光源优化方法、设备和介质技术

根据本公开的示例实施例提供了光源优化方法、设备和介质。该方法包括获取测试图案、针对测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图，参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的该方法还包括基于参考工艺窗口和第一光源强度图，确定第一成像成本，第一成像成本至少与利用测试图案进行光刻有关。该方法还包括基于第一成像成本，确定光源的目标照明模式。以此方式，可以高效地确定用于新工艺节点的光源照明模式，从而有利地加快新工艺节点的研发进程。进程。进程。

【技术实现步骤摘要】
光源优化方法、设备和介质


[0001]本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及光源优化方法、设备和介质。

技术介绍

[0002]光刻工艺是主导集成电路线宽的重要工艺之一。在先进半导体工艺节点中，光刻的工艺参数在很大程度上影响了光刻成像的质量。光源在光刻工艺中具有重要影响。光源掩模优化(SMO)是一种分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology，RET)。在SMO过程中，需要进行光源优化(SO)，以改善工艺窗口。

技术实现思路

[0003]在本公开的第一方面中，提供了一种光源优化方法。在该方法中，获取测试图案、针对测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图，参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的。该方法还包括基于参考工艺窗口和第一光源强度图，确定第一成像成本，第一成像成本至少与利用测试图案进行光刻有关。该方法还包括基于第一成像成本，确定光源的目标照明模式。
[0004]在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的方法。
[0005]在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。
[0006]应当理解，本
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。
附图说明
[0007]结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：
[0008]图1A示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；
[0009]图1B示出了光源的示例照明模式的示意图；
[0010]图1C示出了光源的另一示例照明模式的示意图；
[0011]图2示出了根据本公开的一些实施例的光源优化方法的流程图；
[0012]图3示出了根据本公开的一些实施例的确定第一成像成本的示例过程的流程图；
[0013]图4示出了根据本公开的一些实施例的确定目标照明模式的示例过程的流程图；
[0014]图5示出了根据本公开的一些实施例的确定工艺参数的方法的流程图；
[0015]图6示出了根据本公开的一些实施例的确定第三仿真图案的示例过程的流程图；
[0016]图7示出了根据本公开的一些实施例的参考工艺窗口中的多个初始工艺条件的示意图；
[0017]图8示出了根据本公开的一些实施例的确定候选工艺条件的流程图；以及
[0018]图9示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。
具体实施方式
[0019]下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
[0020]在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
[0021]如本文中所使用的，术语“照明模式”指代是光束在照明系统的光瞳平面中的空间强度分布，其相对于照明系统的轴或光轴居中。照明模式可以包括多种类型，例如常规照明模式、环形照明模式、两极照明模式、四极照明模式。照明模式又可以称为“光源形状”。在本公开的实施例中，“确定照明模式”或类似表述意味着确定照明模式的类型及限定其具体形状的参数。例如，对于环形照明模式，参数包括环形的内径和外径。
[0022]如前文所简要提及的，光源在光刻工艺中具有重要作用。因此，在新工艺节点的开发中，需要进行光源优化。然而，在传统方案中，当没有优化的光源时，也没有对应的优化的工艺。因而，在光源优化中，没有可用的实际测量数据。如何在新工艺节点开发中高效地优化光源是有挑战性的。
