【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子半导体制造，尤其涉及一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、光刻工艺在芯片制作工艺中重要工艺技术之一，其能将掩膜版上的图形转移到硅片表面，在光刻工艺过程中将掩膜版上的图形投影到硅片表面的光刻胶上，通过曝光发生光化学反应，然后通过显影形成光刻图形，实现掩膜版图形的转移，而光刻图形的关键尺寸是监测光刻工艺好坏的关键指标。
2、目前量测光刻图形的关键尺寸的步骤大概分为：粗对准、细对准、图形定位、图形量测四个步骤，其中粗对准和细对准需要使用对比度较高的量测标记图形做识别才能进行图形量测，现有的相邻层之间的量测标记图形会完全重合，在一些特殊制程工艺上并不适用，如当存在当层刻蚀深度比前层刻蚀深度要深时，量测标记图形在同一位置会造成刻蚀穿透，刻蚀穿透会造成刻蚀环境污染以及有残留物的产生，残留物进入到芯片中会对里面的器件结构构成不良的影响，进而会影响芯片的性能，且量测标记图形也会被破坏，导致后续关键尺寸的测量结果不准确，丧失其有效性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于至少提供一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质，通过前层量测标记图形和当层量测标记图形之间的不重叠设置，避免二次刻蚀现象，保证后续关键尺寸量测结果的准确性和有效性，以及避免破坏晶圆性能。
2、本申请主要包括以下几个方面：
3、第一方面，本申请实施例提供一种图形关键尺寸量测方法，方法包括：提供一晶圆，晶圆由切割道划分为多个曝光场；使
4、在一种可能得实施方式中，光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层量测标识，其中，通过以下方式在光罩上形成每个曝光图案对应的当层量测标识：获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，前层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第二量测标识，多个第二量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于目标顶角处的第一目标量测标识；将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，以在光罩形成当层曝光图案对应的当层量测标识。
5、在一种可能得实施方式中，将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，包括：将第一目标量测标识分别旋转90°、180°和270°，依次得到三个第一量测标识；从目标顶角处开始，按照顺时针顺序将先后得到的三个第一量测标识分别置于除目标顶角之外的其余三个顶角位置处。
6、在一种可能得实施方式中，第一量测标识和第二量测标识在切割道宽度方向的长度均小于切割道宽度的二分之一。
7、在一种可能得实施方式中，前层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第二量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形和前层量测标记图形均的中心均处于切割道中心。
8、在一种可能得实施方式中，曝光场每个顶角处对应的第一量测标识和第二量测标识的图形中心相同，标识线条不重合。
9、第二方面，本申请实施例还提供一种图形关键尺寸量测装置，装置包括：提供模块，用于提供一晶圆，晶圆由切割道划分为多个曝光场；曝光模块，用于使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识，多个第一量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；量测模块，用于根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。
10、在一种可能得实施方式中，光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层量测标识，其中，装置还包括：当层量测标识形成模块，用于：获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，前层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第二量测标识，多个第二量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于目标顶角处的第一目标量测标识；将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，以在光罩形成当层曝光图案对应的当层量测标识。
11、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，存储器存储有处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，处理器与存储器之间通过总线进行通信，机器可读指令被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的图形关键尺寸量测方法的步骤。
12、第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的图形关键尺寸量测方法的步骤。
13、本申请实施例提供的一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质，包括：在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识；根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。本申请通过前层量测标记图形和当层量测标记图形之间的不重叠设置，避免二次刻蚀现象，保证后续关键尺寸量测结果的准确性和有效性，以及避免破坏晶圆性能。
14、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种图形关键尺寸量测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的所述当层量测标识，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除所述目标顶角之外的其余顶角位置，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一量测标识和所述第二量测标识在切割道宽度方向的长度均小于所述切割道宽度的二分之一。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述前层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由所述多个第二量测标识之间拼接形成，
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，曝光场每个顶角处对应的第一量测标识和第二量测标识的图形中心相同，标识线条不重合。
7.一种图形关键尺寸量测装置，其特征在于，所述装置包括：
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述光罩包括由切割道划分开
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至6任一所述的图形关键尺寸量测方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至6任一所述的图形关键尺寸量测方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种图形关键尺寸量测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的所述当层量测标识，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除所述目标顶角之外的其余顶角位置，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一量测标识和所述第二量测标识在切割道宽度方向的长度均小于所述切割道宽度的二分之一。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述前层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由所述多个第二量测标识之间拼接形成，
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，曝光场每个顶角处对应的第一量测标...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁振浪，黄远婷，陈卓华，刘志成，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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