半导体光刻胶组合物和使用组合物形成图案的方法技术

公开一种半导体光刻胶组合物，包含有机金属化合物、由化学式1表示的添加剂以及溶剂，以及一种使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法。化学式1的细节如说明书中所定义。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体光刻胶组合物和一种使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法。

技术介绍

1、极紫外(extreme ultraviolet；euv)光刻作为用于制造下一代半导体装置的一种基本技术而受到关注。euv光刻是使用波长为约13.5纳米的euv射线作为曝光光源的图案形成技术。根据euv光刻，已知可在半导体装置的制造期间在曝光工艺中形成极精细图案(例如，小于或等于约20纳米)。

2、极紫外(euv)光刻通过相容的光刻胶的显影来实现，其可在小于或等于约16纳米的空间分辨率下进行。目前，正在努力满足用于下一代装置的传统化学放大(chemicallyamplified；ca)光刻胶的不足规格，例如分辨率、感光速度以及特征粗糙度(或也称为线边缘粗糙度或ler(line edge roughness；ler))。

3、因这些聚合物型光刻胶中的酸催化反应所致的固有图像模糊限制小特征尺寸中的分辨率，这在电子束(e束)光刻中已长期为人所知。化学放大(ca)光刻胶针对高敏感性设计，但由于其典型元素组成降低光刻胶在约13.5纳米的波长下的吸光度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体光刻胶组合物，包括

2.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

3.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

4.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

5.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

6.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

7.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

8.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

9.根据权利要求8所述的半导体光刻胶组合物，其中

10.根据权利要求8所述的半导体光刻胶组合物，其中<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体光刻胶组合物，包括

2.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

3.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

4.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

5.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

6.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

7.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

8.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中

9.根据权利要求8所述的半导体光刻胶组合物，其中

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【专利技术属性】
技术研发人员：李旻映，韩承，任相均，金智敏，徐也隐，朴景铃，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：