System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种小型化高增益低轴比的共面天线制造技术_技高网

一种小型化高增益低轴比的共面天线制造技术

技术编号:40821130 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-01 14:40
本申请涉及天线技术领域,提供一种小型化高增益低轴比的共面天线,包括:介质基板,以及共面设置在介质基板上的高频辐射单元和低频辐射单元;低频辐射单元为环状结构,高频辐射单元设置在环状结构中心,且低频辐射单元上的耦合单元深入高频辐射单元的耦合槽多个耦合单元与对应的耦合槽之间的距离相等。在实际应用过程中,通过高频辐射单元和低频辐射单元之间多条缝隙的耦合、耦合槽和耦合单元之间的耦合来改善天线高频阻抗匹配;调谐槽可以在不改变天线面积情况下使高频辐射单元谐振频率偏向低频,从而可以有效缩短高频辐射单元的尺寸;从而在满足设计性能的前提下,提供一种结构简单且容易组装的共面天线。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及天线,具体涉及一种小型化高增益低轴比的共面天线


技术介绍

1、圆极化天线可接收任意方向的线极化来波,具备抗云雨干扰和多径反射的优点;微带天线具有重量轻、体积小、易共形等优点,因此圆极化微带天线广泛运用在导航和移动通信领域。

2、传统方式上,圆极化微带天线工作频段为gps单频,天线实现圆极化方式主要有两种方法:单馈点法和双馈点法,其中,单馈点法通过在辐射贴片上切角、改变辐射贴片的长宽比或合理选择馈点位置等方式来改变电流流向,从而激励起两个极化正交的简并模,实现圆极化辐射。双馈点法是给天线输入等幅且相位差90°的激励,从而实现圆极化。与单馈点法相比,双馈点圆极化天线有更好的圆极化响应,更优的多路径和交叉极化抑制。

3、随着近些年新能源汽车行业迅速发展,尤其无人驾驶概念的提出,定位精度从原先的米级演进到毫米级,传统的单频单馈圆极化微带天线、单频双馈圆极化微带天线性能很难满足当前定位要求,设计一款工作于gps(gps+北斗)双频,且具有高增益、低轴比的小型化天线符合当前对汽车导航定位天线要求。

4、目前市面上双频圆极化微带天线是采用叠层的结构,上方天线实现天线高频,下方天线实现天线低频。根据微带天线原理,在一定范围内,微带天线的性能与天线的高度呈正相关,叠层天线的结构为实现天线高性能通常需要更高的高度,且叠层天线相比共面天线在结构上更为复杂,不易组装。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种小型化高增益低轴比的共面天线,以在满足设计高性能的前提下,提供一种结构简单且容易组装的共面天线。

2、本申请实施例提供的一种小型化高增益低轴比的共面天线,包括:介质基板,以及共面设置在所述介质基板上的高频辐射单元和低频辐射单元;

3、所述低频辐射单元为环状结构,高频辐射单元设置在环状结构中心,且高频辐射单元为在正多边形结构的每一边上开设耦合槽和调谐槽形成的异形结构,所述耦合槽和调谐槽相互连通,且耦合槽远离高频辐射单元的中心,调谐槽靠近高频辐射单元的中心;

4、所述低频辐射单元的环状内圈为在正多边形结构的每一边上设置凸出的耦合单元的异形内圈,所述耦合单元深入耦合槽,且多个耦合单元与对应的耦合槽之间的距离相等。

5、在一种实现方式中,所述耦合槽和所述耦合单元的形状均为梯形,且梯形的短边比长边更靠近高频辐射单元的中心。

6、在一种实现方式中,所述耦合单元在正多边形结构的每一边的中心位置突出。

7、在一种实现方式中,所述耦合槽和调谐槽在正多边形结构的每一边的中心位置开设。

8、在一种实现方式中,还包括贯穿所述耦合单元和所述介质基板的接地孔,所述接地孔连通所述耦合单元和所述介质基板的金属地板。

9、在一种实现方式中,还包括两个贯穿所述高频辐射单元和所述介质基板的高频馈电点,且两个高频馈电点到介质基板中心的距离相等,两个高频馈电点与介质基板中心的连线呈90°,且两个高频馈电点输入等幅且相位差90°的激励。

