【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例主要涉及集成电路，并且更具体地，涉及用于检测辅助图形曝光的方法、电子设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、电路版图（又可以简称为版图）是从电路设计到电路物理布图实现的一系列几何图形。在版图中，根据待设计电路的具体结构，可以存在密集分布的图形，也可以存在稀疏的图形。密集分布图形的光刻工艺窗口与稀疏图形的光刻工艺窗口是不一样的。如果在同一个版图上既有密集分布的图形又有稀疏的图形，则共同的光刻工艺窗口会比较小。
2、为解决光刻工艺窗口较小的问题，在先进节点中，通常会在版图图案中加入辅助图形（af）图案，以确保成像的工艺窗口和成像质量。辅助图形通常是一些很细小的图形，它们被放置在稀疏的主图形（main feature；mf）的周围，使得稀疏图形在光学的角度上看是密集图形。通过在版图中添加辅助图形图案，不仅可以增大光刻工艺的窗口，同时还可以提升成像质量。因此，辅助图形在光刻
中已经被广泛地应用。
3、在曝光时，添加的辅助图形只对光线起散射作用，而不应该在光刻胶上成像。然而，由于工艺条件的限制、辅助图形的摆放位置不合理或者辅助图形的设计尺寸不合理等因素，在成像的时候，辅助图形可能会被曝光（称为af printing）。应当理解，这种情况是需要被避免的。因此，期望提供一种能够有效、方便地检测辅助图形曝光的技术。
技术实现思路
1、根据本公开的示例实施例，提供了一种用于检测辅助图形曝光的方案。
2、在本公开的第一方面中，提供了一种用于检测
3、在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备，包括一个或多个处理器；以及存储装置，用于存储一个或多个程序，当一个或多个程序被一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行动作。动作包括：提取量测图像中的图案轮廓以生成与量测图像对应的轮廓图像；基于包括辅助图形的版图图案生成中间图案，中间图案包括至少一个辅助图形检测区域；将中间图案与轮廓图像进行对准；以及基于中间图案与轮廓图像的对准，响应于图案轮廓中的至少一个图案轮廓与至少一个辅助图形检测区域中的相应辅助图形检测区域相交，确定检测到辅助图形被曝光。
4、在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。
5、应当理解，
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
【技术保护点】
1.一种用于检测辅助图形曝光的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中基于包括辅助图形的版图图案生成中间图案，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个辅助图形检测区域中的每个辅助图形检测区域包括：连续相邻的辅助图形所在的区域与所述连续相邻的辅助图形之间的间隔区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述中间图案与所述轮廓图像进行对准，包括：
5. 根据权利要求4所述的方法，其中获取所述中间图案中的所述基准坐标包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述基准坐标包括所述中间图案的中心点坐标。
7.根据权利要求4所述的方法，其中将所述中间图案与所述轮廓图像进行对准，还包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个图案轮廓与所述至少一个辅助图形检测区域中的相应辅助图形检测区域相交，包括：
9. 一种电子设备，所述设备包括：
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的方法。p>...
【技术特征摘要】
1.一种用于检测辅助图形曝光的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中基于包括辅助图形的版图图案生成中间图案，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个辅助图形检测区域中的每个辅助图形检测区域包括：连续相邻的辅助图形所在的区域与所述连续相邻的辅助图形之间的间隔区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述中间图案与所述轮廓图像进行对准，包括：
5. 根据权利要求4所述的方法，其中获取所述中间图案中的所述基准坐标包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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