，所述异常通孔图案组为可能是工艺热点的所述通孔图案的组合；重复单元，用于执本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种工艺热点的确定方法，其特征在于，光刻版图包括多层图层，各所述图层均包括多个通孔图案，所述方法包括：第一绘制步骤，将基层图层以外的所有的所述图层的所述通孔图案绘制在所述基层图层上，得到通孔图案版图，使得所述通孔图案之间的相对位置保持不变，所述基层图层为任意一个所述图层；第二绘制步骤，以各所述基层图层通孔图案的中心为圆心，以预定距离为半径，在所述通孔图案版图上绘制多个扫描圆，所述扫描圆与所述基层图层的所述通孔图案一一对应，所述基层图层通孔图案为所述基层图层中的所述通孔图案；第一确定步骤，将所述通孔图案版图中与各所述扫描圆存在重叠区域的所述通孔图案确定为异常通孔图案；第二确定步骤，将所述扫描圆对应的所述异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，完成所述基层图层的扫描，所述异常通孔图案组为可能是工艺热点的所述通孔图案的组合；重复步骤，依次重复所述第一绘制步骤、所述第二绘制步骤、所述第一确定步骤和所述第二确定步骤至少一次，直至完成所有的所述图层扫描。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述异常通孔图案组包括两个所述通孔图案，将所述扫描圆对应的所述异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，包括：在所述扫描圆对应的所述异常通孔图案为一个的情况下，将所述扫描圆对应的所述异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为所述异常通孔图案组；在所述扫描圆对应的所述异常通孔图案为多个的情况下，将所述扫描圆对应的目标异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为所述异常通孔图案组，所述目标异常通孔图案为与对应的所述扫描圆的圆心距离最小的所述异常通孔图案。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在将所述扫描圆对应的目标异常通孔图案和所述扫描圆对应的所述基层图层通孔图案确定为所述异常通孔图案组之前，所述方法还包括：绘制所述扫描圆对应的各所述异常通孔图案的外接矩形，得到多个第一外接矩形；计算各所述第一外接矩形的中心与对应的所述扫描圆的圆心距离，得到多个通孔图案距离；将所述通孔图案距离最小的所述异常通孔图案确定为所述目标异常通孔图案。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二确定步骤之后，在所述重复步骤之前，所述方法还包括：隐藏所述基层图层...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓菁，韦亚一，李静静，粟雅娟，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：
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