旋涂方法技术

本发明专利技术提供一种旋涂方法，包括：提供晶圆；将所述晶圆以第一转速转动时，向所述晶圆表面的中心滴入光刻胶，并在滴入光刻胶后，使所述晶圆以所述第一转速转动第一时间段；控制所述晶圆以第二转速转动第二时间段后，控制所述晶圆以第三转速转动第三时间段，所述第三转速大于所述第二转速；控制所述晶圆由所述第三转速转变到第四转速转动后，再从所述第四转速转变到第五转速并转动第五时间段，在所述晶圆的表面形成光刻胶层；解决高粘度光刻胶在转速过大或者过小情况下，晶圆表面堆积光刻胶引起的膜厚和均匀性差等问题，提高光刻工艺的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及旋涂方法。

技术介绍

1、光刻胶旋涂是光刻工艺关键的一步，光刻胶旋涂是指在沉积过程中的将光刻胶层涂敷在晶圆表面。通常情况下，晶圆放置在具有真空吸盘的转轴上，吸盘在高速旋转时可以吸住晶圆。光刻胶溶液滴落在晶圆表面，晶圆旋转时形成的离心力将光刻胶溶液从晶圆中心向外均匀分散。当光刻胶溶液中的溶剂蒸发后，使光刻胶材料涂敷在整个晶圆的表面上。

2、目前，传统的光刻胶涂胶方法，包括四个基本步骤(1)当晶圆片静止(0rpm)或者在低速旋转时，将光刻胶溶液滴在晶圆上。(2)晶圆加速到一定速度后，使光刻胶溶液在该速度下铺展到整个表面，使之成膜。(3)将转速稳定要(一般在2000～8000r/min)大约10s，甩掉多余的光刻胶溶液，从而在晶圆上得到厚度均匀的薄膜。(4)以固定的转速旋涂已涂胶的硅片，直到溶剂全部挥发。然而，在静止或低速度滴入高粘度光刻胶，导致晶圆离心力不足的，不足以将光刻胶甩离晶圆表面，容易将光刻胶堆在晶圆中心。如将转速设置为过大，在离心力的作用下将光刻胶堆积在晶圆边缘，在整个旋涂结束后，导致光刻胶膜厚和均匀性差本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种旋涂方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第一转速大于所述第五转速，所述第五转速大于所述第三转速，所述第三转速大于所述第四转速，所述第四转速大于所述第二转速。

3.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第一转速的范围为2500rpm～3000rpm，所述第一时间段为1s～3s。

4.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第二转速的范围为500rpm～800rpm，所述第二时间段为1.8s～2.6s。

5.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第三转速的范围为1250rpm～175...

【技术特征摘要】

1.一种旋涂方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第一转速大于所述第五转速，所述第五转速大于所述第三转速，所述第三转速大于所述第四转速，所述第四转速大于所述第二转速。

3.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第一转速的范围为2500rpm～3000rpm，所述第一时间段为1s～3s。

4.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第二转速的范围为500rpm～800rpm，所述第二时间段为1.8s～2.6s。

5.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第三转速的范围为1250rpm～1750rpm，所述第三时间段为2.6s～29.8s。

6.如权利要求1所述的旋涂方法，其特征在于，所述第四转速为1000rpm，所述第五转速为2000rpm，所述第五时间段为3s～5s。

7.一种旋涂方法，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的旋涂方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新昌，韦亚一，刘艳松，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：