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一种半导体元件以及一种制造所述半导体元件的方法,半导体元件包括场板和半导体器件。主体区在具有主表面的半导体材料中形成。栅槽在外延层中形成,并且栅结构在栅槽上形成。源区邻近栅槽而形成并且从主表面延伸到主体区中,以及形成从外延层的主表面穿过源区...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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一种半导体元件以及一种制造所述半导体元件的方法,半导体元件包括场板和半导体器件。主体区在具有主表面的半导体材料中形成。栅槽在外延层中形成,并且栅结构在栅槽上形成。源区邻近栅槽而形成并且从主表面延伸到主体区中,以及形成从外延层的主表面穿过源区...