10、在一种实现方式中,还包括两个贯穿所述低频辐射单元和所述介质基板的低频馈电点,且两个低频馈电点到介质基板中心的距离相等,两个低频馈电点与介质基板中心的连线呈90°,两个低频馈电点输入等幅且相位差90°的激励。

11、在一种实现方式中,所述介质基板的侧面还设置有多个与介质基板的金属地板连接的耦合枝节。

12、在一种实现方式中,所述耦合枝节的形状为椭圆形或多边形结构。

13、在一种实现方式中,所述耦合槽、所述调谐槽和所述耦合单元的数量均为8个。

14、本申请实施例提供一种小型化高增益低轴比的共面天线,包括:介质基板,以及共面设置在介质基板上的高频辐射单元和低频辐射单元;低频辐射单元为环状结构,高频辐射单元设置在环状结构中心,且高频辐射单元为在正多边形结构的每一边上开设耦合槽和调谐槽形成的异形结构,耦合槽和调谐槽相互连通,且耦合槽远离高频辐射单元的中心,调谐槽靠近高频辐射单元的中心;低频辐射单元的环状内圈为在正多边形结构的每一边上设置凸出的耦合单元的异形内圈,耦合单元深入耦合槽,且多个耦合单元与对应的耦合槽之间的距离相等。

15、在实际应用过程中,通过高频辐射单元和低频辐射单元之间多条缝隙的耦合、耦合槽和耦合单元之间的耦合来改善天线高频阻抗匹配;调谐槽可以在不改变天线面积情况下使高频辐射单元谐振频率偏向低频,从而可以有效缩短高频辐射单元的尺寸;从而在满足设计性能的前提下,提供一种结构简单且容易组装的共面天线。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,包括:介质基板(1),以及共面设置在所述介质基板(1)上的高频辐射单元(2)和低频辐射单元(3);

2.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合槽(21)和所述耦合单元(31)的形状均为梯形,且梯形的短边比长边更靠近高频辐射单元(2)的中心。

3.根据权利要求1或2所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合单元(31)在正多边形结构的每一边的中心位置突出。

4.根据权利要求1或2所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合槽(21)和调谐槽(22)在正多边形结构的每一边的中心位置开设。

5.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,还包括贯穿所述耦合单元(31)和所述介质基板(1)的接地孔(4),所述接地孔(4)连通所述耦合单元(31)和所述介质基板(1)的金属地板(8)。

6.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,还包括两个贯穿所述高频辐射单元(2)和所述介质基板(1)的高频馈电点(5),且两个高频馈电点(5)到介质基板(1)中心的距离相等,两个高频馈电点(5)与介质基板中心的连线呈90°,且两个高频馈电点(5)输入等幅且相位差90°的激励。

7.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,还包括两个贯穿所述低频辐射单元(3)和所述介质基板(1)的低频馈电点(6),且两个低频馈电点(6)到介质基板(1)中心的距离相等,两个低频馈电点(6)与介质基板(1)中心的连线呈90°,两个低频馈电点(6)输入等幅且相位差90°的激励。

8.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述介质基板(1)的侧面还设置有多个与介质基板(1)的金属地板(8)连接的耦合枝节(7)。

9.根据权利要求8所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合枝节的(7)形状为椭圆形或多边形结构。

10.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合槽(21)、所述调谐槽(22)和所述耦合单元(31)的数量均为8个。

...

【技术特征摘要】

1.一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,包括:介质基板(1),以及共面设置在所述介质基板(1)上的高频辐射单元(2)和低频辐射单元(3);

2.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合槽(21)和所述耦合单元(31)的形状均为梯形,且梯形的短边比长边更靠近高频辐射单元(2)的中心。

3.根据权利要求1或2所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合单元(31)在正多边形结构的每一边的中心位置突出。

4.根据权利要求1或2所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,所述耦合槽(21)和调谐槽(22)在正多边形结构的每一边的中心位置开设。

5.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,还包括贯穿所述耦合单元(31)和所述介质基板(1)的接地孔(4),所述接地孔(4)连通所述耦合单元(31)和所述介质基板(1)的金属地板(8)。

6.根据权利要求1所述的一种小型化高增益低轴比的共面天线,其特征在于,还包括两个贯穿所述高频辐射单元(...

【专利技术属性】
技术研发人员:张晓鑫汤小俊吴昊高俊健
申请(专利权)人:惠州硕贝德无线科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1