CMP工艺预测、预测模型训练方法及装置、计算设备制造方法及图纸

本申请提供了一种CMP工艺预测、预测模型训练方法及装置、计算设备，CMP工艺预测方法包括：获取芯片版图数据中多个待预测点的CMP工艺的版图特征；将版图特征输入至预测模型，以得到每一待预测点的预测结果，预测结果包括CMP工艺的高度值，预测模型包括多个预测子模型；其中，每一个预测子模型包括工艺模拟层，工艺模拟层用于根据CMP工艺的工艺特征模拟CMP工艺。本申请能够提升对CMP工艺预测的准确性，以辅助改进工艺，提高良率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种cmp工艺预测、预测模型训练方法及装置、计算设备。

技术介绍

1、化学机械研磨(chemical mechanical planarization，cmp)技术作为可制造性设计工艺解决方案的关键环节，是目前超大规模集成电路制造中唯一能够实现全局平坦化的广泛应用技术，现已广泛用于集成电路芯片、微型机械系统等表面的平整化。

2、现有技术中，可以针对cmp工艺进行建立模型，帮助预测工艺流程中的坏点(hotspot)，提供关键信息，帮助改进工艺，提高良率。

3、但是，现有技术中的cmp模型对坏点的预测偏差较大，无法提供有效信息。

技术实现思路

1、本申请能够提升对cmp工艺预测的准确性，以辅助改进工艺，提高良率。

2、为了达到上述目的，本申请提供了以下技术方案：

3、第一方面，提供了一种cmp工艺预测方法，cmp工艺预测方法包括：获取芯片版图数据中多个待预测点的cmp工艺的版图特征；将所述版图特征输入至预测模型，以得到每一待预测点的预测结果本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CMP工艺预测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的CMP工艺预测方法，其特征在于，所述工艺模拟层输出氧化层研磨量以及金属层研磨量，所述CMP工艺的高度值基于所述氧化层研磨量以及金属层研磨量计算得到。

3.根据权利要求2所述的CMP工艺预测方法，其特征在于，每一个预测子模型还包括第一处理层和第二处理层，其中，所述第一处理层根据所述版图特征计算氧化层基础研磨量和金属层基础研磨量，所述工艺模拟层根据所述工艺特征以及所述氧化层基础研磨量计算所述氧化层研磨量，并根据所述工艺特征以及所述金属层基础研磨量计算所述金属层研磨量，所述第二处理层基于所述氧化层研...

【技术特征摘要】

1.一种cmp工艺预测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的cmp工艺预测方法，其特征在于，所述工艺模拟层输出氧化层研磨量以及金属层研磨量，所述cmp工艺的高度值基于所述氧化层研磨量以及金属层研磨量计算得到。

3.根据权利要求2所述的cmp工艺预测方法，其特征在于，每一个预测子模型还包括第一处理层和第二处理层，其中，所述第一处理层根据所述版图特征计算氧化层基础研磨量和金属层基础研磨量，所述工艺模拟层根据所述工艺特征以及所述氧化层基础研磨量计算所述氧化层研磨量，并根据所述工艺特征以及所述金属层基础研磨量计算所述金属层研磨量，所述第二处理层基于所述氧化层研磨量以及金属层研磨量计算所述cmp工艺的高度值。

4.根据权利要求3所述的cmp工艺预测方法，其特征在于，所述cmp工艺的高度值为预设基准高度值与复合研磨量的差值，所述复合研磨量与所述氧化层研磨量和所述金属层研磨量相关。

5.根据权利要求1所述的cmp工艺预测方法，其特征在于，所述工艺模拟层的输出激活函数是基于所述工艺特征构建的。

6.根据权利要求1所述的cmp工艺预测方法，其特征在于，所述工艺特征包括以下一种或多种：氧化率、抛光选择比、所述cmp工艺的开始时间、所述cmp工艺的结束时间、电泳的蝶形凹陷值、所述cmp工艺的压力以及所述cmp工艺的管脚变形系数。

7.根据权利要求1所述的cmp工艺预测方法，其特征在于，所述将所述版图特征输入至预测模型包括：

8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：