[0023]为此，本公开的实施例提供了一种用于光源优化的方案，以解决或者至少部分地解决传统的方法中的上述问题和/或其他潜在问题。根据本公开的实施例，获取测试图案、针对测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图。参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的。基于参考工艺窗口和第一光源强度图，确定第一成像成本。第一成像成本至少与利用所述测试图案进行光刻有关。而后，基于第一成像成本，确定光源的目标照明模式，从而得到优化的光源。
[0024]在本公开的实施例中，以已知的工艺窗口和照明模式作为参考，通过光刻成像仿真，来确定新工艺节点的照明模式。例如，以邻近工艺节点的工艺窗口和照明模式作为出发点，通过仿真的方式确定新工艺节点的照明模式。以此方式，能够在新工艺的开发中高效地优化光源。这可以有利地加快新工艺节点的研发进程。
[0025]图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。在示例环境100中，电子设备101将测试图案102作为输入。在图1的示例中，测试图案102包括具有预定间距(pitch)的两个矩形1021和1022。当然，应当理解的是，这种测试图案102的形式只是示意性的，并不旨在限制本公开的保护范围。在本公开的实施例中，测试图案102可以是任意感兴趣的图案，或者在光刻中易于出问题的图案。下文中将主要以图1的示例图案为例来
描述根据本公开的构思。应当理解的是，具有其他图案或形状的示例图案也是类似的，在下文中将不再分别赘述。
[0026]电子设备101还获取针对测试图案102的参考工艺窗口103。在本文中，术语“工艺窗口”限定一个或多个工艺参数的范围。在如图1所示出的示意图中，参考工艺窗口103示例性地限定了工艺参数中的两个关键因素，即，聚焦值(Focus)和曝光剂量(exposure dose)的范围。应当理解的是，这仅是示例性的，在本公开的实施例中，工艺窗口可以限定任何合适的工艺参数的范围，例如掩模误差增强因子(MEEF)、图像对数斜率(ILS)、归一化图像对数斜率(NILS)等。下文中将主要以聚焦值和曝光剂量作为工艺参数的示例来描述根据本公开的构思。应当理解的是，对于还包括其他参数的情况也是类似的，在下文中将不再分别赘述。此外，图1中所示出的参考工艺窗口103的形状仅是示例性的，而无意限制本公开的范围。参考工艺窗口可以具有任何合适的形状(例如，椭圆形)，本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光源优化方法，其特征在于，包括：获取测试图案、针对所述测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图，所述参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围，所述第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的；基于所述参考工艺窗口和所述第一光源强度图，确定第一成像成本，所述第一成像成本至少与利用所述测试图案进行光刻有关；以及基于所述第一成像成本，确定所述光源的目标照明模式。2.根据权利要求1所述的光源优化方法，其特征在于，基于所述参考工艺窗口和所述第一光源强度图，确定第一成像成本包括：基于所述参考工艺窗口和所述第一光源强度图，通过光刻成像仿真，确定利用所述测试图像进行光刻而形成的多个第一仿真图案，所述多个第一仿真图案分别形成在光刻胶的不同平面上；基于所述多个第一仿真图案，确定用于评估工艺窗口的第一指标的仿真值；以及至少基于所述第一指标的仿真值，确定所述第一成像成本。3.根据权利要求2所述的光源优化方法，其特征在于，所述多个第一仿真图案包括以下至少两项：在光刻胶的中间平面上形成的仿真图案，在所述光刻胶的顶面上形成的仿真图案，在所述光刻胶的底面上形成的仿真图案。4.根据权利要求2所述的光源优化方法，其特征在于，还包括：通过改变所述测试图案，生成附加图案；通过光刻成像仿真，确定利用所述附加图案在所述参考照明模式下进行光刻而形成的第二仿真图案；基于所述第二仿真图案，确定用于评估所述工艺窗口的第二指标的仿真值；并且确定所述第一成像成本包括：基于所述第一指标的仿真值，确定第一成本分量；基于所述第二指标的仿真值，确定第二成本分量；以及将所述第一成本分量和所述第二成本分量组合成所述第一成像成本。5.根据权利要求4所述的光源优化方法，其特征在于，将所述第一成本分量和所述第二成本分量组合成所述第一成像成本包括：按照针对所述测试图案的第一权重和针对所述附加图案的第二权重，对所述第一成本分量和所述第二成本分量进行加权作为所述第一成像成本，其中所述第一权重大于所述第二权重。6.根据权利要求2所述的光源优化方法，其特征在于，所述第一指标与以下至少一项相关联：所述多个第一仿真图案各自的尺寸，与所述多个第一仿真图案相关联的工艺窗口的大小，基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：