半导体元件及其制造方法技术

一种半导体元件以及一种制造所述半导体元件的方法，半导体元件包括场板和半导体器件。主体区在具有主表面的半导体材料中形成。栅槽在外延层中形成，并且栅结构在栅槽上形成。源区邻近栅槽而形成并且从主表面延伸到主体区中，以及形成从外延层的主表面穿过源区并穿过主体区的场板槽。场板在场板槽中形成，其中场板与场板槽的侧壁电隔离。对源区、场板和主体区之间形成源－场板－主体接触。对栅区形成栅接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及半导体元件，且更具体地说，涉及功率开关半导体元件。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管("MOSFET")是一类常见的功率开关器件。MOSFET器件包括源区、漏区、在源区和漏区之间延伸的沟道区，以及邻近沟道区设置的栅结构。栅结构包括邻近沟道区设置并靠薄的电介质层与沟道区分隔开的传导的栅电极层。当向栅结构施加足够强度的电压以将MOSFET器件置于导通状态时，在源区和漏区之间形成传导沟道区，从而允许电流流经该器件。当向栅施加的电压不足以引起沟道的形成时，不流通电流，并且MOSFET器件处于截止状态。如本领域技术人员所了解的，MOSFET可以是P沟道场效应晶体管、N沟道场效应晶体管、耗尽型器件等等。 当今的高压功率开关市场主要受两个主要因素驱动击穿电压("BVdss")和导通电阻("Rdson")。对具体的应用场合来说，要求最低的击穿电压，并且在实际应用中，设计者通常能够满足BVdss的规格。然而，这经常是以Rdson为代价的。对高压功率开关器件的制造者和使用者来说，这种性能上的取舍是设计上的主要挑战。另一个挑战的出现是因为功率MOSFET器件在P型传导性主体区(b本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体元件的方法，包括如下步骤：提供具有第一主表面和第二主表面以及具有主体区的半导体材料；在所述半导体材料中形成第一槽，所述第一槽具有至少一个侧壁；在所述第一槽的一部分中形成栅结构；邻近所述第一槽形成源区；在所述半导体材料中形成第二槽，所述第二槽延伸穿过所述源区的一部分并且具有侧壁；在所述第二槽的一部分中形成导电材料；以及形成自对准的电连接，所述自对准的电连接将所述第二槽中的导电材料与所述源区和所述主体区电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：GM格里瓦纳，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]